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公开(公告)号：CN118239972A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311749455.9
申请日：2023-12-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的金属化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、使用该组成物于抗蚀剂材料的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，是含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为：前述化合物是含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子、及配位于前述金属原子的配位子的金属化合物，前述配位子含有下列通式(1)表示的有机基团RA。[化1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN114380849B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111162164.0
申请日：2021-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D519/00 , G03F7/004 , G03F7/09
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明的课题提供不仅在空气中会硬化，在钝性气体中的成膜条件下也会硬化，可形成耐热性、于基板所形成的图案的填埋、平坦化特性优异，而且对于基板的成膜性、密接性良好的有机下层膜的酰亚胺化合物、及含有该化合物的有机膜形成用材料。一种有机膜形成用材料，含有：(A)下列通式(1A)表示的有机膜形成用化合物；及(B)有机溶剂。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#
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公开(公告)号：CN113805434B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110646782.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物；及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，X各自独立地为下列通式(2)表示的1价有机基团。W含有m个下式(3)表示的独立的部分结构。m、n为1～10的整数。#imgabs1#式中，虚线表示原子键。Z表示芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。#imgabs2#式中，虚线表示原子键。R01为氢原子或碳数1～10的一价有机基团。
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公开(公告)号：CN116693361A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310197024.X
申请日：2023-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C13/62 , G03F7/004 , G03F7/075 , C07C251/20 , C07C43/188 , C07C43/215 , C07C35/44
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、及化合物。本发明提供能展现高蚀刻耐性、优良的扭转耐性、成膜性，且成为散逸气体的升华物成分少的有机膜形成用组成物、使用了此组成物的图案形成方法、及适合如此的有机膜形成用组成物的化合物。一种有机膜形成用组成物，含有下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂。上述通式(1)中，X为下列通式(2)、(3)、(5)表示的X1～X3中的任一基团，亦可将2种以上的X予以组合使用。上述通式(3)中，W表示碳原子或氮原子，n1表示0或1、n2表示1～3的整数，R1独立地为下列通式(4)表示的任意的基团。上述通式(5)中，R2为氢原子或碳数1～4的烷基，R3为下列任意的基团。
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公开(公告)号：CN116165843A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211478179.2
申请日：2022-11-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明的课题的解决手段是一种抗蚀剂下层膜材料，特征为含有：(A)具有下述通式(1A)表示的化合物的树脂、及(B)有机溶剂；前述通式(1A)表示的化合物的Mw/Mn为1.00≤Mw/Mn≤1.25，前述通式(1A)中，X为下述通式(1B)表示的基团，前述通式(1B)中，R1为氢原子、碳数1～10的有机基团、及下述通式(1C)表示的结构中的任一者，构成前述R1的结构中，令氢原子的比例为a，并令碳数1～10的有机基团或前述通式(1C)表示的结构的比例为b时，以(A)成分整体计，符合a+b＝1、0.2≤b≤0.8的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116107167A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211394286.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法。本发明提供具有优良的填埋特性、密合性、及良好的平坦化特性的抗蚀剂下层膜材料、使用此材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜的形成方法。一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，其特征为含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的树脂、及(B)有机溶剂，且前述树脂的含量为20质量％以上。
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公开(公告)号：CN109388021B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201810863232.8
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种可形成有机膜的有机膜形成用组合物，该有机膜能够通过使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地与已因干蚀刻而改性的硅成分残渣一并湿式去除。所述有机膜形成用组合物包含高分子化合物与有机溶剂，该高分子化合物具有由下述通式(1)～(4)表示的重复单元中的任意1种以上，在该有机溶剂中，选自丙二醇酯、酮及内酯中的1种以上的合计占超过全部有机溶剂中的30wt％的量。[化学式1]
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公开(公告)号：CN109960111B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201811592270.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明提供一种过滤性高的有机膜形成用组合物、使用该组合物的有机膜的形成方法、图案形成方法、及形成有该有机膜的半导体装置制造用基板，所述组合物能够形成图案弯曲耐性高、尤其是在比40nm微细且为高高宽的线条图案中不会发生干法蚀刻后的线条的坍塌或起皱的有机膜。所述有机膜形成用组合物含有作为下述式(1)所示的二羟基萘与缩合剂的缩合体的缩合物(A)或该缩合物(A)的衍生物，所述缩合物(A)或缩合物(A)的衍生物中含有的成分元素中的硫成分的含量以质量比计为100ppm以下。[化学式1]
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公开(公告)号：CN114675490A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111588128.0
申请日：2021-12-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , C08G8/20 , C07D311/96
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、图案形成方法以及化合物及聚合物。本发明的课题为提供有机膜形成材料和适于有机膜形成材料的化合物及聚合物。该课题提供一种有机膜形成材料，其含有：(A)下式(1)表示的化合物及/或具有下式(4)表示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂；该式(1)中，AR1、AR2、AR3、AR4、AR5及AR6为苯环或萘环，R1为下式(2)表示的基团中任一者。n表示1～2的整数，W为碳数2～50的2价有机基团；该式(4)中，AR1、AR2、AR3、AR4、AR5、AR6、R1、n及W和前述相同；R2、R3为氢原子或碳数1～20的有机基团，且R2与R3也可通过在分子内键结来形成环状有机基团。
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公开(公告)号：CN109426077B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201810985309.9
申请日：2018-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
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