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公开(公告)号：CN119638472A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411958548.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 东北大学
IPC: C04B37/00 , C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及陶瓷焊接技术领域，尤其涉及一种新型的反应烧结碳化硼陶瓷自渗连接方法。本发明在常温下将反应烧结碳化硼陶瓷待连接的表面抛光至粗糙度一致后压合，在高温下通过自身残余硅的扩散以及界面反应，能够成功将两块反应烧结碳化硼陶瓷连接，形成的连接层成分主要为Si、SiC、B12(C,Si,B)3三相，连接层与母材碳化硼之间适配性良好，几乎大部分保留了母材碳化硼的力学性能，此外，在界面处还形成许多细小的碳化硅相，界面结合较好，因此，本发明实现了在不添加任何中间层的条件下，较为简单地实现了反应烧结碳化硼陶瓷的连接，而且连接界面完整，气孔等缺陷较少，抗弯强度大部分保留下来。
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公开(公告)号：CN118459227A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410575736.5
申请日：2024-05-10
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本公开提供一种硼化钛复合陶瓷材料及其制备方法。其中制备方法，其包括：S1、制备酚醛树脂‑无水乙醇溶液；S2、向酚醛树脂‑无水乙醇溶液中依次加入TiB2粉末和Ni粉并进行搅拌S3、将第一混料倒入球磨罐进行混合，得到第二混料；S4、第二混料收集并进行水浴加热和搅拌，干燥后得到第三混料；S5、第三混料研磨过筛造粒，得到混合粉体；S6、混合粉体模压成型，得到若干第一坯体；S7、第一坯体进行碳化处理得到若干第二坯体；S8、将第一混合液体均匀涂抹至石墨坩埚的内壁和外壁后晾干；S9、第二坯体等距放入石墨坩埚中，将纯硅均匀覆盖在若干第二坯体上，将石墨坩埚放入炉中进行真空熔渗，最后冷却得到硼化钛陶瓷复合材料。
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公开(公告)号：CN117362026A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210757420.9
申请日：2022-06-30
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 一种氧化锆‑碳化钛/氧化锆共烧陶瓷复合材料的制备方法，按以下步骤进行：(1)准备Y2O3稳定纳米ZrO2粉和微米TiC粉作为原料；球磨获得球磨湿料；(2)烘干、研磨粉碎制成粉体；(3)滴加聚乙烯醇水溶液，搅拌混合、过筛；(4)静置后装入心部模具中，干压制成TiC/ZrO2圆坯；(5)Y2O3稳定纳米ZrO2粉采用喷雾造粒法，制成造粒粉；(6)利用外部模具将造粒粉和TiC/ZrO2圆坯组合；(7)干压制成复合圆坯；(8)烘干后进行无压烧结。本发明的ZrO2‑TiC/ZrO2共烧陶瓷复合材料具有良好的电学性能和机械性能；能够较好的应用于可穿戴智能产品中；具有很好的界面结合强度，满足了陶瓷材料的不同部位适用于不同应用的需求。
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公开(公告)号：CN116654939A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310620929.3
申请日：2023-05-30
Applicant: 东北大学
Abstract: 本发明涉及一种可控化制备纳米SiC粉体的方法，属于SiC半导体技术领域，主要解决的是利用碳热还原法制备立方相纳米SiC粉体时颗粒不均匀、粉体颗粒粗大、碳化硅纳米线过饱和线型生长的问题。本发明通过引入极少量的乙二胺四乙酸二钴作为一种形貌调控剂，以工业蔗糖为碳源，纳米二氧化硅为硅源，通过多次破碎工艺与成型相结合的手段制备了均匀混合的前驱体。并利用低温真空碳热还原法制备了形貌粒度可控、纯度高的纳米SiC粉体，SiC纳米粉体中SiC晶须和纳米线得到有效控制。本发明调控剂用量极少，碳热还原温度较低，成本较低，制备方法简单易行，可操作性强，适用于纳米SiC粉体的大规模制备。
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公开(公告)号：CN112142473A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011048826.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B35/71
Abstract: 本发明的一种B4C基双层陶瓷复合材料及其制备方法，属于材料技术领域，该复合材料的制备方法包括配料、混料、干燥、热压烧结或无压烧结等步骤，配料：按比例分别称取双层复合材料的碳化硼陶瓷层和增韧层的配料，其中碳化硼陶瓷层分别按比例称取B4C粉1、Ti粉和C粉；增韧层分别按比例称取B4C粉2，Ti3SiC2粉，Si粉和用于原位反应生成W2B5所需要的B4C粉3和WC粉；混料：分别将每层称好的原料，混料后干燥过筛；控制相应工艺过程，采用热压或无压烧结后，冷却至室温，制得B4C基双层陶瓷复合材料。本发明采用热压或无压层状复合的方法，通过宏观双层结构以及反应自生多相复合增韧机制，大幅改善B4C陶瓷材料的力学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111875404A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010742002.3
申请日：2020-07-29
Applicant: 东北大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/565 , C04B35/624 , C04B35/64 , B28B1/00 , B28B1/24 , B33Y10/00 , B33Y70/10
Abstract: 本发明的一种应用于自由直写成形技术的碳化硅浆料制备方法，属于材料技术领域，具体步骤如下：(1)将SiC粉体与烧结助剂通过球磨均匀混合；(2)将球磨后所得的悬浮液置于恒温烘箱中干燥后，研磨，过筛；(3)将过筛后的粉体倒入溶有分散剂的水溶液中制成溶胶态陶瓷悬浮液，并高速搅拌；(4)调节pH值并加入增稠剂，搅拌；(5)将搅拌后的浆料球磨，制得应用于自由直写的SiC陶瓷浆料。本发明的方法步骤简单、对设备要求相对较低，所配制的浆料能够满足自由直写成形对于浆料的流变性能要求，且能够生产各种形状复杂的多孔SiC陶瓷产品。
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公开(公告)号：CN108409328B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810246408.5
申请日：2018-03-23
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种碳化硼陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将碳化硼粉末、碳源和混料介质进行湿法混合形成混合物料，经烘干、研磨、过筛后形成待模压物料；S2、将待模压物料压制成型，经烘干后得到陶瓷坯体；S3、将硅块置于陶瓷坯体上进行真空熔渗反应烧结，得到碳化硼陶瓷复合材料前驱体；S4、除去碳化硼陶瓷复合材料前驱体表面的残留硅后将其置于加热设备中进行热处理，再冷却至室温后得到碳化硼陶瓷复合材料。本发明的碳化硼陶瓷复合材料的制备方法能够降低烧结温度，提高碳化硼陶瓷复合材料的致密性，同时能够提高碳化硼陶瓷复合材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN107337454A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710537447.6
申请日：2017-07-04
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/628
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种氮化硅复合粉体的制备方法。该氮化硅复合粉体的制备方法包括如下步骤：S1、将硝酸铝和硝酸钇按摩尔比5：2.5-3加入水中，形成原料溶液；S2、将尿素加入原料溶液中，形成混合溶液；S3、将氮化硅粉体加入混合溶液中，形成混合物；S4：对混合物进行热处理，热处理温度为25-99℃，热处理后进行固液分离，得到的固体干燥物为氮化硅复合粉体。本发明的氮化硅复合粉体的制备方法，不仅工艺简单而且PH值容易控制，便于推广，此外，在氮化硅表面包覆形成的纳米级烧结助剂均匀。
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公开(公告)号：CN105601282A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201511008356.0
申请日：2015-12-28
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/626 , C04B35/65
CPC classification number: C04B35/591 , C04B35/62605 , C04B35/6266 , C04B35/65 , C04B2235/3826 , C04B2235/428 , C04B2235/77 , C04B2235/96
Abstract: 一种氮化硅基陶瓷复合材料的制备方法，属于材料技术领域。该方法按以下步骤进行：(1)制备碳源和Si3N4混合模压物料：碳源、Si3N4粉末和无水乙醇按比例混合均匀后，去除无水乙醇；(2)制备Si3N4基素坯：在模具中，将碳源和Si3N4混合模压物料模压成形；(3)制备氮化硅基陶瓷复合材料：将硅颗粒放置于Si3N4基素坯的上表面，在真空加热炉内升温并保温制得氮化硅基陶瓷复合材料。本发明的方法步骤简单、温度要求低，在较低制备成本的条件下能够获得致密度高的氮化硅陶瓷复合材料，在制备过程中样品尺寸变化
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公开(公告)号：CN103979605B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410231843.2
申请日：2014-05-27
Applicant: 东北大学
IPC: C01G23/053
Abstract: 本发明涉及介孔材料领域，特别涉及一种介孔二氧化钛材料及其制备方法。本发明提供的介孔二氧化钛材料，孔径为10-30nm，比表面积为63-235m2/g，孔体积为0.55-1.02cm3/g，与现有的介孔二氧化钛材料相比，比表面积、孔径和孔体积均有大幅提升；制备方法为通过钛酸与双氧水得到过氧化钛酸溶胶，自组装体系由氧化钛酸溶胶与表面活性剂组成，将自组装体系烘干后焙烧即可得到介孔二氧化钛材料，方法简单易行；并且整个制备过程不涉及其他有机络合剂或无机添加剂以及矿物酸的使用，制备体系本身为纯水体系，不依赖于其他任何非极性或弱极性溶剂；另外，所得的过氧化钛酸溶胶在室温较稳定，控制过程较简单。
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