公开(公告)号：CN102723355A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210220695.5

申请日：2012-06-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  蒋永恒 ,  蔡金勇 ,  范叶 ,  王沛 ,  王骁伟 ,  周坤 ,  王琦 ,  罗尹春 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有半导体器件在介质槽相对大间距、小密度情况下无法发挥高K介质作用问题，提供了一种槽栅半导体功率器件，其技术方案可概括为：槽栅半导体功率器件，其在半导体漂移区左右两侧增加了两个高K介质区，半导体漂移区中第一半导体区的两侧与两个第二半导体区相接触，两个高K介质区分别与两个第二半导体区的另一侧相接触。本发明的有益效果是，降低比导通电阻，提高耐压，适用于MOS器件或MOS控制的半导体器件。

公开(公告)号：CN206774552U

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201720523833.5

申请日：2017-05-11

Applicant: 电子科技大学 ,  电子科技大学广东电子信息工程研究院

Inventor： 罗小蓉 ,  孙涛 ,  黄琳华 ,  邓高强 ,  刘庆 ,  魏杰 ,  欧阳东法 ,  周坤 ,  张波

IPC: H01L29/739

Abstract: 本实用新型属于功率半导体技术领域，涉及一种具有载流子存储层的槽型SOI LIGBT。本实用新型相对于传统结构，具有以下几个特点：一、具有高浓度的载流子存储层，其在正向导通时起阻挡空穴的作用，使界面附近的空穴浓度增大，根据电中性原理，更多的电子注入漂移区，电导调制效应增强，进而降低器件的正向导通压降。同时，引入介质槽，在物理上阻挡空穴被阴极收集，起到进一步降低正向导通压降的作用，更重要的是，在正向阻断时起到辅助耗尽载流子存储层的作用，使得在高浓度载流子存储层的情况下器件保持高耐压；二、采用三栅结构，提高沟道密度；三、三栅结构与介质槽可以同时制作，无需额外的工艺步骤。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利