公开(公告)号：CN110364520B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN201910236231.5

申请日：2019-03-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 川岛崇功

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：至少一个半导体元件、将至少一个半导体元件密封的密封体、在密封体的内部连接于至少一个半导体元件的第一电力端子及在密封体的内部经由至少一个半导体元件而电连接于第一电力端子的第二电力端子。第一电力端子及第二电力端子分别为板状并且在密封体的内部至少部分相向。

公开(公告)号：CN111354710B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201911319896.9

申请日：2019-12-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 榊原明德 ,  川岛崇功 ,  门口卓矢 ,  浦本幸治 ,  小川泰弘

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：基板，其由绝缘体构成；第一导体膜，其设置在基板上的局部；半导体元件，其配置在第一导体膜上；以及外部连接端子，其在与第一导体膜分离的位置处经由接合层接合在基板上。半导体元件是具有主电极和信号电极的功率半导体元件，该主电极与第一导体膜接合，该信号电极与外部连接端子电连接。

公开(公告)号：CN111668165B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202010150901.4

申请日：2020-03-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 川岛崇功

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供半导体模块和具备该半导体模块的半导体装置。本说明书公开的半导体模块具备：第1半导体元件；密封体，对第1半导体元件进行密封；以及第1层叠基板，配置有第1半导体元件，第1层叠基板具有第1绝缘基板、位于第1绝缘基板的一方侧的第1内侧导体层以及位于第1绝缘基板的另一方侧的第1外侧导体层，第1内侧导体层在密封体的内部与第1半导体元件电连接，并且该第1内侧导体层的一部分位于密封体的外部，构成为外部的部件能够接合到该一部分。

公开(公告)号：CN110137160B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201910045936.9

申请日：2019-01-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 川岛崇功

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本申请涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：第一半导体元件；层叠在第一半导体元件上并连接到第一半导体元件的第一导体板；连接到第一导体板的第一电源端子，该第一电源端子包括在第一方向上延伸的主体部分和在与第一方向不同的第二方向上延伸的接合部分，该接合部分连接到第一导体板；以及被构造成使主体部分的一部分、接合部分、第一半导体元件和第一导体板密封的密封体，该密封体具有第一表面和第二表面，该第一表面是主体部分从其突出的表面，并且该第二表面是放置在密封体的与第一表面的相对侧上的表面。

公开(公告)号：CN112151598A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010592346.0

申请日：2020-06-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 神谷真行 ,  川岛崇功

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的技术课题是让高的电流流过在端子的外侧的范围设置有有源区的半导体装置。一种半导体装置，具有：半导体基板；上部电极，设置于所述半导体基板的上表面；下部电极，其设置于所述半导体基板的下表面；以及端子，其与所述上部电极连接。所述半导体基板具有形成有开关元件的有源区，所述开关元件能够让电流流过所述上部电极与所述下部电极之间。所述有源区具有位于所述端子的正下方的主要区域、和位于所述主要区域的外部的外部区域。所述外部区域具有低电流区域。在所述低电流区域内的所述开关元件以及所述主要区域内的所述开关元件接通了时，所述低电流区域内的电流密度比所述主要区域内的电流密度低。