公开(公告)号：CN114388502A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110651929.0

申请日：2021-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文铉 ,  姜明吉 ,  金完敦

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置可以包括：基底；有源图案，位于基底的上部中并且在第一方向上延伸；栅电极，与有源图案交叉并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一栅极间隔件，覆盖栅电极的侧表面；第一抑制层，位于栅电极与第一栅极间隔件之间；以及栅极绝缘层，位于栅电极与有源图案之间。栅极绝缘层可以包括高k介电层和栅极氧化物层。栅极氧化物层可以位于高k介电层与有源图案之间。高k介电层可以局部地设置在栅极氧化物层与栅电极之间。

公开(公告)号：CN113571581A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110106943.2

申请日：2021-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎一揆 ,  金旻怡 ,  姜明吉 ,  金真范 ,  李承勋 ,  赵槿汇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，从第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在第一有源图案上；第一栅电极，设置在第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和第一有源图案上。第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。

公开(公告)号：CN112466871A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202010940222.7

申请日：2020-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白尚训 ,  姜明吉 ,  朴在浩 ,  李昇映

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/118

Abstract: 一种集成电路包括第一有源区和第二有源区、在第一有源区和第二有源区上的第一标准单元和第二标准单元以及在第一标准单元和第二标准单元之间并包括第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物的填充单元。填充单元具有一个节距的尺寸。第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物彼此间隔开所述一个节距的尺寸。填充单元的第一绝缘隔离物设置在第一标准单元和填充单元之间的第一边界处。填充单元的第二绝缘隔离物设置在第二标准单元和填充单元之间的第二边界处。第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物将第一有源区的至少一部分分隔开，并将第二有源区的至少一部分分隔开。

公开(公告)号：CN110931430A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910534783.4

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昶佑 ,  姜明吉 ,  裴金钟 ,  裴东一 ,  梁正吉 ,  李相勋

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括：第一布线图案，在衬底上沿第一方向延伸；以及第二布线图案，在所述第一布线图案上。第二布线图案可以与第一布线图案间隔开并沿第一方向延伸。半导体器件还可以包括：第一栅极结构，至少部分地围绕所述第一布线图案和所述第二布线图案；第二栅极结构，沿第一方向与所述第一栅极结构间隔开；第一源/漏区，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间；第一间隔部，在所述第一源/漏区的底表面和所述衬底之间；第一源/漏接触，在所述第一源/漏区上；以及第二间隔部，在所述第一源/漏接触和所述第一栅极结构之间。

公开(公告)号：CN107452802A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710368551.7

申请日：2017-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明吉 ,  朴乘汉 ,  朴容喜 ,  白尚训 ,  李相遇 ,  千健龙 ,  黄成万

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明如下提供了一种垂直场效应晶体管。衬底具有沿着平行于衬底的上表面的第一方向布置的下部漏极和下部源极。鳍片结构安置于衬底上，并且从衬底的上表面垂直地延伸。鳍片结构包含沿着第一方向布置的第一端部和第二端部。鳍片结构的第一端部的底部表面和鳍片结构的第二端部的底部表面分别与下部漏极和下部源极重叠。鳍片结构包含具有下部侧壁区域、中心侧壁区域和上部侧壁区域的侧壁。栅极电极围绕鳍片结构的中心侧壁区域。

公开(公告)号：CN103378098A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310140963.7

申请日：2013-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴昌佑 ,  姜明吉 ,  郑荣采

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明公开了包括应力邻近效应的集成电路装置及其制造方法。一种集成电路包括衬底上的特定导电类型的第一FET和第二FET，其中第一FET的第一源极/漏极区域与第一FET的第一沟道区域的中心之间的距离小于第二FET的第二源极/漏极区域与第二FET的第二沟道区域的中心之间的距离。