公开(公告)号：CN103081327A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180038451.9

申请日：2011-06-07

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·格拉赫

IPC: H02M7/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H02K11/046 ,  H01L23/492 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725 ,  H01L2224/01 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2924/12032 ,  H02M7/003 ,  H02M7/06 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种整流器装置，其具有压入式二极管，所述压入式二极管包含肖特基二极管作为半导体元件。肖特基二极管在二极管损耗随温度增加而升高的工作区域中运行。

公开(公告)号：CN101091260B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200580037812.2

申请日：2005-10-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·格拉赫 ,  曲宁

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L29/8725

Abstract: 本发明涉及包括一个带有集成的PN二极管的沟槽-结-势垒-肖特基二极管的半导体装置(30)及其制造方法。

公开(公告)号：CN102598496A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080034432.4

申请日：2010-06-09

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·沃尔法思 ,  A·格拉赫

IPC: H02M7/06 ,  H01L29/872

CPC classification number: H02M7/06

Abstract: 整流器装置，尤其是用于发电机的整流器装置，所述整流器装置具有电桥装置，所述电桥装置具有可预给定数量的整流器元件，其中，至少一个整流器元件是具有至少在一可预给定的区域中与截止电压无关的特征曲线的整流器元件，并且例如负二极管中的至少一个被置于所述整流器中的温度升高的位置上。

公开(公告)号：CN100557823C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200580042013.4

申请日：2005-10-13

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·格拉赫

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/866

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明描述了半导体装置和用于其制造的方法，其中该半导体装置被构造为带有作为箝位元件的PN二极管的沟槽-肖特基-势垒-肖特基-二极管(TSBS-PN)并且相对于传统的TSBS元件具有附加的特性，该特征能够实现电特性的匹配。该TSBS-PN二极管用特定的制造方法制造并且在其物理特征上被这样设计，使得它们适于使用在用于机动车发电机的整流器中并且也可作为Z-二极管被运行。

公开(公告)号：CN118584492A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410228169.6

申请日：2024-02-29

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·格拉赫 ,  J·艾塞勒

IPC: G01S15/931

Abstract: 本公开包括一种借助至少一个超声波传感器对待探测的物体进行分类的方法，具有以下步骤：‑通过至少一个超声波传感器向物体发送第一信号；‑通过至少一个超声波传感器接收第二信号，其中第二信号为由物体反向散射的信号，‑将第二信号处理为数字信号；‑从数字信号中提取所选择的信号部段，其中所选择的信号部段为数字信号中的相关的且时间限制的时间片段；‑将所选择的信号部段变换为二维特征向量；‑将至少一个二维特征向量作为至少一个输入变量馈送到神经网络中；‑使用神经网络确定这一个物体的物体类别信息，其中神经网络基于至少一个输入变量产生输出变量，所述输出变量说明这一个物体的至少一个定义的物体类别的概率值。

公开(公告)号：CN117406205A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310870937.3

申请日：2023-07-14

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·格拉赫 ,  D·迈尔 ,  T·泽布罗夫斯基 ,  M·舒曼 ,  T·克劳斯

IPC: G01S7/521 ,  B81B7/02 ,  G01S15/04 ,  G01S15/08 ,  G01S15/931 ,  G01H11/06

Abstract: 电声转换器设备(100，200，300，400，500，600，700，800，900，1000，1100)其具有壳体(102)和至少一个微机电结构(105)，所述壳体具有至少一个空腔(103)，所述微机电结构布置在所述空腔(103)的底部(104)上。在所述微机电结构(105)的背离所述空腔(103)的底部(104)的上侧(106)上布置有至少一个活塞元件(107)。所述微机电结构(105)构造用于，激励所述活塞元件(107)进行振荡和/或探测所述活塞元件(107)的振荡。所述空腔(103)通过至少一个弹性的薄膜(109)遮盖，所述弹性的薄膜布置在所述壳体(102)的上侧(108)上并且固定在所述活塞元件(107)上。

公开(公告)号：CN107195691B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201710153397.1

申请日：2017-03-15

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·格拉赫

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/16

Abstract: 提出一种具有面式的阳极接触部(12)、面式的阴极接触部(14)、和由n型导电半导体材料制成的第一体积(16)的半导体设备(10)，所述第一体积具有阳极侧端部(16.1)和阴极侧端部(16.2)，并且所述第一体积在所述阳极接触部和所述阴极接触部之间延伸。至少一个p型导电区域(20)从所述第一体积的所述阳极侧端部(16.1)出发向所述第一体积的所述阴极侧端部延伸，而不到达所述阴极侧端部。所述半导体设备的特征在于，所述p型导电区域在横向于所述阳极接触部和所述阴极接触部的横截面中具有两个相互分开的部分区域(20.1，20.2)，所述部分区域限界所述第一体积的用n型导电半导体材料填充的第一部分体积(16.3)，其中，所述第一部分体积朝向所述阴极接触部敞开，所述开口(16.4)由所述部分区域(20.1，20.2)的阴极侧端部(20.3，20.4)限界，并且，所述两个部分区域(20.1，20.2)的限定所述开口(16.4)的间距小于在所述两个部分区域之间的、在所述开口外部存在着的并且位于所述部分区域(20.1，20.2)的阳极侧端部(20.5，20.6)之间的间距(24)。

公开(公告)号：CN110545928B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201880023296.5

申请日：2018-03-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·利布勒尔 ,  J·亨内贝格 ,  A·格拉赫

IPC: B06B1/06 ,  G10K11/00

Abstract: 根据本发明提出一种尤其用于超声传感器的声换能器(1)。所述声换能器(1)具有功能组(2)，其中，所述功能组(2)包括膜片罐形件(6)和至少一个电声换能器元件(3)。所述声换能器还具有壳体(5)。所述膜片罐形件(6)具有可振动膜片(8)、壁(7)以及至少一个电声换能器元件(3)，其中，所述换能器元件(3)构造用于激励所述膜片进行振动和/或将所述膜片的振动转换成电信号。所述膜片罐形件由塑料材料构成，其中，根据本发明，所述至少一个换能器元件集成到可振动膜片中，其中，所述换能器元件具有电活性聚合物。

公开(公告)号：CN105957901B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201610130285.X

申请日：2016-03-08

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： N·曲 ,  A·格拉赫

IPC: H01L29/872

Abstract: 本发明涉及具有沟槽‑肖特基‑势垒‑肖特基‑二极管的半导体装置(10)，其具有：第一导电类型的半导体体积(12)，所述半导体体积(12)具有敷设有金属层(14)的第一侧(16)以及至少一个在所述第一侧(16)中延伸并且至少部分地填充有金属的槽沟(18)。根据本发明，槽沟(18)的至少一个壁区段(56)和/或敷设有所述金属层(14)的第一侧(16)的位于所述槽沟(18)旁的至少一个区域(24)通过位于金属层(14)和半导体体积(12)之间的、由第二导电类型的第一半导体材料(26)制成的层分开。

公开(公告)号：CN112424942A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980047452.6

申请日：2019-06-26

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： H·鲍托尔夫 ,  A·格拉赫 ,  S·施魏格尔

IPC: H01L29/165 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有半导体衬底(2)的垂直功率晶体管(1)，所述半导体衬底包括第一半导体材料并且具有至少一个外延层(3)，其中，沟槽结构从所述半导体衬底(2)的表面延伸到所述至少一个外延层(3)的内部中，其特征在于，所述沟槽结构具有第一区域(13)，所述第一区域分别从沟槽底部延伸至相应沟槽的确定高度，其中，所述第一区域(13)包括第一部分区域，所述第一部分区域分别具有第一深度(t1)和第一宽度(w1)，其中，所述第一部分区域基本上垂直于所述半导体衬底(2)的表面延伸，其中，所述第一区域(13)包括第二部分区域，所述第二部分区域分别具有第二深度和第二宽度(w2)，其中，所述第二部分区域具有相对于所述半导体衬底(2)的表面的第一倾斜角度，其中，所述第一区域(13)包括第三部分区域，所述第三部分区域分别具有第三深度和第三宽度，其中，所述第三部分区域具有相对于所述半导体衬底(2)的表面的第二倾斜角度，其中，所述第一区域(13)与源接合部导电连接。