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公开(公告)号：CN1812054A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510129719.6
申请日：2005-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/8232 , H01L21/8238 , H01L27/085 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/28088 , H01L21/823842
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。
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