公开(公告)号：CN109494296B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201710819247.X

申请日：2017-09-12

Applicant: 江西欧迈斯微电子有限公司

Inventor： 汪羽

IPC: H01L41/257 ,  G06V40/13

Abstract: 本发明涉及一种极化用治具及压电层的极化方法和超声波生物识别装置的制备方法。该极化用治具用于安装在待极化件，该极化用治具包括导电托盘、掩模和电连接组件。导电托盘用于安装待极化件，导电托盘能够与地线连接；掩模能够盖设在导电托盘上，掩模能够遮盖导电托盘中的待极化件，而使压电层露出，且掩模能够与压电层共同配合以完全遮盖电路层，掩模的材质为聚醚酰亚胺塑料；电连接组件安装在掩模上，电连接组件能够电连接电路层和导电托盘，当掩模盖设在导电托盘上时，电连接组件位于掩模朝向导电托盘的一侧。使用该极化用治具能够使压电层的极化方法操作简单，且能够使压电层在薄膜晶体管上实现有效的极化。

公开(公告)号：CN114503294A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080067016.8

申请日：2020-12-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木诚志

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/257 ,  H01L41/187 ,  H01L41/083 ,  H01L41/273

Abstract: 压电元件(1)具备：包含压电陶瓷材料的压电素体(3)、和以相互对置的方式配置于压电素体(3)的第一电极(10)以及第二电极(20)。压电素体(3)通过第一电极(10)受到的应力大于压电素体(3)通过第二电极(20)受到的应力。压电素体(3)的极化方向是从第一电极(10)朝向第二电极(20)的方向。

公开(公告)号：CN114450811A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080065523.8

申请日：2020-12-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小野习仁

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/257 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/083

Abstract: 层叠压电元件具备包含压电陶瓷材料的压电素体、第一电极和第二电极。压电素体具有相互相对的第一主面以及第二主面。第一电极包含形成于第一主面上的外部电极。第二电极包含以与外部电极相对的方式形成于压电素体内的内部电极。压电素体在外部电极与内部电极之间包含活性区域，并且隔着内部电极在与活性区域相反的一侧包含非活性区域。压电素体从外部电极受到的应力大于压电素体从内部电极受到的应力。活性区域的极化方向是从外部电极朝向内部电极的方向。

公开(公告)号：CN114447208A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210109318.8

申请日：2022-01-28

Applicant: 厦门乃尔电子有限公司

Inventor： 姜旭宇 ,  王海圣 ,  余洋 ,  丁忆 ,  刘瑞林 ,  柯银鸿 ,  翁新全 ,  许静玲

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/33 ,  H01L41/257 ,  H01L41/29 ,  H01L41/08

Abstract: 本发明公开了一种压电陶瓷材料、制备方法及应用，该压电陶瓷材料以锆钛酸铅Pb(ZruTi1‑u)O3固溶体为主要成分，掺杂绿色氧化镍NiO、铬酸铅PbCrO4、五氧化二铌Nb2O5和氧化镧La2O3；在Pb(ZruTi1‑u)O3的A位掺杂或不掺杂锶离子代替部分的铅离子；压电陶瓷材料的化学通式为Pb1‑xSrx(ZruTi1‑u)O3+ywt％(NiO+PbCrO4)+zwt％(0.5La2O3+0.5Nb2O5)；其中，x＝0～0.2，y＝0.1～0.4，z＝0.1～0.4，u＝0.4～0.6。该压电陶瓷材料兼具高压电性能、高居里温度和低介电损耗的优点，在高温电子器件中具有实际应用价值。

公开(公告)号：CN113921693A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111381334.4

申请日：2021-11-21

Applicant: 西北工业大学 ,  钱塘科技创新中心

Inventor： 索涛 ,  唐瑞涛 ,  安昊 ,  侯兵

IPC: H01L41/257 ,  H01L41/193 ,  H01L41/35

Abstract: 本发明公开了一种高精度柔性压电薄膜材料局部极化方法，首先采用局部极化工艺，以平头圆形压头作为上下电极极化压头，压触薄膜；将薄膜分为A、B面，分别接触正负电极，以500V为初始电压，再以500V为梯度升压，在每个梯度电压上进行加载，直至电压升至5000V；然后再制备圆环形结构压头，消除边缘外晕极化区域：将薄膜A、B面分别接触正负电极，以500V电压为起始电压进行加载，直至电压增大至2000V，同时检测边缘外晕区域压电D33值，直至边缘区域D33值降为0。采用本发明方法极化得到的PVDF薄膜，能够精确控制极化区域。并且本发明采用正负电压交替极化，极化压电系数高，极化稳定性好。

公开(公告)号：CN110272270B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201910582277.2

申请日：2019-07-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨华斌 ,  刘笑 ,  黄蔚然 ,  孙媛媛 ,  陈巧红 ,  江民红 ,  张秀云

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187 ,  H01L41/257 ,  H01L41/29 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

Abstract: 本发明公开了一种具有低介电损耗及高温稳定性的铁酸铋‑钛酸钡基高温无铅压电陶瓷及其制备方法，其配方组成通式为(Bi1‑wMw)(Fe1‑tMe'''t)O3‑xBaTiO3+yBi(Me'0.5Me''0.5)O3+zBi(Zn0.5Ti0.5)O3+uNdCoO3+mP+nMnCO3，其中x、y、z、u、m、n、t、w表示摩尔分数，0

公开(公告)号：CN113782667A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111080675.8

申请日：2021-09-15

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 侯鹏飞 ,  张一鸣 ,  欧阳晓平

IPC: H01L41/253 ,  H01L41/257 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种基于衬底和辐照调控二维材料压电性能的方法，步骤为：将二维材料制备或者转移到不同类型衬底上，利用二维材料与衬底界面的夹持效应调控其压电性能；将二维材料暴露在离子辐照源下，基于离子辐照技术进一步调控二维材料纳米片的压电性能。本发明利用衬底和辐照调控二维材料压电性能，通过获得不同衬底上二维材料厚度、施加电压与振幅的关系，有效获得二维材料的压电常数。利用衬底和辐照调控二维材料压电性能，促进二维材料应用于薄机电耦合器件领域中，并根据实际需要调控压电性能。

公开(公告)号：CN111834519B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202010603630.3

申请日：2020-06-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  李忠旭 ,  黄凯 ,  赵晓蒙 ,  李文琴 ,  鄢有泉 ,  陈阳

IPC: H01L41/257 ,  H01L41/332 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法，属于半导体制造技术领域。本发明的提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法，根据支撑衬底上的单晶压电薄膜的厚度分布进行极化处理，在第一厚度区形成第一极化面，在厚度比该第一厚度区薄的第二厚度区形成第二极化面，第一极化面与第二极化面的极性相反，利用压电单晶材料的各向异性特性，在相同的腐蚀液下，对厚度较厚区域的极化得到的第一极化面实现较快的腐蚀速率，对厚度较薄区域极化得到的第二极化面实现较慢的腐蚀速率，从而实现单晶压电薄膜不同极化面的差异化腐蚀。相对于现有技术，本发明可以实现对单晶压电薄膜厚度均匀性的优化，大大提高了单晶压电薄膜厚度的均匀性。

公开(公告)号：CN113678471A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080024574.6

申请日：2020-03-27

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 三好哲

IPC: H04R17/00 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/257

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在超过50℃的高温环境下具有优异的可挠性，在常温下也显示良好的可挠性的压电薄膜、将该压电薄膜层叠而成的层叠压电元件及使用该压电薄膜或层叠压电元件的电声换能器。通过压电薄膜解决上述课题，所述压电薄膜具有将压电体粒子分散于包含高分子材料的基体中而成的高分子复合压电体和高分子复合压电体的两面的电极层，由动态粘弹性测量得到的在频率1Hz下的损耗角正切在超过50℃且150℃以下的温度范围内存在达到0.1以上的极大值，在50℃下的值为0.08以上。

公开(公告)号：CN113659068A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110951639.8

申请日：2021-08-17

Applicant: 徐州领测半导体科技有限公司

Inventor： 吴龙军

IPC: H01L41/047 ,  H01L41/08 ,  H01L41/187 ,  H01L41/257 ,  H01L41/335

Abstract: 一种高可靠性的压电半导体及其制备方法，所述压电半导体包括压电陶瓷、聚合物、叉指电极，所述压电陶瓷先通过切割机切割成阵列结构，然后通过聚合物对阵列结构进行填充并且同时将其置于呈镜面对称的2片叉指电极之间进行封装，得到压电复合材料，所述压电复合材料进行极化处理后得到压电半导体；所述压电陶瓷为(0.994‑x)(K0.4Na0.6)Nb0.965Sb0.04503‑0.006BiFe03‑xBi0.5Na0.5ZrO3陶瓷,其中，x=0.01‑0.05；所述聚合物为Dp‑460环氧AB胶、JH灌浆树脂、Adbest 360l、电子灌封胶GF‑5中的一种。本发明所述的高可靠性的压电半导体及其制备方法，结构设计合理，制备方法简单，厚度薄、重量轻、柔韧度高，由叉指电极、聚合物填充的压电陶瓷、叉指电极组成的压电半导体，具有更好的温度稳定性以及热老化稳定性和经时稳定性，应用前景广泛。