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公开(公告)号：CN103170631B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310086534.6
申请日：2013-03-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于粉末冶金技术领域，涉及一种铌合金零件的制备方法，尤其涉及一种小尺寸、薄壁Nb-W-Mo-Zr合金零件的制备方法。该方法以经过机械合金化和等离子球化处理的微细球形Nb-W-Mo-Zr合金粉末为原料，采用注射成形的方法制备了长度不大于30mm、宽度不大于5mm、薄壁厚度不大于1mm、尺寸公差不大于0.09%、内有台阶和圆弧结构的小尺寸、薄壁Nb-W-Mo-Zr合金零件。本发明克服了传统的铌合金零件制造方法普遍存在的材料利用率低、污染大、难以制备复杂形状零部件、生产效率低等缺陷，适合大批量制备尺寸微小、形状复杂的Nb-W-Mo-Zr合金零件。
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公开(公告)号：CN103122420A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310064487.5
申请日：2013-02-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备多孔镍基ODS合金的方法，属于多孔高温合金制备技术领域。首先采用低温燃烧合成法制备纳米混合氧化物粉末，接着将氧化物粉末在氢气中进行选择还原得到ODS合金粉末，然后将得到的粉末通过压制、注射成形+脱脂得到多孔坯体，再通过烧结得到最终的多孔镍基ODS合金，或者直接通过SPS烧结得到最终的多孔镍基ODS合金。该发明解决了成形复杂形状多孔镍基ODS合金成形和孔隙结构控制困难的问题，具有孔隙率和孔径的可设计性强、低成本、原料粉末利用率高、高温强度高，适合在耐高温、耐腐蚀和抗氧化的条件下使用等优点。
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公开(公告)号：CN119505578A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411602344.X
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种具有二氧化硅包覆层的氮化铝粉体制备方法，涉及氮化铝填料粉体的表面改性技术的技术领域。所述具有二氧化硅包覆层的氮化铝粉体制备方法包括AlN填料粉体表面预处理、干燥处理、AlN填料粉体的二氧化硅改性处理、重复并循环表面改性处理，得到二氧化硅包覆层包覆的AlN填料粉体。本发明通过流化改性技术可以实现对AlN填料粉体表面的均匀涂覆和厚度控制，具有二氧化硅包覆层的AlN粉体耐水解性能显著提升，通过与有机物基体复合成热界面材料，可以增强其机械强度、抗压强度和抗弯强度等性能；改善填料粉末的分散性，简单易操作，减少了对有害溶剂的依赖，绿色环保，成本低、效率高，利于工业大规模生产和推广。
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公开(公告)号：CN117532006A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311374720.X
申请日：2023-10-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高分散纳米钨/铼/氧化镧复合粉末的制备方法，属于功能材料领域。本方法将钨盐、铼盐、镧盐、过量碳源和燃料按照一定的摩尔比进行溶液燃烧合成反应，得到“WO2/W18O49+ReO2/ReO3+La2O3+C”复合前驱物。然后将前驱物在空气中进行氧化反应，得到“WO3+Re2O7+La2O3”中间产物。再将中间产物在氢气气氛中进行还原反应，即得到纳米“W+Re+La2O3”复合粉末。本发明通过原位同步引入碳和氧化镧分散剂，提高了W‑Re颗粒分散性，且碳分散剂可直接通过煅烧去除，安全高效。制得的复合粉末的氧含量低、钨颗粒粒度均匀，细小的氧化镧颗粒均匀分散在钨‑铼基体中，为高性能钨铼合金的制备奠定基础。本发明原料便宜易得、设备简单、工艺快捷、可控性强、适合大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN114289718B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202111494193.7
申请日：2021-12-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米孔隙结构的多孔钨制品的成形方法，属于粉末冶金技术领域。本发明为高效且较低的成本制备优良孔隙特性、组织均匀、形状复杂、尺寸精度高以及一致性好的复杂形状多孔钨制品设计的一种成形方法。首先采用流化分散技术与射频等离子球化技术相结合对粉末进行分散分级球化处理，得到分散的、粒度分布窄的、细粒度的球形钨粉；然后将该粉末与塑基粘结剂混合均匀制成喂料，再通过粉末微注射成形制备出复杂形状的钨制品生坯，最后经过脱脂烧结制备出复杂形状的多孔钨制品。本发明显著优化了原料粉末和微粉末注射成形工艺，制备出的纳米孔隙结构的多孔钨制品组织结构均匀，晶粒尺寸≤1μm、孔径100～800nm，孔隙率15～35％，孔隙均匀，连通度好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113802042B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111089362.9
申请日：2021-09-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种制备均匀分散的Al2O3/Fe复合材料的生产方法，属于复合材料制备技术领域。该工艺过程为：(1)将铁源、甘氨酸、铝源、添加剂(硝酸铵等)按照一定比例配成溶液；(2)加热并搅拌，溶液挥发、浓缩后分解，得到前驱体粉末；(3)将前驱体粉末于300～600℃温度范围内，在一定保护气氛下反应1‑3小时，得到复合粉末。(4)将复合粉末压制成型，在一定气氛下于800～1300℃煅烧处理，得到氧化铝/铁复合材料。本发明所用原料廉价易得，制作过程简便、快捷，工艺能耗少、成本低，可实现规模化生产，得到氧化铝/铁复合材料，氧化物颗粒细小且分布均匀。
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公开(公告)号：CN115255378A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210783138.8
申请日：2022-06-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种具有多级孔隙结构的多孔钨材料的制备方法，属于难熔金属多孔材料领域。该材料由钨盐、硝酸铵、两种及以上金属盐和燃料原位复合而成，将上述原料按照1：(20～48)：(0.51～0.84)：(15.7～19.2)的摩尔比进行混合配置成水溶液，蒸发水分至溶液变为黏稠状态后，加热进行燃烧合成反应，得到氧化钨/金属氧化物复合前驱物。将前驱物在氢气气氛下进行高温还原反应，得到钨/金属或金属氧化物复合粉末。然后，将粉末浸渍于过量硫酸溶液中进行酸洗、离心、干燥后去除金属或金属氧化物，即得到具有多级孔隙结构的多孔钨材料。本发明优化了多孔钨制备工艺，制得的多级孔隙多孔钨材料的颗粒平均尺寸为50～900nm，总比表面积为220～750m2/g，孔径为0.01～4μm，且孔隙均匀，连通度好。
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公开(公告)号：CN113135759B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202110440670.5
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63 , C04B35/64
Abstract: 一种溶液燃烧合成法制备高纯高透光性的AlON陶瓷的方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。工艺过程为：(1)称取水溶性铝盐、水溶性有机物、有机燃料、氧化剂、金属硝酸盐或者无机酸，随后倒入适量去离子水，搅拌使化合物完全溶解；(2)将混合溶液100‑600℃的温度下发生燃烧反应后得到Al2O3和C的混合物；(3)将前驱物于1300‑1800℃的氮气气氛中反应0.1‑10小时，得到AlON粉末；(4)将得到的AlON粉末在空气中500‑900℃下除碳0.1‑10小时；(5)将AlON粉末压制成型，随后进行冷等静压；(6)将生坯在1800‑2000℃，氮气氛围下保温1‑20小时；(7)烧结后的透明陶瓷透光率可达80％，晶粒尺寸在100‑250μm之间，维氏硬度为15‑17GPa。本发明工艺简单，成本较低，煅烧后的粉体粒径小，无需球磨可直接干压成型，具有产业上的利用价值。
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公开(公告)号：CN113735594A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110982679.9
申请日：2021-08-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体与烧结助剂按一定比例混合均匀，首先将混合后的粉体在低温、常压、通氮气条件下进行预处理；再经过研磨、过筛；随后在热压炉中进行高温烧结。经过预处理的粉体氧含量有明显降低，热压制备的氮化硅陶瓷热导率沿压力方向大于80W/m·K，垂直于压力方向大于120W/m·K。经过处理后的粉体氧含量低，烧结样品不仅具有高致密度，第二相分布均匀且含量少，可一步得到高导热氮化硅陶瓷。该方法可有效减少陶瓷中第二相含量，降低氧对陶瓷导热性能的影响，制备工艺简单、高效。为高氧含量氮化硅粉体制备导热性能优异的陶瓷提供方向。
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公开(公告)号：CN113636844A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110984168.0
申请日：2021-08-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/64
Abstract: 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种两步烧结制备高强高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体和烧结助剂按一定比例与有机溶剂混合后，经过造粒、压制、脱脂后，首先在低温、常压、通氮气条件下预处理1～5h，随后在高温、0.9～10MPa氮气压力下进行烧结。在第一步预处理中，根据氮化硅粉体氧含量调节氧化镁烧结助剂含量，利用氧化镁与氮化硅粉体表面二氧化硅低温反应特性，烧结前降低坯体氧含量，再进行第二步气压烧结。与未经过预处理的烧结体相比，经过两步烧结的氮化硅陶瓷具有更高的致密度，总氧含量和第二相含量有明显减少，可制备热导率大于90W/m·K，抗弯强度大于750MPa的氮化硅陶瓷。
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