公开(公告)号：CN110634874A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910525108.5

申请日：2019-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  洪祥准 ,  白石千

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：衬底；电极结构，包括顺序地堆叠在衬底上的栅电极；源极结构，在电极结构和衬底之间；垂直半导体图案，穿过电极结构和源极结构；数据存储图案，在垂直半导体图案的每个和电极结构之间；以及公共源极图案，在源极结构和衬底之间。公共源极图案具有比源极结构低的电阻率，并且通过源极结构连接到垂直半导体图案。

公开(公告)号：CN110634873A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910433308.8

申请日：2019-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白石千 ,  金洸秀

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/24

Abstract: 提供了三维半导体存储器装置。所述装置可以包括半导体层和在半导体层上的电极结构。电极结构可以包括第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构包括第一电极部分和第一垫部分，第二电极结构包括第二电极部分和第二垫部分。第一电极部分和第二电极部分中的每个具有第一宽度，第一垫部分和第二垫部分中的每个具有第二宽度，第二宽度可以小于第一宽度。第一电极部分和第二电极部分可以彼此间隔开第一距离，第一垫部分和第二垫部分可以彼此间隔开第二距离，第二距离可以大于第一距离。

公开(公告)号：CN110391174A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910130971.0

申请日：2019-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林根元 ,  李明根 ,  白石千 ,  朴庆晋

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成基底层。在基底层上形成结构层。该结构层包括至少一个材料层。在基底层上形成结构图案。结构图案包括在第一方向上延伸的第一沟槽和在垂直于第一方向的第二方向上延伸并具有交叉部分的第二沟槽。第二沟槽连接到第一沟槽。该结构图案还包括基底图案，该基底图案具有在第二沟槽的交叉部分处从基底层的表面向下凹陷的凹陷部分。

公开(公告)号：CN110364534A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910192768.6

申请日：2019-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千志成 ,  白石千

IPC: H01L27/11556 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11573

Abstract: 提供了一种垂直存储器装置和一种制造垂直存储器装置的方法。垂直存储器装置包括：栅极结构，包括第一栅电极且位于基底的外围电路区域上，基底包括单元区域和外围电路区域；多个第二栅电极，顺序地堆叠在基底的单元区域上，所述多个第二栅电极在相对于基底的上表面的竖直方向上彼此分隔开；沟道，在基底的单元区域上沿竖直方向延伸并且穿过所述多个第二栅电极中的至少一个第二栅电极延伸；以及第一绝缘夹层，覆盖在基底的外围电路区域上的栅极结构，第一绝缘夹层的在竖直方向上与栅极结构叠置的部分的上表面的在一个方向上的竖直剖面具有多边形的部分的形状。

公开(公告)号：CN110323226A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910196960.2

申请日：2019-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白石千 ,  金甫昌 ,  闵忠基 ,  朴志勋 ,  俞炳瓘

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：下栅电极，位于衬底上并彼此间隔开；上栅电极，位于下栅电极之上并彼此间隔开；R型焊盘，从下栅电极或上栅电极当中的至少一个电极的一端延伸，并具有比连接到该R型焊盘的下栅电极或上栅电极大的厚度；以及P型焊盘，从下栅电极或上栅电极当中的没有连接到R型焊盘的至少一个电极的一端延伸，并具有与R型焊盘不同的厚度，其中P型焊盘包括连接到下栅电极当中的最上面的下栅电极的第一焊盘。

公开(公告)号：CN110085594A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910074254.0

申请日：2019-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白石千 ,  李星勋

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：栅极堆叠结构，位于基体基底上，所述栅极堆叠结构包括在与基体基底的表面垂直的方向上堆叠并且彼此分隔开的栅电极；贯通区，贯穿栅极堆叠结构并且被栅极堆叠结构围绕；以及第一垂直通道结构和第二垂直通道结构，位于贯通区的两侧上并且贯穿栅极堆叠结构，其中，贯通区位于第一垂直通道结构和第二垂直通道结构之间。