LED全彩显示阵列结构及制备方法
    73.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118380519A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410565655.7

    申请日:2024-05-09

    Abstract: 本发明公开一种LED全彩显示阵列结构及其制备方法,包括如下步骤:按照预设间隔呈周期性排列的LED阵列,对蓝绿红三种颜色进行阵列设计;制备LED蓝光芯片阵列基片、LED绿光芯片阵列基片和LED红光芯片阵列基片;将LED绿光芯片阵列和LED红光芯片阵列转移到LED蓝光芯片阵列基片,把蓝光、绿光、红光阵列集成在一起,实现了晶圆级转移集成,形成LED全彩显示阵列结构。本发明通过整体布局、阵列错开设计,将晶圆级别的蓝光芯片阵列、绿光芯片阵列以及红光芯片阵列键合在一起,实现三种颜色阵列的集成,最后封装,实现全色显示驱动,解决目前mini LED和Micro LED阵列显示制备难度高、成本高、良率低的现状。

    一种规模化调控金刚石微纳米颗粒形状的方法

    公开(公告)号:CN118359194A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202310062039.5

    申请日:2023-01-18

    Abstract: 本发明提供一种规模化调控金刚石微纳米颗粒形状的方法,所述方法包括:对化学气相沉积生长的金刚石微纳米颗粒和/或高压高温生长的金刚石微纳米颗粒进行空气氧化处理。本发明通过空气氧化实现金刚石微纳米颗粒的可控形态转变,并且已经证明,通过调整空气氧化参数,即温度和持续时间,可以实现一系列独特的形状,包括花形、中空结构、表面图案化的金字塔和回旋镖形状。这些不同形状的金刚石微纳米颗粒的规模化生产代表了重大的科学突破,具有很高的商业价值。能够简单、低成本地制备出所需形状的金刚石颗粒将为金刚石在纳米光子学、量子计算、量子光学等实际应用中排除许多障碍。

    一种气动自清洁过滤罐
    75.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117883902A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202410105550.3

    申请日:2024-01-24

    Abstract: 本发明公开一种气动自清洁过滤罐,包括外罐体、套设于所述外罐体的内罐体、安装于所述外罐体和内罐体之间的气动刮板装置及与所述气动刮板装置联动的匀流孔刮板装置、及设置于所述内罐体的过滤组件;所述外罐体上设有正向气动喷口和反向气动喷口,所述正向气动喷口和反向气动喷口通过喷气驱动气动刮板装置进行上下往复运动。本发明通过设置气体驱动方式驱动自清洁构件对过滤罐内部进行清洁,减少了外部构件安装;内置的清洁机构保证了过滤罐本身真空度不被破坏;驱动气体对尾气进行了扰动与降温,使尾气更好的进行冷却沉淀与均匀分散,提高整体滤芯的使用效率。

    光缆密封连接装置
    76.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114089477B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202111340748.2

    申请日:2021-11-12

    Inventor: 何向阁 张敏 王琦

    Abstract: 本发明涉及光缆连接技术领域,尤指一种光缆密封连接装置,包括上光缆、上连接组件、续接组件、下光缆及下连接组件;续接组件具有容纳腔,上光缆通过上连接组件伸入至该容纳腔内;下连接组件可拆卸地连接于续接组件,下光缆通过下连接组件伸入至该容纳腔内与上光缆熔接;下连接组件具有与容纳腔连通的密闭腔,下连接组件设有与密闭腔连通的打压孔,该打压孔可供打压测试。本发明解决铠装光缆的密封耐压连接问题,可以在施工现场进行制作。

    基于金刚石微粒的物理不可克隆功能材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117431061A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202210835536.X

    申请日:2022-07-15

    Abstract: 本发明提供一种基于金刚石微粒的物理不可克隆功能材料及其制备方法和应用,其包括:单晶硅衬底和在其上通过化学气相沉积法生长的具有硅空位色心的金刚石微粒,其中所述化学气相沉积法采用盐辅助空气氧化处理过的纳米金刚石作为化学气相沉积晶种。硅衬底上金刚石微粒的制备是随机(非确定性)过程,这是制造物理不可克隆功能标签的关键要求。本发明利用金刚石微粒的散射光谱及其形貌特征和空间位置关系作为金刚石物理不可克隆功能材料的指纹信息。由于金刚石材料的极耐热、机械、化学和光稳定性,本发明的高鲁棒性标签可以满足各种环境中许多实际应用的要求,在电子元件、医药包装、车辆、奢侈品等巨大的防伪市场中具有现实的商业价值。

    三色氮化物发光二极管的制造方法

    公开(公告)号:CN115881863B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202211655380.3

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法,包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层;通过区域选择性刻蚀,形成第一区域、第二区域和第三区域,分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层;在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层;对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构;在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层,电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层;分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明使一种芯片具有三种不同的发光区域,减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数,实现更小型的LED显示应用。

    一种激光辅助加热制备GaN单晶设备

    公开(公告)号:CN114737250B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202210410043.1

    申请日:2022-04-19

    Abstract: 本发明公开了一种激光辅助加热制备GaN单晶设备,涉及GaN材料制备技术领域,包括晶体生长系统、激光产生系统和温控系统,通过将激光产生系统产生的激光传输至衬底生长区域,使激光光斑辐射处的材料吸收激光光能而加速分子热运动以提高晶体生长的温度;利用温控系统以实施探测并反馈晶体生长处的局域温度,以此为依据来调整激光的能量密度与脉冲数,使得材料的吸收谱匹配相应的激光波长,确保材料的分子热运动加速但仍处于简谐振动的范畴,不会出现裂解而影响晶体结构,进而实现高速高质量GaN单晶的生长。此外,通过集成激光提高晶体生长局域温度,在不改变晶体生长系统整体温度布局的同时能够有效降低系统需承受的温场,从而有效降低设备制造成本。

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