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公开(公告)号：CN106282963A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610840597.X
申请日：2016-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置，生长方法包括以下步骤：1）提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；2）将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。在非晶硅生长过程中，通过引入与沉积衬底表面相平行的磁场，磁场可以偏转反应气体中的高速带电粒子，降低所述高速带电粒子对非晶硅生长表面的刻蚀，实现了非晶硅生长速率的大幅提升；同时，非晶硅的微观结构、带隙和折射率与不加磁场干扰时一致。
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公开(公告)号：CN104393121B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201410581435.X
申请日：2014-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0376 , H01L31/028
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底表面沉积掺氧非晶硅锗薄膜。本发明通过调节反应气体流量中氧和锗浓度可以得到带隙连续可调的致密掺氧非晶硅锗薄膜材料，该材料利用氧、锗元素可以抑制界面外延和调节材料带隙的作用，实现空穴载流子的有效收集，从而有效提高异质结晶体硅太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN103820767B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310736927.7
申请日：2013-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种改善多晶硅薄膜质量的前处理工艺，其特征在于在铝诱导晶化前，通过控制退火温度和退火时间，有效控制非晶硅中的氢含量；在氮气或氩气保护气体中对非晶硅薄膜进行退火。退火温度为350-500℃，退火时间为0.1-5h。在不同温度下对非晶硅薄膜进行退火处理后，薄膜的氢含量从10%降低到1.4%，从而使通过铝诱导制备的多晶硅薄膜表面干滑完整。本发明可在较低温度和较短时间内制备高质量的多晶硅薄膜。相比于传统AIC制备多晶硅的方法，本发明在AIC之前加了一个退火除氢步骤，可有效的控制前驱体a-Si:H中的氢含量，有利于制备更大晶粒尺寸，应力更小，表面更加平滑完整的多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN103002004B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201210342472.6
申请日：2012-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种数据远程采集与管理系统及其实施方法，所述的系统由1个数据采集和管理中心与多个数据采集与管理分中心组成；中心与分中心间通过无线方式实时传递数据。分中心负责收集各类环境和光伏系统电参数，无线发送到中心，中心负责接收各分中心的数据，经分析，建模，获得不同地区、不同环境下的光伏系统寿命、发电量与环境的关系。通过该系统，数据中心可在远程实时收集不同地区。通过分析不同气候光伏电站的数据，获得不同气候电池模组发电量与环境参数间关系。该系统的特色在于：1、通过GPRS实时无线远距离（>1000Km）传输；2、采用光伏电池、控制器和储能电池组组成连续供能系统，为分中心的数据采集供能；3、通过数据分析，实现不同地区电池寿命预测。
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公开(公告)号：CN104966744A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510394993.X
申请日：2015-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种高效晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池结构相比于传统结构，在倒金字塔结构表面还具有微绒结构，该结构可进一步减少光反射，提高器件的光谱响应。该技术适用于p型和n型太阳电池，采用离子注入实现p+层和n+层的掺杂制备，通过对重掺杂层的选择性腐蚀得到p+层或n+层上表面的微绒结构。本发明技术有利于晶体硅太阳电池性能的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681889A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310732585.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L31/02168 , H01L31/0481 , H01L31/186
Abstract: 本发明涉及一种引入驻极体结构的高效太阳能电池及制备方法，其特征在于在常规太阳能电池结构中引入驻极体薄层，以增加太阳能电池的光电转化效率。引入的驻极体结构为以下四种中任一种：①通过对太阳能电池的表面钝化减反射薄膜进行驻极体化处理，使其具有驻极体功能；②或在太阳能电池表面单独沉积驻极体薄层；③或通过在组件封装中引入具有驻极体性质的封装材料；④或是在太阳能电池或组件制备完成后，通过驻极体化手段处理，在电池或组件中诱导出驻极体薄层。本发明不仅适用于晶体硅电池，也适用非晶硅薄膜电池、碲化镉电池、砷化镓电池、铜铟镓硒电池、染料敏化电池和有机电池等其他类型的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN209328935U
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201920287323.1
申请日：2019-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/08
Abstract: 本实用新型提供一种镀膜设备，所述镀膜设备包括：至少两个射频磁控溅射源，以形成第一缓冲层及第二缓冲层；至少两个直流磁控溅射源，以在第一缓冲层上制备第一主导层及在第二缓冲层上制备第二主导层；具有低成本、高稳定性、方法兼容的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210711711U
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201921135980.0
申请日：2019-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，镀膜设备包括阴极镀膜源及载盘，载盘包括追盘部件及承载台阶；通过阴极镀膜源，在同一真空腔内、无需翻转的情况下进行双面镀膜；通过追盘部件，遮挡多个载盘之间的缝隙，实现阴极镀膜源的隔离式布局，避免阴极镀膜源的相互影响；通过承载台阶承载待镀膜件并对待镀膜件进行遮挡，避免透明导电氧化物薄膜的导通，避免引起SHJ太阳电池的短路；通过加固部件，防止载盘的变形，提高产品质量。本实用新型实现了“无应力”双面同位连续镀膜，减小镀膜设备的占地面积、避免待镀膜件的翻转、提高产品质量、具有低成本、高稳定性、广泛的应用前景和经济价值。
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公开(公告)号：CN209104182U
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201822212411.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/20 , H01L31/0747 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本实用新型提供一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，包括非晶硅/晶体硅异质结结构，其上表面和下表面分别包括中心区及包围中心区的边缘区；透明导电氧化物薄膜覆盖中心区，且至少显露非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的边缘区；金属电极；覆盖薄膜，覆盖薄膜至少覆盖被显露的边缘区。本实用新型通过氮化硅、氧化硅及氮氧化硅的化学惰性及光学折射率可控的特点，使非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性最大化，同时减反射效果最优化，从而达到提高非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性和光电转化效率的双重目的，且具有低成本、高稳定性的优势。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207282509U
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201720645616.3
申请日：2017-06-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/072 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本实用新型的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本实用新型具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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