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公开(公告)号：CN115919270B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202211370489.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明提供一种基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法，利用传感器阵列获取脉体随指压变化而产生的形变特征变化，以获得脉体软度判定结果；所述传感器阵列于一维阵列上包括的压力传感器个数≥5；本发明方法包括：将脉体的切脉过程根据施加压力由小到大，划分为若干个不同阶段；利用所述传感器阵列采集不同阶段的脉体压力分布曲线；基于所述脉体压力分布曲线，构建脉体的形变特征，并获取于各阶段的形变特征值；根据各所述形变特征值，获取脉体于所述切脉过程的总变化特征值；检测所述总变化特征值是否满足预设的脉体软度判定条件，根据检测结果获取脉体的软度判定结果，有效地提高了脉体软度判定的准确性。
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公开(公告)号：CN111938610A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010662146.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明涉及一种气囊一体化的脉诊仪触觉传感阵列结构，包括气囊、PCB线路软板，所述气囊与导气管连通，所述气囊的人体接触面上开设有测试区域，所述测试区域内嵌入有与所述PCB线路软板相连的传感器阵列；所述传感器阵列包括多个传感器，所述传感器的敏感面与所述气囊的人体接触面近似在一个平面。本发明能够提高测量的精确度。
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公开(公告)号：CN106549649B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510591179.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种N型重掺杂恒温控制振荡器及其恒温控制方法，包括：谐振结构、锚点、加热梁及温度传感器；谐振结构包括N型重掺杂纵向振动梁及第一电极；N型重掺杂纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；锚点位于谐振结构的两侧；加热梁贯穿N型重掺杂纵向振动梁；温度传感器位于锚点表面。本发明中沿 晶向族的N型重掺杂结构的频率温度系数存在过零点，频率温度系数过零点的温度由掺杂浓度决定；通过调整N型掺杂浓度，可以使 晶向族谐振频率温度系数过零点略高于振荡器工作温区的上限；设置贯穿谐振结构的加热梁，在加热梁上通电流即可实现恒温控制，使得N型重掺杂恒温控制振荡器具有较好的性能稳定性及较好温度特性。
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公开(公告)号：CN106788316B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510830774.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种压阻式恒温控制振荡器及其制备方法，包括：谐振结构、加热梁、多晶硅高阻层、第一绝缘层及加热电阻；谐振结构包括纵向振动梁及第一电极；纵向振动梁的数量为两根，两根纵向振动梁平行间隔排布；第一电极位于两根纵向振动梁的两端，并将两根纵向振动梁相连接；纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；加热梁贯穿两根纵向振动梁；多晶硅高阻层位于两根纵向振动梁之间，且将加热梁隔断为两部分；第一绝缘层及加热电阻由下至上依次覆盖于加热梁的上表面。在两根纵向振动梁之间制作多晶硅高阻层，可实现对振荡器进行压阻检测；多晶硅高阻层将位于其两侧的加热梁连接成双端固支梁，可显著减小加热梁变形对谐振结构的影响。
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公开(公告)号：CN106788316A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201510830774.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H03H9/08 , H03H3/02 , H03H3/04 , H03H9/19 , H03H2003/027 , H03H2003/0407
Abstract: 本发明提供一种压阻式恒温控制振荡器及其制备方法，包括：谐振结构、加热梁、多晶硅高阻层、第一绝缘层及加热电阻；谐振结构包括纵向振动梁及第一电极；纵向振动梁的数量为两根，两根纵向振动梁平行间隔排布；第一电极位于两根纵向振动梁的两端，并将两根纵向振动梁相连接；纵向振动梁及第一电极均沿单晶硅 晶向族方向分布；加热梁贯穿两根纵向振动梁；多晶硅高阻层位于两根纵向振动梁之间，且将加热梁隔断为两部分；第一绝缘层及加热电阻由下至上依次覆盖于加热梁的上表面。在两根纵向振动梁之间制作多晶硅高阻层，可实现对振荡器进行压阻检测；多晶硅高阻层将位于其两侧的加热梁连接成双端固支梁，可显著减小加热梁变形对谐振结构的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106772752A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710040989.2
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽；2）提供键合基底，在键合基底的第一表面形成第三凹槽；3）将半导体基底与键合基底键合；4）在键合基底内形成光纤安装孔；5）在半导体基底的第二表面形成光学增透膜；6）刻蚀半导体基底，以形成贯穿半导体基底的通孔；7）在通孔底部的键合基底的第一表面形成第一电极，在半导体基底的第二表面形成第二电极；8）释放可动质量块结构；9）在中心质量块的下表面形成光学高反膜。通过预设光纤安装孔，在降低驱动电压的同时，极大地增加在静电驱动模式下FP光纤滤波器腔长变化与电源选择之间的灵活性。
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公开(公告)号：CN103675365B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210330880.X
申请日：2012-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/06727 , G01R3/00
Abstract: 本发明提供一种微机械芯片测试探卡及其制作方法，在SOI衬底中定义悬臂梁图形，于悬臂梁的悬空端制作内壁绝缘的盲孔，于盲孔内制作探针，于悬臂梁表面制作金属引线，于悬臂梁的固定端制作焊球，正面刻蚀SOI形成悬臂梁结构，将焊球倒装于陶瓷基底，从底面刻蚀衬底硅以释放悬臂梁以完成制备。本发明具有加工精度高、加工工艺简单、制作的测试探卡的机械强度高、各探针可依据待测芯片管脚位置的分布进行排列等优点。本发明的制作工艺与传统的CMOS工艺及微机加工工艺兼容，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN104724662B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201310705594.1
申请日：2013-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多晶硅应力传感器及其制作方法，所述多晶硅应力传感器至少包括：硅衬底；硅孔结构，形成于所述硅衬底中；第一阻挡层，覆盖于所述硅衬底正表面及所述硅孔结构的上部侧壁；多晶硅层，形成于所述第一阻挡层表面、及所述硅孔结构的下部侧壁及底部；第二阻挡层，覆盖于所述多晶硅层表面；电极结构，包括用于引出所述多晶硅层的第一电极以及用于引出所述硅衬底的第二电极。本发明将多晶硅力敏电阻制作在盲孔或通孔的侧壁上，并通过衬底硅的连接作用，实现力敏电阻两端引线及焊盘在硅片正面的制作，同时本发明利用多晶硅电阻在孔内部的轴向力敏度远大于径向灵敏度，可用于对盲孔电镀填铜、通孔热处理过程引入的内部轴向应力的测量。
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公开(公告)号：CN101311105B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810033916.1
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在普通硅片上与衬底绝缘的纳米梁结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成，并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制；纳米梁由金属连线提供力学支撑，金属连线与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。本发明是基于各向异性湿法腐蚀、干法刻蚀及无电极电化学腐蚀自停止方法制作的。包括梁区台阶制作、深刻蚀、电学连接与力学支撑结构制作、纳米梁释放四个步骤，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN101062761B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200610148119.9
申请日：2006-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种用湿法腐蚀工艺制作截面为直角三角形的纳米梁加工方法，其特征在于利用(100)晶向硅材料各向异性腐蚀特性，纳米梁形成后腐蚀即自动停止；形成梁的横截面为直角三角形，所述直角三角形的斜而为(111)面，侧面是(110)面，底面是(100)面，梁的斜面和底面宽度由梁的高度决定，是用氧化法进行控制的。本发明巧妙利用各向异性干法腐蚀特性和硅各向异性湿法腐蚀特性，只需一块光刻版就可实现纳米梁结构的加工。
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