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公开(公告)号：CN111834279A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010604763.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/683 , H01L37/02
Abstract: 本申请提供一种临时键合方法，包括：提供临时载片，临时载片采用热释电材料制得；将绝缘层的第一表面覆于临时载片上；对绝缘层的第二表面进行平坦化处理，第二表面远离第一表面；对半导体晶圆片与经平坦化处理后的绝缘层的第二表面在第一条件下进行键合，形成第一键合整体；对第一键合整体进行升温处理，使得绝缘层的第二表面与半导体晶圆片完全键合形成第二键合整体；在此基础上，本申请还提供一种解键合方法、载片结构及应用；本申请利用热释电材料实现对半导体晶圆片的临时键合，方法简单无需增加临时键合过渡层或涂敷绝缘胶层，不仅避免了半导体晶圆片的脏污；而且能够极大地提高半导体晶圆片器件工艺的一致性，有利于提高产品良率。
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公开(公告)号：CN111817678A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010631496.8
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种单片式混合集成声波谐振器阵列及其制备方法，声波谐振器阵列包括支撑衬底；位于支撑衬底上表面的压电层；压电层包括多个厚度不相同的区域；压电层与支撑衬底接触的一面平整或压电层远离支撑衬底的一面平整；位于压电层上表面的叉指电极阵列；叉指电极阵列中几何特征相同的多个叉指电极与多个厚度不相同的区域一一对应；叉指电极阵列中几何特征不同的多个叉指电极在压电层上的对应区域的厚度相同；且几何特征不同的多个叉指电极对应的多个目标声波模式不同。本申请中声波谐振器阵列的工作频率可以同时覆盖低频、中频和高频频段，如此，可以解决实际应用中需要将分立声波谐振器进行系统级集成导致的工艺、设计复杂等问题。
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公开(公告)号：CN111751927A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010717348.8
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明涉及半导体领域和光电集成领域，具体是一种可调光栅耦合器，包括自上而下依次设置的波导层、介质层和衬底层；所述波导层的材料为电光材料，所述波导层的一端形成有耦合光栅；所述耦合光栅两侧均设置有多个电极，所述耦合光栅一侧的电极与另一侧的电极一一对应设置，形成多个电极对；每个所述电极对的两个电极之间的电压能够单独进行调节，通过调节所述电极对的两个电极之间的电压能够调节所述电极对之间的耦合光栅的耦合系数，从而调节所述耦合光栅的衍射光场的模场分布，以使得所述衍射光场的模场分布与耦合光纤的模场分布相匹配。本发明可以根据耦合光纤的尺寸动态调节耦合光栅衍射光场的模场分布，提高光栅耦合器的耦合效率。
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公开(公告)号：CN111564534A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010264527.0
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种单光子源的制备方法及单光子源和集成光学器件，本发明通过在SiC晶圆 面形成氧化硅保护层；在氧化硅保护层上制备掩膜；对SiC晶圆进行离子注入形成缺陷层；去除掩膜；将注入结构沿氧化硅保护层表面与另一带介质层的衬底键合；对键合结构退火；对剥离得到的表面SiC薄膜做后处理，再进行离子注入的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上，有利于避免注入损伤，有效克服了现有的SOI工艺制备的SiC薄膜因离子注入缺陷造成薄膜质量差、无法制备单光子源以及光损耗严重的问题，得到的单晶SiC薄膜和可控单光子源阵列具有高均匀性，高质量性，有利于制备高性能SiC基集成光学器件。
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公开(公告)号：CN111540710A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010393159.X
申请日：2020-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/67 , H01L23/373 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，其包括如下步骤：S1，提供生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构，该生长有氮化镓的硅基异质集成碳化硅单晶薄膜结构包括氮化镓单晶薄膜、碳化硅单晶薄膜和第一硅支撑衬底；S2，通过柔性衬底或硬质衬底将氮化镓从第一硅支撑衬底转移到金属衬底上以得到高导热氮化镓高功率HEMT器件，该高导热氮化镓高功率HEMT器件包括氮化镓器件、碳化硅单晶薄膜和金属衬底。根据本发明的高导热氮化镓高功率HEMT器件的制备方法，通过转移将氮化镓转移到高绝缘高导热的金属衬底上，从而使得碳化硅单晶薄膜上生长的氮化镓器件在长时间工作状态下保持其器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111431501A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010245302.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种兰姆波谐振器及其制备方法，该兰姆波谐振器包括支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层；支撑衬底、反射层、第一压电膜、第二压电膜和电极层依次层叠连接；第一压电膜和第二压电膜配合能够消除或减小激发高阶兰姆波不需要的压电系数。本申请实施例提供的兰姆波谐振器通过设置两层不同晶体取向的压电膜，在一定范围内定量调控压电材料的弹性常数和压电常数，减小与低阶模的激发相关的压电常数，从而在保证高阶模的谐振频率和机电耦合系数的同时，使得低阶模被有效抑制，避免了在高阶模兰姆波滤波器的通带外存在其它低阶模所引起的不必要的通带。
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公开(公告)号：CN111383915A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811619162.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底及第二衬底，第一衬底具有第一键合面，第二衬底具有第二键合面，将第一键合面与第二键合面在键合温度下进行键合处理；在退火处理温度下进行退火处理；进行冷却处理，以降温至第一温度，第一温度低于键合温度；调整上步得到结构的温度至室温，以得到由处理后的第一衬底及第二衬底构成的异质键合结构。本发明提供一种异质键合结构的制备方法，在进行退火处理加固之后，对加固后的结构进行冷却处理，冷却至键合温度以下，从而使得冷却处理过程中产生与加热过程中相反的热应力，降低了异质键合结构内部的残余热应力，从而可以降低因应力引发的键合结构的翘曲。
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公开(公告)号：CN110880920A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201811035898.0
申请日：2018-09-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质薄膜结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底，具有相对的第一表面及第二表面；自第一表面进行第一离子注入，形成第一缺陷层，自第二表面进行第二离子注入，形成第二缺陷层；提供具有第一键合面的第二衬底及具有第二键合面的第三衬底，将第一键合面与第一表面键合，第二键合面与第二表面键合；剥离第一衬底，在第二衬底上形成第一剥离层，在第三衬底上形成第二剥离层，获得第一异质薄膜结构以及第二异质薄膜结构，本发明采用双面进行离子注入和进行双面键合的方式，解决了异质衬底制备中，由于热失配导致的键合晶圆解键合甚至碎裂的问题，提高了衬底的产量以及效率，本发明的方案为高效声表面波滤波器的制备提供衬底支持。
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公开(公告)号：CN110632687A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810651434.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可调控电磁波吸收的超材料晶体结构及制备方法，制备包括：提供闪耀光栅衬底，表面形成有周期排布的锯齿状阵列结构，包括具有第一倾角的第一槽面及具有第二倾角的第二槽面；于闪耀光栅衬底上形成交替多层膜结构，包括若干个超材料结构单元，包括第一等效介电常数单元和第二等效介电常数单元，二者之间形成电磁波吸收界面，本发明的超材料晶体结构可按需调控电磁波的吸收，可以通过调控超材料晶体结构支持的界面波矢，所述多层膜的材料参数和光栅的闪耀角，可精确调控电磁波的特征吸收峰；通过调控超材料晶体结构的周期P，即光栅常数，可有效调控电磁波的吸收系数，可针对不同频段的电磁波的吸收调控，无需重新设计超材料晶体结构。
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公开(公告)号：CN110601674A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910925098.4
申请日：2019-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H3/10
Abstract: 本发明提供一种高频声波谐振器及其制备方法，高频声波谐振器至少包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上表面的图案化介质层；位于所述图案化介质层表面的压电膜；位于所述压电膜表面的图案化上电极。本发明的高频声波谐振器及其制备方法，通过在压电膜下方形成图案化介质层，可极大减少压电膜中传播的高频声波能量向衬底泄露，从而形成高频谐振，并使高频声波谐振器保持较高的Q值，并且由于图案与介质材料的可调整性，使得高频声波谐振器综合性能可以根据实际情况进行参数选择。
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