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公开(公告)号：CN102414760B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980159045.0
申请日：2009-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 岩田高明
CPC classification number: G21K1/093 , A61N5/1031 , A61N5/1043 , A61N2005/1087
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现高精度的射束照射位置的粒子射线照射装置。包括逆映射单元，该逆映射单元具有逆映射数学模型，该逆映射数学模型基于照射对象的带电粒子束的目标照射位置坐标，来生成实现该照射的扫描电磁铁的指令值及带电粒子束的动能的指令值，根据基于照射对象的带电粒子束的目标照射位置坐标、使用所述逆映射数学模型而生成的所述指令值，来控制上述扫描电磁铁及带电粒子束的动能，以将带电粒子束进行扫描，来照射至照射对象。
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公开(公告)号：CN102470255A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980160948.0
申请日：2009-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 岩田高明
IPC: A61N5/10
CPC classification number: A61N5/1069 , A61N5/1043 , A61N5/1048 , A61N2005/1087 , G21K1/093
Abstract: 本发明的目的在于获得可消除扫描电磁铁的磁滞影响且可实现高精度射束照射的粒子射线照射装置。包括：磁场传感器(20)，该磁场传感器(20)对扫描电磁铁(3)的磁场进行测定；以及照射控制装置(5)，该照射控制装置(5)基于由磁场传感器(20)所测定的测定磁场(Bs)及带电粒子束(1b)的目标照射位置坐标(Pi)，对扫描电磁铁(3)进行控制。照射控制装置(5)具有：逆映射单元(22)，该逆映射单元(22)根据带电粒子束(1b)的目标照射位置坐标(Pi)运算出目标磁场(Bi)；以及补偿器(23)，该补偿器(23)输出对扫描电磁铁(3)的控制输入(Io)，该控制输入(Io)将目标磁场(Bi)与测定磁场(Bs)的磁场误差(Be)控制在规定的阈值以下。
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公开(公告)号：CN102214494A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110087462.8
申请日：2011-03-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 岩田高明
CPC classification number: A61N5/1081 , A61N5/10 , A61N5/1031 , A61N5/1044 , A61N5/1045 , A61N5/1048 , A61N2005/1087 , A61N2005/1095 , G21K1/043 , G21K1/10 , G21K2201/00
Abstract: 若想照原样将X射线等放射线治疗装置中的IMRT技术应用到现有的具有摆动系统的粒子射线治疗装置中，则存在必须使用多个团块的问题。本发明的目的在于解决粒子射线治疗装置中的IMRT的过量照射问题。更具体而言，通过不使用团块而提高深度方向上的照射自由度，从而解决粒子射线治疗装置中的IMRT的过量照射问题。本发明的目的在于提供一种粒子射线照射装置(58)，该粒子射线照射装置(58)包括扫描照射系统(34)，并安装于使带电粒子束(1)的照射方向旋转的旋转机架，所述扫描照射系统(34)将由加速器进行了加速的带电粒子束(1)进行扫描，粒子射线照射装置(58)包括柱状照射区生成装置(4)，该柱状照射区生成装置(4)扩大带电粒子束(1)的布喇格峰值，来生成柱状的照射区。
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公开(公告)号：CN101309770B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200580052095.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: B23H7/02
Abstract: 本发明涉及对太阳能电池用硅等的不良导体的线放电加工方法，和基于该线放电加工方法的半导体晶片制造方法以及太阳能电池用单元制造方法。本发明提供通过在线电极上施加脉冲宽度大于等于1μsec且小于等于4μsec、并且线电极在加工时的峰值电流大于等于10A且小于等于50A的脉冲电压，在上述线电极与加工对象物之间发生放电脉冲，对大于等于0.5Ω·cm且小于等于5Ω·cm的高电阻率硬脆材料进行放电加工的方法。
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