一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113066626B

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202110344567.0

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法和应用。该R‑T‑B系永磁材料包括如下质量含量的组分:R,28.5~32.0mas%;R为至少含有Nd的稀土元素;Cu,0.15~0.20mas%;Ga,≥0.60mas%;B,≥0.99mas%;Fe,64~68mas%;Zr,0.25~0.44mas%;N,0.20~0.60mas%;N为Ti、Nb和Hf中的一种或多种;百分比为各组分质量占R‑T‑B系永磁材料总质量的质量百分比。本发明中R‑T‑B系永磁材料的重稀土元素分布均匀,且磁体性能优异、性能均一。

    一种钕铁硼磁体及其制备方法
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115083708A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202110262716.9

    申请日:2021-03-10

    Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法。该钕铁硼磁体包含主相晶粒及其壳层和邻接所述主相晶粒的富Nd相;所述主相晶粒包含Nd2Fe14B;或者,所述主相晶粒包含Nd2Fe14B和Pr2Fe14B;所述壳层包含(Nd/Dy)2Fe14B和/或(Nd/Tb)2Fe14B;所述壳层的厚度为0.1~6μm;所述富Nd相中包含R6Fe13B相,所述R为Nd、Pr、Dy和Tb中的一种或多种。本发明的方法有效减少了重稀土元素往主相中的扩散量,形成更薄的重稀土壳层,且能进一步优化提升磁体的高温性能。

    含有Tb和Hf的R-Fe-B系烧结磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN109192426A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201811029506.X

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种含有Tb和Hf的R-Fe-B系烧结磁体及其制备方法,所述烧结磁体的表面区域和内部区域分布有包含芯部和外壳部的R2Fe14B型主相晶粒,所述外壳部的Tb含量高于所述芯部中的Tb含量,所述烧结磁体的结晶晶界中具有Hf含量为0.1wt%以上、3.0wt%以下的富Hf区域,所述富Hf区域在所述结晶晶界中呈均一分散的分布,并占所述烧结磁体的5.0vol%-11.0vol%。该烧结磁体具有较好高温稳定性能及常温的磁性能,制备工艺方便可控,设备简单,易于工业化生产。

    钕铁硼磁体及其制备方法
    65.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116844811A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310703462.9

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明提供钕铁硼磁体及其制备方法。所述钕铁硼磁体至少包含下列组分:小于或等于30.0重量%的RL,所述RL为轻稀土元素;0.3‑0.5重量%的Zr;0.3‑0.5重量%的Ga;余量的Fe;其中重量%为所述钕铁硼磁体中各组分的重量占所有组分的总重量的百分比,并且所述钕铁硼磁体中的晶粒的圆度为0.4以上。根据本发明的技术方案,通过优化钕铁硼磁体中各个组分的类型和特定含量范围并且特别地控制晶粒的圆度在特定的范围内,可以制备出同时具有优良的剩磁、矫顽力和方形度等磁性能的磁体材料。此外,通过采用重稀土元素(例如,Tb)对以上所述的钕铁硼磁体进行晶界扩散处理,能够使得钕铁硼磁体的矫顽力和高温磁性稳定性大幅提高。

    钕铁硼基材
    66.
    发明公开
    钕铁硼基材 审中-实审

    公开(公告)号:CN116453792A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310484365.5

    申请日:2023-04-29

    Abstract: 本公开涉及钕铁硼基材,所述基材为烧结态,其中所述基材平行于易磁化方向与垂直于易磁化方向晶界面积分数差异≤1%。在本公开的实施方案中,本公开的钕铁硼基材通过将由原料钕铁硼合金粉末与由R与M组成的合金粉末混合得到的粉末组合物烧结得到,其中R与M的质量比为x:(100‑x),R为Nd、Pr中的一种或多种,M为Cu、Al、Ga、Zn中的一种或两种以上的组合,x为R的质量分数且0≤x≤90。在本公开的实施方案中,本公开的基材能够用于进一步制造具有优异性能的稀土永磁材料。

    一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113066625B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202110327100.5

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法和应用。该R‑T‑B系永磁材料包括如下质量含量的组分:R,26.5~32.0mas%;R为至少含有Nd的稀土元素;Cu,0.58~0.65mas%;Ga,0.21~0.33mas%;B,≥0.99mas%;Fe,64.0~69.5mas%;N,0.15~1.2mas%;所述N为Zr、Ti、Nb和Hf中的一种或多种;百分比为各组分质量占所述R‑T‑B系永磁材料总质量的质量百分比。本发明中R‑T‑B系永磁材料的重稀土元素分布均匀,且磁体性能优异、性能均一。

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