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公开(公告)号：CN120020643A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411651359.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/76 , G03F7/004 , G03F7/025 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40
Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供可形成边缘不粗糙的微细图案的图案形成方法。一种图案形成方法，包括下列步骤：在被加工基板上，按顺序叠层有机下层膜、含硅硬掩膜、含硅抗反射膜、及光致抗蚀剂膜，于光致抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案，形成硬掩膜中间膜图案，形成有机下层膜图案，以及于被加工基板形成图案；含硅抗反射膜使用含有含下列通式(Sx‑1)表示的重复单元、下列通式(Sx‑2)表示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)表示的部分结构中的任1个以上的聚硅氧烷及交联剂的含硅抗反射膜形成用组成物形成。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119493337A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411112335.2
申请日：2024-08-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 由等离子体照射显示优异的耐干式蚀刻性、膜厚均匀性的抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。抗蚀剂下层膜形成方法包括(i)涂布含(A)聚合物和(B)有机溶剂的组合物进行热处理的工序；(ii)进行等离子体照射形成抗蚀剂下层膜的工序，(A)聚合物含式(1)的结构单元，重均分子量2500～20000。式(1)中Ar1、Ar2为苯环或萘环，X为式(1A)的结构，Y为有机基团，k为0或1。式(1A)中n1为0或1，n2为1或2，R2为氢原子、有机基团或式(1B)的结构。R3为氢原子、烷基、芳基或式(1C)的基团，n3为0～2。式(1B)中RA为有机基团，RB为氢原子或有机基团。式(1C)中R4为氢原子或烃基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118642329A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410280006.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成方法、图案形成方法。本发明的课题为提供高程度地兼顾填埋性与干蚀刻耐性的含有金属的抗蚀剂下层膜形成方法及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂下层膜形成方法，其特征为具备：涂布步骤，将含有具有金属‑氧共价键的金属化合物与有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组成物涂布于基板，加热步骤，将前述已涂布的基板于氧浓度未达1体积％的环境中，以450℃以上且800℃以下的温度进行加热；其是使用含有至少1个以上的下述通式(a‑1)～(a‑4)、(b‑1)～(b‑4)、及(c‑1)～(c‑3)表示的交联基团者作为该金属化合物。[化1]#imgabs0#[化2]#imgabs1#[化3]#imgabs2#
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公开(公告)号：CN118307584A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410005941.8
申请日：2024-01-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供具有相对于以往的抗蚀剂下层膜材料优异的干蚀刻耐性，且兼具高程度填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用了该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用了该组成物的图案形成方法。本发明为一种含金属的膜形成用化合物，是使用于含金属的膜形成用组成物，其特征在于：前述化合物以下列通式(M)表示。[化1]Tn‑Sn‑Qm(M)。
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公开(公告)号：CN118307578A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410010810.9
申请日：2024-01-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明提供对比于已知的抗蚀剂下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性，而且兼顾高程度的填埋/平坦化特性的含金属的膜形成用化合物、使用该化合物的含金属的膜形成用组成物、及使用该组成物的图案形成方法。一种含金属的膜形成用化合物，是含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物，其特征为:前述化合物是含有选自由Ti、Zr、及Hf构成的群组中的至少1种金属原子、以及配位于前述金属原子的配位子的金属化合物，前述配位子含有下列通式(W‑1)表示的交联基团。[化1]#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117594418A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310985430.2
申请日：2023-08-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/312 , H01L21/3065 , C09D4/06 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及晶圆边缘保护膜形成方法、图案形成方法、及晶圆边缘保护膜形成用组成物。本发明的目的为提供一种晶圆边缘保护膜，对比已知的晶圆边缘保护膜，具有优良的干蚀刻耐性，且即使是难被覆的晶圆边缘部也具有优良的成膜性。一种晶圆边缘保护膜形成方法，是在基板的周缘端部形成保护膜的方法，其特征为包含下列步骤：(i)于前述基板的周缘端部涂布包含具有下列通式(1)表示的有机基团的含芳香环的树脂(A)及溶剂的保护膜形成用组成物；(ii)利用热或照光使前述已涂布的保护膜形成用组成物硬化而在前述基板的周缘端部形成前述保护膜。式中，RA为氢原子或碳数1～10的1价有机基团，＊为结合部。
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公开(公告)号：CN116110781A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211393733.7
申请日：2022-11-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/311 , C09D161/06 , C09D7/63
Abstract: 本发明涉及抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料及半导体基板的处理方法。一种抑制半导体基板图案崩塌用的填充膜形成材料，其特征为：含有(A)具有下列通式(1)表示的结构单元的聚合物、(B)含有下列通式(2)表示的化合物的残留溶剂脱离促进剂、及(C)有机溶剂，前述(A)聚合物的利用凝胶渗透层析法得到的聚苯乙烯换算的重均分子量Mw与数均分子量Mn的比率Mw/Mn为2.50≤Mw/Mn≤9.00，前述(B)残留溶剂脱离促进剂的含量相对于前述(A)聚合物的100质量份为0.1～40质量份，且不含酸产生剂。
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公开(公告)号：CN119270590A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410890067.0
申请日：2024-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供能形成显示出优异的耐干式蚀刻性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成方法和图案形成方法。抗蚀剂下层膜形成方法的特征在于，为在基板上形成抗蚀剂下层膜的方法，包括如下工序：(i)在前述基板上涂布包含(A)聚合物和有机溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物而得到涂膜，将该涂膜供于在100℃以上且800℃以下的温度下10秒～7,200秒钟的热处理而使其固化，由此形成下层膜前体膜的工序；及，(ii)通过等离子体照射使前述下层膜前体膜发生固化，形成抗蚀剂下层膜；作为前述(A)聚合物，使用在构成前述聚合物的重复单元中不含羟基和下述通式(1)所示的有机基团的含芳香环树脂。(通式(1)中，p为0或1，*为键合部。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119101081A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202410713945.1
申请日：2024-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、含金属的膜形成用化合物的制造方法、及图案形成方法。本发明提供对比已知的有机下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性而且兼顾高程度的填埋特性及/或高程度的平坦化特性的含金属的膜形成用化合物。一种含金属的膜形成用化合物，是(A)含金属的膜形成用化合物，是来自将式(A‑1)表示的金属化合物予以水解或缩合、或水解缩合而获得的含金属的化合物的化合物，更带有来自下式(1)表示的有机化合物的配位子。M(OR1A)4 (A‑1)，R2ACOXCOOH (1)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119087741A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410712822.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜形成用组成物，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜形成用组成物，其特征为含有(A)树脂、(B)碱产生剂、及(C)有机溶剂，前述(A)树脂的重均分子量为3,000～10,000，前述(A)树脂是(A‑1)含有苯酚性羟基及苯酚性羟基被修饰的基团的树脂、或(A‑2)含有苯酚性羟基的树脂及含有苯酚性羟基被修饰的基团的树脂的混合物，当前述(A)树脂中含有的苯酚性羟基的比例为a、苯酚性羟基被修饰的基团的比例为b时，符合a+b＝1、0.1≤a≤0.5、0.5≤b≤0.9的关系。
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