公开(公告)号：CN101512774A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780031903.4

申请日：2007-06-21

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  程炜涛

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，通过对支承SOI层的硅基板的杂质浓度进行调整，并控制在与SOI层相接的硅基板表面形成的嵌入绝缘层的厚度，可得到能够调整阈值的晶体管。

公开(公告)号：CN101491164A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027037.1

申请日：2007-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  后藤哲也 ,  大见忠弘 ,  石桥清隆

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供可以更为彻底地防止等离子体倒流的产生、能够实现效率良好的等离子体激发的喷淋板。喷淋板(105)配置于等离子体处理装置的处理室(102)中，具备为了在处理室(102)中产生等离子体而放出等离子体激发用气体的多个气体放出孔(113a)，将气体放出孔的长度与孔径的纵横比(长度/孔径)设定为20以上。气体放出孔(113a)形成于与喷淋板(106)分立的陶瓷构件(113)上，将该陶瓷构件(113)安装于开设在喷淋板(106)上的纵孔(105)中。

公开(公告)号：CN101467493A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021797.1

申请日：2007-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 八木靖司 ,  渡边伸吾 ,  野沢俊久 ,  河村忠一 ,  吉野公彦 ,  大见忠弘

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/001 ,  C23C14/12 ,  C23C14/28 ,  H01L51/56

Abstract: 公开了一种发光元件的制造装置，其特征在于：具有进行衬底处理的多个处理室，该衬底处理用于在被处理衬底上形成具有包含有机层的多个层的发光元件；多个处理室分别构成为：以被处理衬底的形成发光元件的元件形成面朝向与重力方向相反的方向的方式，进行被处理衬底的衬底处理。

公开(公告)号：CN101385395A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005427.9

申请日：2007-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 野泽俊久 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  河村忠一 ,  吉野公彦

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/0017 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该基板处理装置在被处理基板上形成在第一电极和第二电极之间形成有包括发光层的有机层的发光元件，其特征在于，包括：在形成在上述被处理基板上的上述第一电极上形成上述有机层的有机层形成装置；在上述有机层上形成上述第二电极的电极形成装置；和蚀刻上述有机层的蚀刻装置。

公开(公告)号：CN101346820A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680048843.2

申请日：2006-12-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  渡边一史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 为了使CMOS电路中的上升及下降工作速度相同，因其载流子迁移率不同，就需要使p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的面积不同。因其面积的不均衡而妨碍了提高半导体器件的集成度。采取在(100)面及(110)面双方具备沟道区的三维结构来构成NMOS晶体管和PMOS晶体管，以使两晶体管的沟道区及栅绝缘膜的面积彼此相等。由此，在使栅绝缘膜等的面积彼此相等的同时，能够使栅电容也相等。并且与现有技术相比能够将基板上的集成度提高到2倍。

公开(公告)号：CN101322240A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045389.5

申请日：2006-11-30

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，为了使构成CMOS电路的p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的动作速度实质上相同，对n型MOS晶体管采取在(100)面和(110)面双方都具有沟道区域的三维构造，对p型MOS晶体管采取仅在(110)面上具有沟道区域的平面构造。进而构成为使两个晶体管的沟道区域和栅极绝缘膜面积相等。由此，可以使栅极绝缘膜等的面积相等，并且，也可以使栅极容量相等。

公开(公告)号：CN101283114A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680037196.5

申请日：2006-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

Abstract: 提供一种磁控溅射装置，通过提高靶上的瞬时的腐蚀密度，使成膜速度提高，并且使腐蚀区域时间性移动，防止靶的局部性损耗，使靶实现均匀损耗，从而延长靶的使用寿命。在柱状旋转轴(2)的周围设置多个板磁体(3)，通过使柱状旋转轴(2)旋转，在靶(1)上形成高密度的腐蚀区域，使成膜速度提高，同时随着柱状旋转轴(2)旋转，腐蚀区域产生运动，使靶(1)均匀消耗。

公开(公告)号：CN101268210A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034477.5

申请日：2006-09-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  中山尚三 ,  伊藤日艺

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12

CPC classification number: C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  C23C14/246

Abstract: 提供一种能够长时间均匀地成膜薄膜，特别是有机EL膜的蒸发夹具及包含蒸发夹具的成膜装置。蒸发夹具具备：蒸发皿，该蒸发皿具有底面和由该底面立设的侧面，用于对开口于侧面内部的原料收纳空间进行规定；用于将该原料收纳空间分割成多个分空间的隔板。另外，在隔板上设有卡止片，该卡止片具有用所述蒸发皿的底面侧连通所述多个分空间的高度。

公开(公告)号：CN101208641A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200680023200.2

申请日：2006-06-22

Applicant: 株式会社富士金 ,  国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  斋藤雅仁 ,  日野昭一 ,  岛津强 ,  三浦和幸 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  杉田胜幸 ,  平田薰 ,  土肥亮介 ,  广濑隆 ,  筱原努 ,  池田信一 ,  今井智一 ,  吉田俊英 ,  田中久士

IPC: G05D7/00 ,  G01F1/42 ,  G01F1/00 ,  G01F7/00

CPC classification number: G05D7/0641 ,  G01F1/363 ,  G01F1/6842 ,  G01F1/6847 ,  G01F5/005 ,  G01F7/005 ,  G05D7/0635 ,  G05D7/0647 ,  G05D23/1927 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/776 ,  Y10T137/8593 ,  Y10T137/86734 ,  Y10T137/86815 ,  Y10T137/87265 ,  Y10T137/87314 ,  Y10T137/8741 ,  Y10T137/87499 ,  Y10T137/87684

Abstract: 本发明涉及一种流量范围可变型流量控制装置，通过一台流量控制装置也能对较广的流量区域的流体进行高精度的流量控制，从而可实现流量控制装置的小型化和设备费用的降低。具体而言，在使用节流孔上游侧压力P1以及或者节流孔下游侧压力P2而以Qc＝KP1(K为比例常数)或者Qc＝KP2m(P1－P2)n(K为比例常数、m和n为常数)运算在节流孔(8)中流通的流体的流量的压力式流量控制装置中，将该压力式流量控制装置的控制阀的下游侧与流体供给用管路之间的流体通路设置为至少两个以上的并列状的流体通路，并且向上述各并列状的流体通路分别设置流体流量特性不同的节流孔，在小流量区域的流体的流量控制时使上述小流量区域的流体向一方的节流孔流通，此外，在大流量区域的流体的流量控制时使上述大流量区域的流体向另一方的节流孔切换并流通。

公开(公告)号：CN101042990A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710089461.0

申请日：2007-03-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 堀口贵弘 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  C23C16/511 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 一种等离子体处理装置，使微波通过在矩形波导管的下面形成的多个缝隙，并在配置在处理室的上面的介电体中传播，利用在介电体表面形成的电磁场中的电场能量，使供给至处理室内的规定气体等离子体化，对基板实施等离子体处理。矩形波导管的上面部件由具有导电性的非磁性材料构成，并且，使该上面部件相对于下面升降移动。根据气体种类、压力、微波供给装置的功率输出等处理室内进行的等离子体处理的条件，通过使矩形波导管的上面部件相对于下面升降移动，管内波长发生变化。