公开(公告)号：CN203675067U

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201420009948.9

申请日：2014-01-07

Applicant: 浙江大学城市学院

Inventor： 杭国强 ,  胡晓慧 ,  杨旸 ,  章丹艳 ,  周选昌 ,  刘承成

IPC: H03K3/3562

Abstract: 本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的差分型单边沿D触发器，包括差分结构的主触发器和差分结构的从触发器；所述主触发器由构成差分结构的两个PMOS管m3和m4，两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2构成；所述从触发器由构成差分结构的两个PMOS管m7和m8、两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6、两个反相器INV1和INV2构成。本实用新型的有益效果是：通过在n型浮栅MOS管中增加一个输入端就可以方便的控制电路的开关。差分结构的触发器由于具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点。运用n型浮栅MOS管下拉网络代替了传统差分型触发器中的nMOS逻辑电路，简化了下拉网络结构，从而进一步减小了电路的功耗。通过浮栅MOS管的运用，触发器中的置位端和复位端可以很方便的实现。

公开(公告)号：CN203608178U

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201320794404.3

申请日：2013-12-04

Applicant: 浙江大学城市学院

Inventor： 胡晓慧 ,  杭国强 ,  周选昌 ,  杨旸 ,  章丹艳 ,  尤肖虎

IPC: H03K19/20

Abstract: 本实用新型公开了一种基于浮栅MOS管的增强型动态全加器设计，包括互补进位输出电路和互补本位和电路；所述互补进位输出电路产生互补的进位输出信号c+和所述互补本位和电路产生互补的本位和信号s和同时信号作为所述互补本位和电路的一个输入信号；所述互补进位输出电路包含：时钟动态控制电路，包括pMOS管m3和m7，nMOS管m6和m4；两个稳压箝位电路，包括pMOS管m2和普通反相器INV1，pMOS管m8和普通反相器INV2；输入控制电路，包括三输入浮栅nMOS管m1和普通nMOS管m5；所述互补本位和电路包含：时钟动态控制电路，包括pMOS管m11和m15，nMOS管m12和m14；两个稳压箝位电路，包括pMOS管m10和普通反相器INV3，pMOS管m16和普通反相器INV4。本实用新型的有益效果是：简化了电路结构，减小了功耗。

公开(公告)号：CN203675092U

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201320853955.2

申请日：2013-12-23

Applicant: 浙江大学城市学院

Inventor： 胡晓慧 ,  杭国强 ,  周选昌 ,  杨旸 ,  章丹艳

IPC: H03K19/20

Abstract: 本实用新型公开了一种低功耗动态三值CMOS或门电路，包括预置电路、输入电路和判决锁存器控制的输出电路；所述预置电路包括nMOS管N4和N10；所述输入电路包括nMOS管N5、N6、N7、N8；所述判决锁存器控制的输出电路包括pMOS管P1、P2、P3和nMOS管N1、N2、N3、N9；所述pMOS管P1的源级接工作电压VDD；所述nMOS管N1、N2的源级接地；所述nMOS管N4、N10的源级接电压1/2VDD；所述预置电路N4和N10的栅极接时钟CP信号，漏极分别接输出和Q。本实用新型的有益效果是：具有延迟小、布线面积小、功耗低、具有很强的逻辑灵活性的优点，增加了电路的信息量。

公开(公告)号：CN206237376U

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201621371111.4

申请日：2016-12-14

Applicant: 浙江大学城市学院

Inventor： 胡晓慧 ,  杭国强 ,  杨旸 ,  章丹艳 ,  周选昌 ,  刘承成

IPC: H03K3/012 ,  H03K3/356

Abstract: 本实用新型公开一种于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器，包括输入控制结构、差分结构的主触发器和差分结构的从触发器。本实用新型的有益效果是：输入控制结构由简单的组合逻辑电路组成。电路利用了浮栅MOS管所具有的阈值易于控制这一自然属性，无需增加特别的电路，仅需通过在n型浮栅MOS管中增加一个输入端就可以方便的控制电路的开关。差分结构的触发器由于具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点，而运用n型浮栅MOS管下拉网络代替了传统的差分型触发器中的nMOS逻辑电路，简化了下拉网络结构，从而进一步减小了电路的功耗。

公开(公告)号：CN203632630U

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201320793759.0

申请日：2013-12-04

Applicant: 浙江大学城市学院

Inventor： 杭国强 ,  胡晓慧 ,  杨旸 ,  章丹艳 ,  周选昌 ,  尤肖虎

IPC: H03K3/012 ,  H03K3/02

Abstract: 本实用新型公开了一种基于神经元MOS管的差分型双边沿触发器，包括差分结构的主触发器1、主触发器2和一个差分结构的从触发器；所述主触发器1由构成差分结构的PMOS管m3和PMOS管m4，三输入n型浮栅MOS管m1和三输入n型浮栅MOS管m2构成；所述主触发器2由构成差分结构的PMOS管m7和PMOS管m8，三输入n型浮栅MOS管m5和三输入n型浮栅MOS管m6构成；所述从触发器由构成差分结构的PMOS管m9和PMOS管m10，三输入n型浮栅MOS管m11，三输入n型浮栅MOS管m12，三输入n型浮栅MOS管m13和三输入n型浮栅MOS管m14，反相器INV1和反相器INV2构成。本实用新型的有益效果是：具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点，简化了下拉网络结构，从而进一步减小了电路的功耗。