公开(公告)号：CN102227802A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980147545.2

申请日：2009-11-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山田永

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的制造方法，其是对包括要被热处理的被热处理部的底板基板进行热处理来制造半导体基板的方法，包括：在底板基板上设置吸收电磁波而产生热、且对被热处理部选择性地加热的被加热部的步骤；对基板照射电磁波的步骤，和通过由于被加热部吸收电磁波而产生的热，降低被热处理部的晶格缺陷密度的步骤。

公开(公告)号：CN102227801A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980147259.6

申请日：2009-11-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02636

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其包括：底板基板；设置在底板基板上的晶种；设置于晶种上方的化合物半导体；和设置于晶种和化合物半导体之间、具有比晶种大的电阻率的高电阻层，晶种和化合物半导体晶格匹配或者准晶格匹配。

公开(公告)号：CN102171790A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138926.4

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8248 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/12 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8252 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供依序具有半导底板基板、绝缘层、Si结晶层的半导体基板。其是在Si结晶层上设有阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层，而阻挡层具有贯通到Si结晶层为止的开口，在开口内部具有种晶，而化合物半导体是与种晶晶格匹配或准晶格匹配的半导体基板。本发明还提供电子器件，具有基体、设置在基体上的绝缘层、设置在绝缘层上的Si结晶层、设置在Si结晶层上的阻挡层，用于阻挡化合物半导体的结晶生长；且具有贯通Si结晶层为止的开口的阻挡层、设置在开口内部的种晶、晶格匹配或准晶格匹配于种晶的化合物半导体以及化合物半导体形成的半导体器件。

公开(公告)号：CN101960605A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107412.2

申请日：2009-03-26

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  住友化学株式会社

Inventor： 竹中充 ,  高木信一 ,  秦雅彦 ,  市川磨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 以实用且简单的手法，形成良好的3-5族化合物半导体与氧化层的界面。本发明公开了一种半导体基板，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；以及，邻接于所述第1半导体层而形成的且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的能够相对于所述笫1半导体层选择性的氧化的第2半导体层。另外，公开一种半导体装置，具有：晶格匹配或准晶格匹配于InP且不包含砷的3-5族化合物的第1半导体层；将邻接于所述第1半导体层而形成且晶格匹配或准晶格匹配于InP的3-5族化合物的第2半导体层的至少一部分相对于所述第1半导体层进行选择性的氧化而形成的氧化层；以及控制电极，对形成于所述第1半导体层的通道施加电场。

公开(公告)号：CN101896998A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119969.3

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具备：Si基板和形成于所述基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域及位于覆盖区域的内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：结晶生长在开口区域的Ge层；结晶生长在Ge层上的、由包含P的3-5族化合物半导体层所构成的缓冲层；以及结晶生长在缓冲层上的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能移动的温度及时间进行退火而形成。

公开(公告)号：CN101896997A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119896.8

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。