公开(公告)号：CN102148328A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110024075.X

申请日：2011-01-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘力锋 ,  高滨 ,  陈冰 ,  张飞飞 ,  李博洋 ,  于迪 ,  陈沅沙 ,  康晋锋 ,  韩汝琦

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种氧化物电阻存储器件，包括衬底，位于所述衬底上的底电极，位于所述底电极上的氧化物控制层，位于所述氧化物控制层上的氧化物阻变层，以及位于所述氧化物阻变层上的顶电极。该器件制备工艺简单、性能可靠，提高了氧化物阻变存储器的阻变的循环耐久力，增强了其数据保持特性。

公开(公告)号：CN102117822A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200910244442.X

申请日：2009-12-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  孙兵 ,  高滨 ,  刘力锋 ,  刘晓彦 ,  王漪

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明具体涉及一种阻变存储器存储单元及其制备方法，属于非挥发性存储器件技术领域。为解决小尺寸下传统平面肖特基二极管驱动电流不足的缺点，本发明提供一种阻变存储器存储单元，包括单晶硅衬底以及阻变存储材料层，所述存储单元还包括肖特基二极管；所述肖特基二极管作为开关及电流驱动单元设置于所述单晶硅衬底与所述阻变存储材料层之间。其中阻变存储材料层和肖特基二极管都可以用传统CMOS工艺来制备。该1D-1R结构可有效克服在小尺寸下传统平面肖特基二极管驱动电流不足的缺点，可有效应用于阻变非挥发性存储器单元中，获得具有足够驱动电流、高密度、高可靠性阻变存储单元，且其制备方法是与传统CMOS工艺相兼容。