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公开(公告)号:CN1755961A
公开(公告)日:2006-04-05
申请号:CN200510114218.0
申请日:2005-10-21
Applicant: 清华大学 , 日本丰田汽车株式会社
Abstract: 本发明公开了属于新能源材料及其制备技术领域,涉及具有高温差电效应的热电半导体化合物的一种Ag-Pb-Sb-Te热电材料及其制备方法。本发明采用机械合金化(MA)结合放电等离子烧结(SPS)的方法制备PbTe系高性能热电材料,该材料组成以Ag1-XPb18+YSbTe20表示,其中x表示Ag偏离等量取代的量,y表示原料粉末中超过计量比的Pb的量。与传统的粉末冶金工艺相比,本发明的MA+SPS工艺具有流程短,效率高,耗能少,适于工业化大规模生产等优点,所得到的温差电材料具有更加优异的热电性能。利用MA和SPS制备的Ag1-XPb18+YSbTe20热电材料的无量纲优值ZT在450℃达到1.37。
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公开(公告)号:CN1657496A
公开(公告)日:2005-08-24
申请号:CN200510011255.9
申请日:2005-01-26
Applicant: 清华大学
Inventor: 李敬锋
IPC: C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 一种氮化硅陶瓷部件的微加工方法,涉及一种耐高温、耐氧化、高硬度的氮化硅陶瓷的微型部件的加工工艺。该方法主要包括三个部分:(1)利用热压或等离子体放电烧结技术将Si粉预烧成形,并将致密度控制在70-85%;(2)利用精密机械加工或微细电火花加工或光刻以及反应离子刻蚀等硅微加工技术对Si粉预烧体进行微细加工;(3)再将微加工好的Si粉预烧体部件在氮气中加热,使其发生氮化反应,从而反应烧结得到Si3N4陶瓷微细部件。本发明结合了微加工和氮化硅陶瓷反应烧结的特点,从而实现了氮化硅陶瓷微型部件的微加工和微成型,并且可以将致密度提高22%左右;很适合于微型部件的制备。
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公开(公告)号:CN114988871B
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202210528785.4
申请日:2022-05-16
Applicant: 清华大学
Inventor: 李敬锋
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , B06B1/06
Abstract: 本发明提出了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和应用;本发明通过微调Li、Sb、BaZrO3和(Na0.5Bi0.5)HfO3,形成具有不同的“正交‑四方”相变温度的单元组分,再将其按照一定比例,均匀混合构建成掺杂元素梯度分布的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。在25~150℃较宽温度范围内,该陶瓷具有大于500 pC/N的高压电性能和压电系数变化率小于15%的良好温度稳定性。本发明采用传统固相法工艺,与目前工业化生产陶瓷工艺相同,不需要任何工艺改造成本。本发明为设计温度稳定型的高性能压电材料提供了一种新技术。
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公开(公告)号:CN114890791A
公开(公告)日:2022-08-12
申请号:CN202210488295.6
申请日:2022-05-06
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/65 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 本发明公开了一种锑化镁基热电材料及其制备方法和应用,该锑化镁基热电材料原料组成为Mg3.19‑3xY0.01Sb1.5Bi0.5‑2x,其中,0.01≤x≤0.02。该锑化镁基热电材料结晶性良好,结构致密,可重复性强,且电学性能好,功率因子保持在较高水平,晶格热导率低,进而获得了较高的无量纲热电优值ZT值。
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公开(公告)号:CN112989620B
公开(公告)日:2022-05-03
申请号:CN202110340557.X
申请日:2021-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了基于声速计算块体材料热容的方法及计算机可读存储介质,所述方法包括:(1)根据公式(100)计算待测样品的热容Cp;(2)根据公式(12)计算CH,ph,根据公式(13)计算CD;(3)根据公式(14)计算θD;(4)根据公式(15)计算υa;(5)根据公式(16)计算Va;(6)根据公式(17)计算BT。本发明方法不仅基于晶格振动理论还基于晶格膨胀理论,测得的结果更为合理,数据重复性很好,多次测试的相对标准差在1%左右,测试Cp耗时短,仅需要几分钟。
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公开(公告)号:CN113529059A
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202110801017.7
申请日:2021-07-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了铌酸银基无铅反铁电膜及其制备方法和应用。该制备方法包括:将乙二醇独甲醚和乙二醇混合得到混合溶剂,将乙醇铌和乙二醇独甲醚混合得到乙醇铌溶液;将硝酸银、柠檬酸和一部分的混合溶剂混合,并调节混合液的pH值得到含银溶液;将乙醇铌溶液和另一部分的混合溶剂混合得到含铌溶液;将含银溶液和含铌溶液混合、陈化得到银铌溶胶;将银铌溶胶形成在衬底上并进行甩胶成膜处理形成凝胶膜;连带衬底对凝胶膜进行烘干、热解和退火处理得到铌酸银基反铁电膜。该方法不仅安全可靠、设备简单、用料省、成本低、易于实现工业化生产,而且采用的溶剂无毒无害,且溶胶合成过程中无需加热,可在衬底上沉积出纯相薄膜。
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公开(公告)号:CN112989620A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202110340557.X
申请日:2021-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了基于声速计算块体材料热容的方法及计算机可读存储介质,所述方法包括:(1)根据公式(100)计算待测样品的热容Cp;(2)根据公式(12)计算CH,ph,根据公式(13)计算CD;(3)根据公式(14)计算θD;(4)根据公式(15)计算υa;(5)根据公式(16)计算Va;(6)根据公式(17)计算BT。本发明方法不仅基于晶格振动理论还基于晶格膨胀理论,测得的结果更为合理,数据重复性很好,多次测试的相对标准差在1%左右,测试Cp耗时短,仅需要几分钟。
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公开(公告)号:CN112028632A
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN202010792151.0
申请日:2020-08-08
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , H01L35/16
Abstract: 本发明属于能源材料技术领域,具体涉及一种非化学计量比碲化铋基热电材料及其制备方法。本发明材料具有下列通式所示的化学组成:BixSb2-xTe3+y,制备方法为:首先按照通式的化学组成称取Bi单质粉末、Sb单质颗粒和Te单质粉末原料,进行球磨处理,得到粉末;然后将所得的粉末进行循环次数为1至5次的循环放电等离子体烧结处理得到块体样品。本发明制得的碲化铋基热电材料结晶性良好、结构致密,相较于传统机械合金化结合烧结方法制备的样品晶粒明显增大且引入了大量位错,从而电学性能提升且晶格热导率降低,具有优异的热电性能。同时,制备工艺操作简便、周期短、无高温危险性、能耗少,具有广阔的应用前景。
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