公开(公告)号：CN1508847A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02155062.X

申请日：2002-12-20

Applicant: 上海北大蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 秦志新 ,  张昊翔 ,  童玉珍 ,  张国义 ,  丁晓民 ,  李树明

IPC: H01L21/28 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种低阻P型GaN基材料欧姆接触制备的方法，它采用等离子体氧化技术对P型GaN上的Ni/Au电极进行氧化处理，然后在氮气(N2)气氛下进行合金处理，最后获得比接触电阻低、透光性好的透明电极。本发明适用于所有P型氮化物半导体材料的欧姆接触，P型GaN基材料包括GaN、AlGaN、InGaN、以及InAlGaN四元合金体系，特别是对于GaN基发光二极管的制备具有重要应用和经济价值。

公开(公告)号：CN1147937C

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN00129633.7

申请日：2000-09-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  丁晓民 ,  秦志新

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及一种以氮化镓为基础的III-族氮化物半导体材料制备半导体器件方法。本发明提供了一种将衬底生长发光二极管的正面除N-电极以外的全部面积均做为P-电极，相反的背面做为出光面，并且采用倒装焊接方法进行封装的基于氮化镓发光二极管制备的新方法。该方法不仅减少了制备过程的要求和限制，提高了发光二极管有源区发光的出射率，而且提高了发光二极管的产率。适用于在类似蓝宝石透明绝缘衬底材料上生长的氮化物材料所制造的器件，例如各种波长的发光二极管、激光器、紫外光探测器等。