公开(公告)号：CN109509796A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811603648.2

申请日：2018-12-26

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 霍亭亭 ,  张树德 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  胡党平

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于单晶PERC电池的制备技术领域，具体涉及一种用于P型单晶PERC电池的背面钝化膜及背面镀膜方法。该背面钝化膜包括PERC电池背面由内向外依次沉积的氧化铝层、SiNx层和SiOXNY层。本发明专利在原有的Al2O3/SiNx镀膜层基础上，在最外层增加了SiOXNY层。试验例测试结果表明，在P型单晶PERC电池上使用原来的背钝化膜Al2O3/SiNx，厚度为4nm/100nm时，电池对光的总吸收率为74.1％；当使用本发明实施例1提供的背面钝化膜Al2O3/SiNx/SiOXNY，电池对光的总吸收率为92.8％；同时，该钝化膜层可起到保护作用，提高了短路电流，提升电池效率。

公开(公告)号：CN108398241A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810087225.3

申请日：2018-01-30

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 张树德 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞

IPC: G01M11/02

Abstract: 本发明公开了一种脉冲太阳模拟器对高效晶硅电池测试的适用性评判方法，其避免使用稳态太阳模拟器解决硬件条件问题，简化评判过程，减少评判耗时。包括如下步骤：A、将高效晶硅电池放置于待评判的脉冲太阳模拟器的样品位处；B、调整所述脉冲太阳模拟器的电压扫描方向为正向，测试所述高效晶硅电池的光电转换性能，获得正向扫描最高功率Pmax正向；C、调整所述脉冲太阳模拟器的电压扫描方向为反向，测试所述高效晶硅电池的光电转换性能，获得反向扫描最高功率Pmax反向；D、计算所述正向扫描最高功率Pmax正向和所述反向扫描最高功率Pmax反向的差值Δ；E、根据所述差值Δ评判所述脉冲太阳模拟器对高效晶硅电池测试的适用性。

公开(公告)号：CN113555470B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202110826671.3

申请日：2021-07-21

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院

Inventor： 张树德 ,  刘玉申 ,  况亚伟 ,  连维飞 ,  倪志春

IPC: H10F71/00 ,  H10F10/14 ,  H10F77/20

Abstract: 本申请公开了一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，该方法包括获得正面依次层叠有钝化层和减反层的硅基体；对钝化层和减反层对应正电极的区域进行开孔；开孔深度等于钝化层和减反层的厚度之和；采用电镀法在开孔区域沉积铝形成铝电极，得到电池结构体；对电池结构体进行退火处理，铝电极和硅基体发生共晶反应，在硅基体对应铝电极的区域形成铝重掺杂区域；在硅基体的背面制备钝化接触结构和背电极，得到太阳能电池。本申请用电镀法在开孔区域沉积铝，通过退火时铝和硅发生共晶反应对硅基体进行局部重掺杂，无需复杂的掩膜工艺、高温扩散、高精度对准，制备过程简单，且不会影响硅基体的体少子寿命；铝电极宽度窄，减小对硅基体正面的遮光面积。

公开(公告)号：CN114695573B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202011644553.2

申请日：2020-12-31

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  连维飞 ,  张树德 ,  符欣 ,  魏青竹 ,  倪志春

IPC: H10F71/10 ,  H10F10/166 ,  H10F77/20

Abstract: 本发明涉及了一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法，钝化接触栅线的太阳能电池结构，包括：p型硅基底层；正面电极，设于所述p型硅基底层上表面的栅线区域；钝化隧穿结构层，设于所述p型硅基底层、所述正面电极两者之间，所述钝化隧穿结构层包括由下至上依次堆叠设置的氧化硅隧穿层与掺杂多晶硅层；以及正面电池结构，包括：n++扩散层，所述n++扩散层堆叠设置于所述p型硅基底层上、且位于所述p型硅基底层上表面的非栅线区域。通过上述设置，可解决目前poly‑finger技术制备工艺难度大、poly‑finger结构的隧穿接触效果较差导致电池性能较差的问题。

公开(公告)号：CN111477696B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202010265825.1

申请日：2020-04-07

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  时宝 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  符欣

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明公开了一种基于钝化接触的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺。一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，所述太阳能电池片还包括：第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。

公开(公告)号：CN113555469B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202110825240.5

申请日：2021-07-21

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  常熟理工学院

Inventor： 张树德 ,  刘玉申 ,  况亚伟 ,  连维飞 ,  倪志春

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

Abstract: 本申请公开了一种背部钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，该方法包括在硅片的背面沉积隧穿氧化层；按照远离硅片的方向，在隧穿氧化层的表面依次交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层，形成层叠膜层；层叠膜层的最后一层为掺杂多晶硅层；激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子，并使掺杂原子向本征多晶硅层扩散，以使层叠膜层成为完整的掺杂型膜层，得到钝化接触结构。本申请中交替沉积本征多晶硅层和掺杂多晶硅层形成层叠膜层，激活掺杂多晶硅层中的掺杂原子，使掺杂原子向本征多晶硅层中扩散，使层叠膜层各处均掺杂有掺杂原子，由于层叠膜层中制备有本征多晶硅层，本征多晶硅层的沉积速度很快，所以在掺杂型膜层厚度相同的条件下，制备时间缩短。

公开(公告)号：CN109449221B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201811629271.8

申请日：2018-12-28

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 ,  苏州大学 ,  常熟理工学院

Inventor： 张树德 ,  丁可 ,  钱洪强 ,  魏青竹 ,  倪志春 ,  连维飞 ,  揭建胜 ,  张晓宏

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种石墨烯晶硅太阳电池，包括硅片及设置于所述硅片表面的正极栅线，所述正极栅线包括多条相互平行的主栅及垂直于所述主栅的副栅；还包括石墨烯透明导电层，所述石墨烯透明导电层至少覆盖在所述副栅的表面。本发明相较于现有技术，在晶硅太阳电池上叠加石墨烯透明导电层，石墨烯具备透过率高，导电性好的优点，石墨烯与主栅、副栅形成良好的电气接触，从而充分利用石墨烯横向导电性好的优点，部分载流子通过石墨烯传输给主栅，减小副栅的载流子传输损耗；同时相比传统太阳电池可以减少副栅的排布数量，增加受光面积，提高电池短路电流和光电转换效率。

公开(公告)号：CN114695587A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011611924.7

申请日：2020-12-30

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  张树德 ,  符欣 ,  连维飞 ,  魏青竹 ,  倪志春

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/074

Abstract: 本发明涉及了一种高效异质结电池结构，由下至上依次堆叠设置有：背面电池结构；中间电池结构，设有n型单晶硅层；以及正面电池结构，包括由下至上依次堆叠设置的本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层、p型掺杂非晶硅层以及TCO层。通过上述设置，可解决目前N‑Topcon电池结构中由于结构天然缺陷导致正面复合问题较大带来的电池效率偏低、无法继续突破的问题。

公开(公告)号：CN112531052B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202011606801.4

申请日：2020-12-28

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 赵保星 ,  张树德 ,  符欣 ,  连维飞 ,  魏青竹 ,  倪志春

IPC: H01L31/0376 ,  H01L31/072 ,  H01L31/20

Abstract: 本申请涉及一种异质结电池结构及其制备方法，该异质结电池结构包括自下而上依次设置的底电极、背面透明导电膜层、n型掺杂非晶硅层、背面本征非晶硅层、背面本征非晶硅缓冲层、n型单晶硅片、正面本征非晶硅缓冲层、正面本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、正面透明导电膜层以及顶电极。异质结电池结构及其制备方法该大幅提升非晶硅/硅衬底界面的清晰度，提升钝化效果，进而提升电池开路电压以及开路电压相关的填充因子。

公开(公告)号：CN113659045A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110943834.6

申请日：2021-08-17

Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司

Inventor： 钱洪强 ,  张树德 ,  符欣 ,  连维飞

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 本申请公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法、异质结光伏组件，包括获得正面和背面均沉积有非晶硅膜层的硅片；在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；将硅片翻转180度，并在位于背面的非晶硅膜层的沿表面边缘覆盖掩膜；掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，包括端点值；在覆盖有掩膜的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层；在位于正面和所述背面的TCO膜层的表面制作电极，得到异质结太阳能电池。本申请先在位于正面的非晶硅膜层的表面沉积TCO膜层，然后翻转硅片，在位于背面的非晶硅膜层的表面覆盖掩膜，掩膜的宽度在0.05mm～0.5mm之间，掩膜遮挡宽度变窄，增加背面TCO膜层的面积，提升电池的效率。