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公开(公告)号：CN110556476A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910818242.4
申请日：2019-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法，属于微电子器件及存储器技术领域；该超晶格相变薄膜包括相变材料层和导电二维材料层；所述相变材料层、导电二维材料层交替堆叠形成周期性结构，该导电二维材料层的原子间距小于相变材料层且其机械强度大于相变材料层；具有较小原子间距的导电二维材料可以阻止相变材料层的原子迁移，减少超晶格相变存储材料在循环擦写过程中由原子迁移造成的器件失效，增强其循环擦写的稳定性；将该超晶格相变薄膜应用于相变存储器中，可以显著增强超晶格相变存储器件的循环擦写稳定性，增加其使用寿命，进一步提升相变存储器的电学性能。
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公开(公告)号：CN110534644A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910816518.5
申请日：2019-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器，超晶格相变存储材料由第一、第二相变层交替堆叠而成；该制备方法包括：提供第一衬底层，在第一衬底层上沉积第一相变层；提供第二衬底层，在第二衬底层及已沉积第一相变层的第一衬底层上同步交替沉积第二相变层、第一相变层，直至第一衬底层和第二衬底层上的相变材料层的总量达到所需层数；在第一衬底层或第二衬底层的最外层沉积第二相变层；采用加压和退火组装的方法将第一衬底层、第二衬底层上的相变层对接在一起；本发明同时在两个衬底上交替沉积超晶格材料，然后将两个衬底上的相变层组装在一起，大大提高超晶格薄膜的生长速率及所用原材料的利用率。
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公开(公告)号：CN108109949B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711400343.7
申请日：2017-12-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/68 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/492
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明公开了一种芯片的封装方法及封装结构，其中该封装方法包括：在转接基板的上表面上预留出与待封装芯片的内部管脚相对应的凸点；在该待封装芯片的内部管脚上植入第一金属球；PCB基板设置有焊盘，在转接基板的下表面上植入第二金属球，焊盘与第二金属球相对应；在转接基板与PCB基板之间还设置有压力导电膜；接着，将待封装芯片置于转接基板的上表面上，将PCB基板置于转接基板的下方，对该待封装芯片施加机械压力，实现封装。本发明通过对封装方法的整体工艺流程、相应封装结构中的各个细微结构设置等进行改进，能够有效解决回流焊接封装中存在的翘曲的问题，避免焊接故障的出现，减少对温度的敏感性，且封装芯片可拆卸、更换。
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公开(公告)号：CN105845173B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610165799.9
申请日：2016-03-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路，包括磁场发生模块，超晶格相变模块、分压电阻以及可控开关元件；通过给超晶格相变模块施加脉冲磁场与电压脉冲来控制其阻态切换；分压电阻与超晶格相变模块连接，其连接点作为逻辑门电路的输出端；可控开关元件设于超晶格相变模块与分压电阻之间的连接线上；通过闭合可控开关元件，在超晶格相变模块施加高电压或低电压脉冲信号实现逻辑写入；通过断开可控开关元件，在逻辑门电路的输出端读取逻辑运算结果；可实现与、或、非、或非、与非、同或、异或、蕴涵、逆蕴涵、多端与、多端与非、多端或、多端或非的逻辑功能；电路结构简单，实现的逻辑功能多样，电路结构简单、功耗低、具有非易失性。
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公开(公告)号：CN108109955A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711329523.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种用于填充垂直硅通孔TSV的复合材料及其填充方法，其中该复合材料主要由金刚石和铜组成，金刚石的直径小于1um,该金刚石为单晶金刚石或掺硼金刚石；填充方法是预先在TSV通孔内溅射粘附层、阻挡层、种子层，通过复合电沉积方法沉积复合材料，再通过通电使金属铜原子顺着电流方向附着沉积至填满TSV孔，从而在硅圆片上形成完整填充的复合材料层。本发明通过对该复合材料关键的内部组成及结构，相应填充方法关键的整体工艺流程设计、以及各个步骤的条件及参数进行改进，以特定的复合材料作为通孔填充材料，并且利用特定的填充方法，可提高TSV的可靠性并有效降低其失效率，有效避免填充缺陷。
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![磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料及其相应调控方法](/CN/2017/1/228/images/201711144962.jpg)
公开(公告)号：CN108091691A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711144962.4
申请日：2017-11-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/66
Abstract: 本发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料及其相应调控方法，其中该材料掺杂有磁性原子；掺杂前的初始超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料其结构具有拓扑绝缘性；掺杂磁性原子后，拓扑绝缘性受磁性原子的调控，初始超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料具备的时间反演对称性被破坏，并且磁性原子与其邻近的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料中的原子产生轨道杂化作用，使得掺杂后的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料自旋向上及自旋向下方向上的态密度同时出现不对称效应，并产生诱导磁矩。本发明通过对关键掺杂元素的具体种类等进行改进，与现有技术相比能够有效解决拓扑绝缘体表面态狄拉克锥调控不易、狄拉克点无法被打开等问题。
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公开(公告)号：CN105280809B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510582009.2
申请日：2015-09-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及其制备方法。磁隧道结包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层和第二电极层；第一磁性层和第二磁性层至少其中之一为CoFe(R)/FePt结构；CoFe(R)/FePt结构由CoFe(R)层和FePt层叠加而成，CoFe(R)层较FePt层靠近所述绝缘隧穿层；CoFe(R)层的材料为掺入R的CoFe，R为B、Al和Ni至少其中之一。本发明的磁隧道结能兼顾器件的小尺寸化、高热稳定性及与CMOS工艺的兼容性，因而能广泛应用于传感器、存储装置和逻辑计算装置中。
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公开(公告)号：CN102142517B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201010595047.9
申请日：2010-12-17
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/128 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1625
Abstract: 本发明公开了一种低热导率的多层相变材料，两种单层薄膜相变材料交替堆叠形成周期性的多层膜结构，两种薄膜材料至少有一种组成元素不同或由相同的元素组成但原子百分比不同。其作为相变存储器的记录材料能有效降低对某一储存单元进行读写操作时引起的邻近储存单元温升，减小邻近单元之间的热串扰，提高存储器的稳定性并降低器件功耗，且该材料不需引入其他非相变材料，与现有制备技术完全兼容。
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公开(公告)号：CN105845173A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610165799.9
申请日：2016-03-23
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G11C11/56 , H03K19/20 , H03K19/21 , G11C11/5678
Abstract: 本发明公开了一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路，包括磁场发生模块，超晶格相变模块、分压电阻以及可控开关元件；通过给超晶格相变模块施加脉冲磁场与电压脉冲来控制其阻态切换；分压电阻与超晶格相变模块连接，其连接点作为逻辑门电路的输出端；可控开关元件设于超晶格相变模块与分压电阻之间的连接线上；通过闭合可控开关元件，在超晶格相变模块施加高电压或低电压脉冲信号实现逻辑写入；通过断开可控开关元件，在逻辑门电路的输出端读取逻辑运算结果；可实现与、或、非、或非、与非、同或、异或、蕴涵、逆蕴涵、多端与、多端与非、多端或、多端或非的逻辑功能；电路结构简单，实现的逻辑功能多样，电路结构简单、功耗低、具有非易失性。
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公开(公告)号：CN105280806A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510583302.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种存储装置及其存储方法。该装置包括第一磁性层、隔离层、第二磁性层、第三磁性层和第四磁性层；隔离层、第二磁性层和第三磁性层设置在第一磁性层上，第二磁性层和第三磁性层位于第一磁性层的两端，隔离层位于第二磁性层和第三磁性层之间，第四磁性层设置在隔离层上；第二磁性层和第三磁性层在第一磁性层的两端形成第一被钉扎区和第二被钉扎区，第一被钉扎区的磁化方向与第四磁性层的磁化方向相同，第二被钉扎区的磁化方向与第四磁性层的磁化方向相反。本发明能有效降低MTJ结构自由层磁化翻转的临界电流密度，对自旋电子学在基础和应用方面的发展具有非常重要的意义。
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