公开(公告)号：CN111313872A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010109926.X

申请日：2020-02-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  杨静萱 ,  谢华江 ,  冯全源 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军

IPC: H03K5/22

Abstract: 该发明公开了一种高分辨率低功耗的动态锁存比较器，应用的技术领域是逐次逼近型模数转换器。本发明利用MOSFET亚阈值特性，增大比较器的分辨率，提高比较器的精度，采用低电源电压供电，降低比较器整体功耗；与专利201910338368提出的动态锁存比较器相比，本发明提出的动态锁存比较器的分辨率更高，功耗更低，并且该动态锁存比较器使用于低供电电压的逐次逼近型模数转换器，而专利201910338368只能在标准供电电压条件下工作。

公开(公告)号：CN110708067A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910998717.2

申请日：2019-10-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  王琛 ,  李博川 ,  冯全源 ,  冯浪 ,  刁小芃 ,  岑远军

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/12

Abstract: 本发明公开了一种应用于模数转换器的双排序间隔选取的电容校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中混合电容电阻型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。本发明采用单位电容构成混合电容电阻型逐次逼近模数转换器的正负电容阵列，通过两次排序后间隔选取构成模数转换器的各级有效位最高有效位(MSB)、次高有效位(MSB－1)……最低有效位(LSB)、Dummy电容。相比于传统SAR ADC，在静态性能与动态性能上均有显著改善；相较于传统的模拟、数字校正算法，本发明提出的调整校正方法仅需进行两次排序，操作更为简单，大大地节省了面积和功耗。

公开(公告)号：CN110113050A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910367262.4

申请日：2019-05-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  雷鹏 ,  冯全源 ,  蔡经纬 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/46

Abstract: 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的失配误差校正方法。将电容DAC阵列的电容分割为单位电容阵列并将这些单位电容排序分为四组，在每一组间隔选取电容构成电容DAC阵列的MSB，MSB-1等电容。通过MATLAB仿真出传统校正算法以及新型校正算法的SNDR和SFDR等动态参数，得到新型校正算法进一步提升了SAR ADC的动态性能。

公开(公告)号：CN109286398A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811092418.4

申请日：2018-09-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  刘杨 ,  冯全源 ,  叶星宁 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军 ,  苏华英

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明公开了一种用于电流舵数模转换器校正的电流比较器及比较方法，应用于高速高精度的电流舵模数转换器,涉及一种电流比较方法。通过一组额外的电阻电容实现电流舵DAC的电流比较，无需单独的电流比较器，使电路变得更加简单，比较结果也更加准确。

公开(公告)号：CN108649800A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810552234.5

申请日：2018-05-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  程卫平 ,  冯全源 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军 ,  苏华英

IPC: H02M3/158

Abstract: 本发明公开了一种自适应斜坡补偿电路，属于DC-DC变换器领域。该补偿电路包括：第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜、控制电路、第一电阻、第二电阻，第一电压采样模块，第二电压采样模块；与传统自适应斜坡补偿电路相比较，本发明提出的自适应斜坡补偿电路精度更高功耗更小。