-
公开(公告)号:CN114664367A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202111227999.X
申请日:2021-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法以及执行该方法的存储设备。在预测非易失性存储器件的剩余寿命的方法中,执行读取序列。所述读取序列包括多个读取操作,所述多个读取操作中的至少一个读取操作被顺序地执行,直到成功地得到所述非易失性存储器件中存储的读取数据。生成序列类别和纠错码(ECC)解码信息。基于所述序列类别和所述ECC解码信息中的至少一者确定所述非易失性存储器件的寿命阶段。当确定所述非易失性存储器件对应于第一寿命阶段时,执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的粗略预测。当确定所述非易失性存储器件对应于所述第一寿命阶段之后的第二寿命阶段,执行对所述非易失性存储器件的所述剩余寿命的精细预测。
-
公开(公告)号:CN107634764B
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN201710590347.X
申请日:2017-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M13/11
Abstract: 本申请提供一种解码器和包括该解码器的存储控制器。该解码器包括:通道映射器,其配置为基于硬判决信息和软判决信息生成多个通道接收值;强错误检测器,其配置为使用多个校验节点消息和通道接收值确定强错误是否发生,并且根据确定结果校正通道接收值以产生经校正的通道接收值;变量节点单元,其配置为使用校验节点消息和经校正的通道接收值产生多个变量节点消息;以及校验节点单元,其配置为使用变量节点消息产生校验节点消息。变量节点单元包括多个变量节点,并且校验节点单元包括多个校验节点。
-
公开(公告)号:CN114257365A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202110665713.X
申请日:2021-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L9/00
Abstract: 公开了加密装置、加密装置的操作方法和存储控制器。所述加密装置包括:参数生成电路,被配置为基于运算方案来生成包括初始有效位的数量的加密参数;加密电路,被配置为:基于加密参数,通过对从外部接收的明文进行加密来生成密文;运算电路,被配置为:通过根据运算方案对密文执行多个运算来生成最终密文,并且将对最终密文执行的运算的历史信息标记到最终密文;和解密电路,被配置为:通过对最终密文进行解密来生成解密的明文,并且基于历史信息输出解密的明文的可靠位的数量。
-
-
公开(公告)号:CN113810169A
公开(公告)日:2021-12-17
申请号:CN202110143171.X
申请日:2021-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了同态加密装置及其密文算术方法。所述同态加密装置包括重新加密参数生成电路、重新加密电路和算术电路。重新加密参数生成电路被配置为:基于包括关于多个密文之间的算术调度的信息的算术场景,生成包括分别针对所述多个密文的多个重新加密等级的重新加密参数。重新加密电路被配置为:基于重新加密参数,通过将所述多个密文中的每个重新加密到相应的重新加密等级,来生成多个重新加密的密文。算术电路被配置为:根据算术场景,通过经由使用所述多个重新加密的密文执行操作来输出算术结果。
-
公开(公告)号:CN113609495A
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN202110399828.9
申请日:2021-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种同态加密处理设备,该同态加密处理设备包括被配置成基于领域信息生成密文运算级别信息的处理电路。领域信息表示应用同态加密处理的技术领域。密文运算级别信息表示在没有自举过程的情况下同态密文之间的乘法运算的最大数量。处理电路还被配置成基于密文运算级别信息选择和输出同态加密参数。处理电路还被配置成基于同态加密参数执行同态加密、同态解密和同态运算中的一个。同态加密处理设备可以根据基于领域信息确定的密文运算级别信息自适应地生成同态加密参数,并且可以基于同态加密参数执行同态加密、同态解密和同态运算。
-
公开(公告)号:CN113138948A
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN202011343822.1
申请日:2020-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储控制器、存储系统及操作存储控制器的方法。所述存储控制器包括并行输入通道、错误估计单元、判决单元、纠错单元和选择单元,所述并行输入通道被配置为用于同时从基本冗余存储器接收多个数据。所述错误估计单元通过估计所述多个数据的错误水平来生成错误信息。所述判决单元对所述多个数据执行逻辑运算以生成运算数据。所述纠错单元通过纠正所述运算数据的错误来生成纠错数据。所述选择单元基于所述错误信息选择所述运算数据和所述纠错数据之一。
-
公开(公告)号:CN113053441A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202011410313.6
申请日:2020-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据,并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时,存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置,从非易失性存储器装置接收第二数据,将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置,以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移,将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置,从非易失性存储器装置接收第四数据,以及基于第四数据执行软判决处理。
-
公开(公告)号:CN112395128A
公开(公告)日:2021-02-23
申请号:CN202010790981.X
申请日:2020-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器控制器的操作方法。该操作方法包括:接收第一读取数据和第二转换信息,第二转换信息包括通过基于线性运算转换第二读取数据而获得的数据,并且第一读取数据和所述第二读取数据包括从相同存储器单元读取的数据;基于线性运算转换第一读取数据以生成第一转换信息;对第一转换信息和第二转换信息执行逻辑运算以生成运算信息;对运算信息执行线性运算的逆运算以生成可靠性信息;以及基于第一读取数据和可靠性信息,纠正第一读取数据的错误。
-
-
-
-
-
-
-
-
-