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公开(公告)号：CN102297351A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110165797.7
申请日：2011-06-20
Applicant: 中山大学
IPC: F21S2/00 , F21V29/00 , F21V7/22 , H01L25/075 , H01L33/64 , H01L33/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种LED光源模组，包括带凹槽的基板和封装于凹槽中的LED芯片，凹槽底部布有用于完成LED芯片电气连接的电路，还包括一设于基板表面的透明材料，凹槽与透明材料间形成一密封的空腔，空腔里充满液态绝缘导热材料；还公开了该LED光源模组的制造方法。本发明使芯片完全浸没于绝缘导热材料中，大大的增加了散热面积，形成立体散热，使LED光源模组的温度下降，LED芯片工作时的结温可以保持在一个比较低的温度，可靠性大大提高；绝缘导热材料的导热率高，使得各芯片之间的温度均匀性得到极大改善，光色均匀性也得到极大提高；LED芯片的导热效率提高，使整个光源模组的稳定性得到提高且延长了使用寿命。
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公开(公告)号：CN102270723A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110255656.4
申请日：2011-08-31
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌透明导电薄膜，包括自生长衬底材料的表面依次外延生长形成的接触层、电导主体层及表面粗化层。本发明还公开一种氧化锌透明导电薄膜制备方法，其采用金属有机化学气相淀积法在经过预处理的生长衬底材料的表面依次外延生长形成接触层、电导主体层及表面粗化层，步骤包括：生长衬底预处理；在GaN基LED外延片的表面生长掺铝的ZnO构成接触层；在接触层上生长掺镓的ZnO构成电导主体层；在电导主体层上高温生长掺铝的ZnO构成粗化表面层。本发明提供的氧化锌透明导电薄膜应用在GaN基LED器件上具有极高的可靠性、低的正向工作电压和高的光萃取效率，环保节能，极大促进GaN基LED在照明领域的低成本应用及可持续发展。
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公开(公告)号：CN102255026A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010241753.3
申请日：2010-08-02
Applicant: 中山大学佛山研究院 , 佛山市中昊光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法，该方法首先外延生长缓冲层及垂直结构GaNLED外延片，然后剥离衬底，再制备导电增透层，最后制作焊线电极。该垂直结构氮化镓发光二极管芯片顺序包括：金属高反射导热层、P型GaN层、MQW发光层、N型GaN层、导电增透层和焊线电极；导电增透层包括顺序附着在N型GaN层一侧表面的ZnO成核层、ZnO主体层和圆冠纳米柱状ZnO层。采用本发明制备方法制备出的垂直结构氮化镓发光二极管芯片，除了能满足优良的导电和透明特性外，还能精准控制生长质量和控制形貌，获得更高的光学萃取效率以及外量子效率；此外，采用双性金属氧化物制作缓冲层，可大大降低后续剥离衬底的成本，能够获得更高良品率，以及更低的生产成本。
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公开(公告)号：CN102162624A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110087955.1
申请日：2011-04-08
Applicant: 佛山市中山大学研究院 , 广州市熠芯节能服务有限公司
IPC: F21V5/04 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及一种用于LED光源的透镜，包括光线的入射面和出射面。所述的出射面包括左右两个旋转对称曲面和一个连接曲面，以及一个平面分界面；所述的两个旋转对称曲面为一马鞍形拱形曲面，和一碗形曲面，具有相同的对称中心直线z轴；所述的连接面在碗形曲面的上方，将所述外拱形曲面和碗形曲面连接起来。所述内表面由一个四份之一球面和一个内凹面组成，其中内凹面为一内凹弧线和一直线绕垂直于直线的方向旋转180度所构成的面得到。将LED放置于旋转对称中心轴上，该透镜可将LED发出的大部分光线偏折向一个方向，形成一个近似半圆的光斑，特别适用于安装在户外墙壁上的照亮墙外广场的场合，避免光线过多照射在墙壁，光能利用率很高。
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公开(公告)号：CN101226981B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810026118.6
申请日：2008-01-29
Applicant: 中山大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括替代衬底及通过金属层依次连接于替代衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由上往下至少包含一个缓冲层、N型层、发光层和P型层，N型层内设有导电体，其一端向上延伸露出缓冲层，并设有N型电极，其另一端与金属层之间设有绝缘介质层，替代衬底的下端设有P型电极，使导电体与发光层、P型层及金属层隔离。本发明的器件是从N型层侧出光，在出光侧无需使用透明电极，能有效地提高半导体器件的输出功率，还能有效降低LED器件的热阻。另外，本发明还公开了一种半导体发光二极管的制造方法。
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公开(公告)号：CN101699240A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910193517.6
申请日：2009-10-30
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开一种半导体照明产品散热性能检测装置，包括：物理特性参数输入模块，采集导体照明产品的物理特性参数；快速辐射功率测试仪，采集半导体照明产品辐射量数据；电参数发生及测量仪，输入功率至半导体照明产品，测量其输出电信号；温度探测器，探测半导体照明产品内、外测试点温度信号；变环境测试积分球，设定半导体照明产品环境参数；中央监控及处理计算机，接收上述参数后运算处理；参数分析及等效变换模块，将半导体照明产品光电特性及物理特性归一化变换，推算等效标准模型状态下工作参数，中央监控及处理计算机根据工作参数输出测试数据，曲线及综合分析报告。本发明测试结果能够基本复原使用环境，减小测试环境差异而造成的误差。
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公开(公告)号：CN101660187A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910192331.9
申请日：2009-09-15
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开一种基于预成型阳极氧化铝的亚微米图形衬底制作方法，其包括以下步骤：在衬底上先镀上一铝层；在铝层表面均匀涂敷一微球结构层，并在微球表面蒸镀耐蚀性金属，蒸镀的耐蚀性金属将通过微球结构层间隙沉积在铝层表面，再将微球结构层去除；用稀酸进行腐蚀，在铝层上所蒸镀的金属之间形成凹坑，完成预成型的过程；利用浓酸将铝层上的耐蚀性金属去除；对铝层进行阳极氧化，形成具有预设孔洞结构图形的氧化铝层；利用氧化铝层作为掩模，通过刻蚀将氧化铝层上的孔洞结构图形转移到衬底上；去除氧化铝层，得到亚微米图形的衬底。本发明具有操作简单、快速、成本较低、孔径可控的优点。
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公开(公告)号：CN101625111A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910109238.7
申请日：2009-08-03
Applicant: 中山大学
IPC: F21V29/00 , H01L23/367 , F21Y101/02
Abstract: 本发明涉及LED照明装置专用的散热模组。该散热模组包括一条型材和一散热部件；所述散热部件是一组沿所型材长度方向并列设置的散热片；所述型材与所述散热部件之间通过卡扣结构连接；所述型材与所述散热部件之结合面具有沿所述型材长度方向设置的第一通孔；所述散热部件远离所述型材的一端具有沿沿所述型材长度方向设置的第二通孔。本发明提供一种散热效果好的散热模组。
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公开(公告)号：CN101572287A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910039889.3
申请日：2009-06-02
Applicant: 中山大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种基于蓝光LED芯片的白光LED活性封装方法，包括以下步骤：配制蓝光敏感的光敏树脂液体；光敏树脂中混合荧光粉；将LED半成品在光敏树脂中预浸；然后将LED半成品倒置浸入光敏树脂液体中，芯片基板边缘浸入光敏树脂内，通入低工作电流到LED芯片使其发光，触发光敏树脂发生聚合，LED芯片出光面上形成光敏树脂核；将LED半成品缓慢上升至脱离光敏树脂液面，在光敏树脂核和芯片基座将附着一半球形或近半球形光敏树脂液滴；通入中工作电流到LED芯片使其发光，激发光敏树脂液滴固化；将光敏树脂液滴固化后样品通入高工作电流使LED芯片发光，固化去色，或将样品用阳光曝晒去色，或用紫光照射去色；最后进行清洗。
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公开(公告)号：CN1943880A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610123093.2
申请日：2006-10-27
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明涉及LED激发荧光粉领域，公开了一种用于LED激发的荧光粉涂敷方法。本发明创造性地提出将荧光粉填充到LED激发屏内部，制作荧光粉屏装置，通过调节荧光粉填充洞的形状、大小和排列，以及荧光粉的选择和填充，从而实现对光色的控制。本发明的荧光粉屏改变了传统的很难控制颜色的荧光粉涂粉工艺，其颜色调控精确，混光均匀，稳定性能好。利用本发明荧光粉屏结构的LED可采用单颗芯片，也可采用多颗芯片。本发明可用在对颜色品质要求很高的显示领域，用于大面积、颜色可调可控且激发稳定的照明或显示领域。如路灯灯头，车用汽车灯，矿灯，以及手机或LCD背光源、指示等等。
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