公开(公告)号：CN100407527C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200510009454.6

申请日：2005-02-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34333

Abstract: 半导体元件(1)包含具有量子井结构的活性区域(3)。活性区域(3)包含井区域(5)和阻挡区域(7)。井区域(5)由含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。阻挡区域(7a)具有第一半导体层(9a)和第二半导体层(11a)。第一半导体层(9a)，由至少含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。第二半导体层(11a)，由至少含有氮和镓的III-V族化合物半导体组成。第一半导体层(9a)被设置在第二半导体层(11a)与井区域(5)之间。第一半导体层(9a)的铟组成，比第二半导体层(11a)的铟组成小。第一半导体层(9a)的铟组成比井区域的铟组成小。

公开(公告)号：CN1993841A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200680000584.6

申请日：2006-04-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  秋田胜史 ,  平山秀树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明的氮化物半导体发光元件11产生包含紫外线区域的波长成分的光。该氮化物半导体发光元件11，具有包含InX1AlY1Ga1－X1－Y1N阱层13(1＞X1＞0、1＞Y1＞0)及InX2AlY2Ga1－X2－Y2N阻挡层15(1＞X2＞0、1＞Y2＞0)的发光区域17。该InX1AlY1Ga1－X1－Y1N阱层13与该InX2AlY2Ga1－X2－Y2N阻挡层15之间的能隙差Eg1为2.4×10－20J以上、4.8×10－20J以下。

公开(公告)号：CN1641900A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510004321.X

申请日：2005-01-13

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 秋田胜史 ,  中村孝夫 ,  平山秀树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C01G15/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06

Abstract: 本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备：发光区域(3)、第1AlX1Ga1－X1N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2AlX2Ga1－X2N半导体(0≤X2≤1)层(7)。该半导体发光元件中，发光区域由III族氮化物半导体制成，包含InAlGaN半导体层。第1AlX1Ga1－X1N半导体层例如被镁(Mg)之类的p型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第2AlX2Ga1－X2N半导体层被设于发光区域和第1AlX1Ga1－X1N半导体层之间。第2AlX2Ga1－X2N半导体层具有比第1AlX1Ga1－X1N半导体层的p型掺杂剂浓度更小的p型掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN1585144A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410057832.3

申请日：2004-08-18

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 平山秀树 ,  秋田胜史 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种通过高效率发光能够实现高输出发光的使用了氮化物半导体的发光元件及其制造方法，为达到该目的，所述发光元件具备GaN基板(1)，以及在该GaN基板(1)的第一主表面侧含有InAlGaN4元混晶的发光层。

公开(公告)号：CN1197998A

公开(公告)日：1998-11-04

申请号：CN98109431.7

申请日：1998-03-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  松岛政人 ,  秋田胜史 ,  津充 ,  竹本菊郎 ,  关寿 ,  缬明伯

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供有在立方晶系半导体(111)衬底上形成的GaN层的外延晶片。包括:立方晶系半导体(111)衬底;在所述衬底上形成厚度为60nm以上的第一GaN层;和在第一GaN层上形成厚度0.1μm以上的第二GaN层。

公开(公告)号：CN105206692A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510337330.4

申请日：2015-06-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  有方卓 ,  秋田胜史

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/101 ,  Y02E10/544 ,  H01L31/035263 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。作为该半导体器件的红外光电二极管包括衬底、由GaSb形成的缓冲层和包括多量子阱结构的吸收层。该多量子阱结构包括单元结构的堆叠，每个单元结构都包括多个组分层。单元结构中的每一个包括：由InAs1-aSba形成的第一组分层，其中比率a为0或更大且0.05或更小；由GaSb形成的第二组分层；和由InSbxAs1-x形成的第三组分层，其中比率x为大于0且小于1。第三组分层被设置成与第二组分层的一个主表面接触。第二组分层的另一个主表面与单元结构内的第一组分层接触。第三组分层具有0.1nm或更大且0.9nm或更小的厚度。

公开(公告)号：CN102484076B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201080038234.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  中幡英章 ,  天野浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种击穿电场强度较大且结晶缺陷较少的常关型III族氮化物半导体设备、及用于制作该III族氮化物半导体设备的III族氮化物半导体层积晶圆。III族氮化物半导体层积晶圆(10)包括：基板27，其由AlN构成且具有沿该AlN结晶的c轴的主面(27a)；第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)，其由含有Al的III族氮化物系半导体构成且设置在主面(27a)上；以及第二AlX2InY2Ga1-X2-Y2N层(15)，其设置在主面(27a)上，由带隙比第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)更大的III族氮化物系半导体构成，并且与第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)形成异质结。

公开(公告)号：CN104134713A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410183366.7

申请日：2014-04-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  柴田馨 ,  秋田胜史

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明涉及外延晶片及其制造方法、半导体元件和光学传感器装置。本发明的外延晶片包括由III-V族化合物半导体构成的衬底，由III-V族化合物半导体构成并且位于衬底上的多量子阱结构，和由III-V族化合物半导体构成并且位于多量子阱结构上的顶层。该衬底具有(100)的面取向以及-0.030°或更大且+0.030°或更小的偏离角，并且该顶层的表面具有小于10nm的均方根粗糙度。

公开(公告)号：CN102422496B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080020499.2

申请日：2010-03-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 京野孝史 ,  盐谷阳平 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  善积祐介 ,  住友隆道

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211

Abstract: 本发明提供可减少由晶格弛豫引起的载流子阻挡性能降低的氮化物半导体发光元件。支撑基体(13)的六方晶系GaN的c轴向量VC相对于主面(13a)的法线轴Nx朝X轴方向倾斜。在半导体区域(15)中，有源层(19)、第一氮化镓基半导体层(21)、电子阻挡层(23)及第二氮化镓基半导体层(25)在支撑基体(13)的主面(13a)上沿法线轴Nx排列。p型覆层(17)包含AlGaN，电子阻挡层(23)包含AlGaN。电子阻挡层(23)承受X轴方向的拉伸应变。第一氮化镓基半导体层(21)承受X轴方向的压缩应变。界面(27a)处的错配位错密度低于界面(27b)处的错配位错密度。由于压电极化而使界面(27a)对电子的势垒升高。

公开(公告)号：CN103560191A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310467660.6

申请日：2009-08-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 盐谷阳平 ,  善积祐介 ,  上野昌纪 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  住友隆道 ,  中村孝夫

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明涉及GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法。在GaN基半导体光器件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)自与沿着第一GaN基半导体的c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面起，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向该第一GaN基半导体的m轴方向倾斜。GaN基半导体外延区域(15)设置在主面(13a)上。在GaN基半导体外延区域(15)上，设有有源层(17)。有源层(17)含有至少一个半导体外延层(19)。半导体外延层(19)包含InGaN。半导体外延层(19)的膜厚方向相对于基准轴(Cx)倾斜。该基准轴(Cx)朝向第一GaN基半导体的[0001]轴的方向。由此，提供可抑制由有源层中的In偏析所引起的发光特性降低的GaN基半导体发光器件。