基于Banyan网络硅基光交换芯片中开关单元的校准方法

    公开(公告)号:CN115955620B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310238219.4

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于Banyan网络硅基光交换芯片中开关单元的校准方法,包括将外部光信号输入开关单元,基于Banyan网络结构分别获得当开关单元为BAR状态或CROSS状态时的最终输出端口,并探测得到当开关单元为BAR状态或CROSS状态下最终输出端口的总功率,对开关单元加载扫描电压,将总功率的差值最大时对应的扫描电压作为开关单元的BAR状态电压,将总功率的差值最小时对应的扫描电压作为开关单元的CROSS状态电压,以完成开关单元的校准。该方法降低了整个硅基光交换芯片的校准难度以及芯片设计的复杂度。

    折射率测量装置及折射率测量方法

    公开(公告)号:CN116223446A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202211425120.7

    申请日:2022-11-15

    Inventor: 张萌徕 张磊 储涛

    Abstract: 本发明涉及一种折射率测量装置及折射率测量方法。所述折射率测量装置包括测量光源、折射率传感器以及信号转换机构,测量光源用于发射测量光;所述折射率传感器被设置于所述测量光源的发光路径,用于放置该待测样品以被该测量光照射,并反射该测量光以形成反射信号;所述信号转换机构包括基板、阵列排布于所述基板的多个光栅单元及与多个所述光栅单元对应连接的多个信号转换单元,多个所述光栅单元具有对应不同共振波长的结构参数,多个所述光栅单元位于所述折射率传感器的发射侧。本发明用于解决目前折射率测量装置的检测成本高、检测时间长等问题。同时还提供一种折射率测量方法。

    一种光芯片、芯片封装结构及封装性能检测方法

    公开(公告)号:CN116165753A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310418377.8

    申请日:2023-04-14

    Abstract: 本发明涉及一种光芯片、芯片封装结构及封装性能检测方法,包括导电柱、基板以及设置于所述基板正面的光学端口,所述基板上开设有通孔,所述导电柱填充在所述通孔内,且所述导电柱的两个端部分别位于所述基板的正面和背面,所述导电柱在所述基板正面的端部为检测端口,所述导电柱在所述基板背面的端口为通讯端口。针对较大尺寸的光芯片,通讯端口可以和扇出板正对直接键合,实现光芯片和扇出板的电连接,而光学端口和检测端口则位于基板背离扇出板的一侧,由此也就使光学端口可以直接与基板上方的光纤阵列进行耦合,不会受到基板的阻挡,同时实现了光学端口和通讯端口的封装,由此也避免了在扇出板上进行开窗或者改变扇出板形状。

    基于氮化硅平台的亚波段光栅结构GST相变材料微型开关单元

    公开(公告)号:CN115657341B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202211576771.6

    申请日:2022-12-09

    Inventor: 王海涛 张磊 储涛

    Abstract: 本发明公开了一种基于氮化硅平台的亚波段光栅结构GST相变材料微型开关单元,包括由下至上的基底层、埋氧层、平面直波导层,所述平面直波导层上开设有槽状结构的波导槽,所述GST相变材料形成光栅结构镶嵌于所述平面直波导上,通过调整所述GST相变材料的状态来调制光的透射率,用于控制所述开关单元,在常规直平面波导,中间刻蚀深度深槽,形成slot波导结构;于波导结构中刻蚀or腐蚀做出一组条状光栅结构,在其中镶嵌插入GST相变材料,形成光栅结构的相变材料光开关单元;通过设计的这种光开关单元结构,能够有效提高结构的敏感性,缩小长度,降低损耗,而且状态的保持不需要外加电压来维持,具有非易失的特性。

    一种用于大规模硅基光子芯片设计的写场拼接结构与工艺

    公开(公告)号:CN115629445B

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202211478745.X

    申请日:2022-11-24

    Abstract: 本发明公开了一种用于大规模硅基光子芯片设计的写场拼接结构与工艺,将相邻最大曝光区域中的子系统进行光信号连通,包括与所述子系统的输出波导连接的锥形波导、设置于子系统所在最大曝光区域的对准标记、连接波导,所述连接波导用于连接相邻最大曝光区域的锥形波导,所述子系统经过波导输出的光信号经过锥形波导耦合到连接波导,然后从连接波导耦合到相邻曝光区域中的锥形波导,最后光信号传输到另一子系统中。本发明突破最大曝光面积的限制,制备出超大规模的硅基光子芯片,降低了硅基光子芯片的光电封装难度,具有高的光传输效率,对工艺的线宽要求低,具有高的工艺容差。

    一种硅基光电子芯片及电子设备

    公开(公告)号:CN115877505B

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202310017831.9

    申请日:2023-01-06

    Abstract: 本说明书公开了一种硅基光电子芯片及电子设备。针对任意两个相邻的光子系统,将其中一个光子系统作为第一光子系统,将另一个光子系统作为第二光子系统,第一光子系统与第一光子系统对应的光波导的一端相连接,第一光子系统对应的光波导的另一端连接空间折射结构的一端,空间折射结构的另一端连接第二光子系统对应的光波导的一端,第二光子系统对应的光波导的另一端与第二光子系统相连接,以使第一光子系统输出的光束,经过第一光子系统对应的光波导,通过空间折射结构,进入第二光子系统对应的光波导,输入到第二光子系统中,以连通第一光子系统与第二光子系统。本方法可以制造出更大规模的硅基光电子芯片。

    一种基于光电芯片双面工艺的三维封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN115542478B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211487042.3

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本发明涉及光电芯片封装技术领域,特别是一种基于光电芯片双面工艺的三维封装结构及封装方法,该三维封装结构中,光电芯片之间在通过导电结构实现电连接的同时,还能够通过微型透镜实现光学端口的纵向互联,这种封装结构不限制光电芯片的片数,形成的三维封装结构不仅结构紧凑,且相比于将两个或多个芯片分别封装集成,以及将两个或多个芯片平铺进行端面耦合,封装后的结构体积更加小巧。

    一种低损耗实时监测无阻塞光交换网络及其构建方法

    公开(公告)号:CN115914895A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211424613.9

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种低损耗实时监测无阻塞光交换网络及其构建方法,该光交换网络在Benes网络的内部嵌入一个光监测网络组成一种新的可实时监测的无阻塞光交换网络,其中,嵌入的光监测网络由热光开关组成,既可以实时监测整个光交换网络所有光开关单元的工作状态,同时也保证了较低的传输损耗。本发明省去了在光交换芯片中内置光功率监测点,仅需要4个监测端口就可以实现整个网络的实时监测,并且在光芯片封装完成后仍可以实时监测开关单元的状态,对于大规模关交换芯片的测试带来了极大地便利。

    光电子芯片、堆叠封装结构和光电子芯片的制作方法

    公开(公告)号:CN115877521A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211505605.7

    申请日:2022-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种光电子芯片、堆叠封装结构和光电子芯片的制作方法。堆叠封装结构包括至少两个光电子芯片,多个光电子芯片沿厚度方向堆叠排列。光电子芯片包括波导和光反射模组,波导用于传导预设光信号;光反射模组包括用于反射光信号的反射面,反射面相对于波导所处的平面倾斜设置,并用于接收和反射光信号。在上述结构中,利用光反射模组不仅可改变自波导中传出的光信号的传导方向,使得沿厚度方向垂直排列的其他光电子芯片可接收对应的光信号。还可将接收到的光信号传导至自身的波导上。通过上述设置,使得堆叠封装结构可满足各种形态的需求,提升其整体结构的灵活性和适应性。

    一种光频梳的仿真方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN115795846A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211469559.X

    申请日:2022-11-22

    Abstract: 本说明书公开了一种光频梳的仿真方法、装置、设备及存储介质,可以根据用户输入的各器件的初始参数,在仿真环境中,构建出对应的虚拟器件,并通过虚拟器件进行仿真,以获取到由这些虚拟器件产生的光频梳谱线图,进而可以根据光频梳谱线图的图像信息,确定各初始参数对应的参数值域,并可以根据确定出的各初始参数的参数值域,对生成光频梳的实验器件进行配置,以降低生成光频梳实验器件损坏的可能性,从而降低光频梳的研究实验成本。

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