-
公开(公告)号：CN113318578B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202110578042.3
申请日：2021-05-26
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明提供一种基于气液混相放电等离子体的烟气处理系统和方法，包括烟气进气管道、空气进气管道、第一气体混合室、电磁换向阀、等离子体反应器、储液罐、水泵、气泵、电动截止阀A、电动截止阀B和控制器；在烟气通入反应器之前，经过了两次与空气的混合，可以降低烟气的温度，同时增加烟气的氧气含量，有利于臭氧和羟基自由基的生成；将烟气通入液相中对烟气污染物进行“清洗”，可通过毛细管鼓泡法使气相更加分散，同时电场会削弱气泡表面张力，形成微气泡，增大两相接触面积，进一步提高反应效率；收集反应后的废液，经过处理可以转化得到硫酸和硝酸，避免了二次污染，副产物回收还能带来经济效益。
-
公开(公告)号：CN115170888A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210876236.6
申请日：2022-07-25
Applicant: 江苏大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/56 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了基于视觉信息和语义属性的电子元器件零样本识别模型及方法，识别模型包括视觉分类网络模型、Skip‑gram模型和CBOW模型，根据电子元器件的视觉特征，设计出可见类以及不可见类电子元器件的语义属性表，使可见类和不可见类之间的语义属性共享。通过将视觉信息和标签的语义属性相结合，利用从文本数据中学习到的标签的语义属性，将语义属性作为监督信号，结合已见类图像训练视觉分类网络，进而实现零样本学习。训练时，通过Skip‑gram模型将可见类转化为语义属性类，使视觉分类网络的训练过程变为共享的语义属性类与输入图像之间的训练。在预测过程中，视觉分类网络预测出共享的语义属性类，CBOW模型将语义属性类转换为类别标签，实现对可见类和不可见类的预测，完成电子元器件零样本识别。
-
公开(公告)号：CN113088351A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110457864.6
申请日：2021-04-27
Applicant: 江苏大学
IPC: C10L1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于介质阻挡放电的生物柴油催化加氢提质的装置，包括液相反应器，在液相反应器的底部装有多孔鼓气板；液相反应器的进液口用来填充生物柴油与催化剂的混合物，介质阻挡放电发生单元包括内电极、放电管、外电极和高压电源；内电极与高压电源相连，外电极接地；放电管的入口端与供气单元连通，由供气单元向放电管内腔提供氢原料气体；放电管的出口端与在液相反应器底部相连，将介质阻挡放电发生单元产生的等离子体气体输送至多孔鼓气板，等离子体气体通过多孔鼓泡板以微气泡形式分散到液相反应器中，提供了较大的等离子体气泡与生物柴油接触面积，从而促进了等离子体与生物柴油加氢反应的速率。
-
公开(公告)号：CN110227317A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910540469.7
申请日：2019-06-21
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明公开了一种基于荷电喷雾的烟气污染物处理装置，包括静电喷雾装置，静电喷雾装置设置在烟道上，静电喷雾装置的进口端连接烟道，静电喷雾装置的出口端连接烟囱，在烟道进口处设有双流体喷嘴，双流体喷嘴的喷口朝向烟道出口处；双流体喷嘴的液体进口和气体进口分别输入脱硫废水和空气；在静电喷雾装置的底部设有脱硫废水回收装置，双流体喷嘴包括壳体和螺旋臂，壳体分为液体腔和气体电离腔，液体腔出口端连接螺旋臂的入口，气体电离腔的出口正对螺旋臂中间形成的通道，将脱硫废水雾化后喷射到烟道中，从而改变烟气的特性，本发明可以实现脱硫废水零排放并促进燃煤烟气污染物的脱除，可以有效应用在燃煤电厂中实现废气废物的处理。
-
公开(公告)号：CN110194510A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910444415.0
申请日：2019-05-27
Applicant: 江苏大学
IPC: C02F1/465
Abstract: 本发明公开了一种基于多孔道静电强化相分散的新型气浮装置，包括静电强化相分散微气泡发生罐，静电强化相分散微气泡发生罐内的上部和底部分别设有平板极板和毛细管电极,平板极板接地，毛细管电极连接负高压静电发生器的负极，且毛细管电极还连接氧气罐；静电强化相分散微气泡发生罐连接气浮器，气浮器连接回收储液罐和废水池，氧气从毛细管电极进入静电强化相分散微气泡发生罐形成大量均匀微气泡，并在电极产生的电场内形成饱和溶气水，可以对污水进行有效处理。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105845553B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610198547.6
申请日：2016-04-01
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/8256 , H01L21/336 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种纳机电系统应用领域中基于碳化硅衬底的石墨烯场效应晶体管阵列的制备方法，通过在碳化硅表面外延生长的方法，得到大面积的单层石墨烯，转移相分离的双嵌段共聚物苯乙烯‑甲基丙烯酸甲酯到石墨烯表面作为掩膜，采用反应离子刻蚀技术进行加工，在聚合物苯乙烯下得到石墨烯纳米带，用热的丙酮溶液去除残余的苯乙烯，在刻蚀得到的石墨烯纳米带表面生长金属钇作为缓冲层，沉积HfO2作为栅氧，在石墨烯表面形成Ti/Au电极作为漏、源、栅电极；本发明解决了原子层沉积无法在石墨烯表面成核生长高介电常数栅介质薄膜的问题和界面散射问题，保证了石墨烯晶体管的高迁移率，实现了高性能石墨烯场效应晶体管的规模化制备。
-
公开(公告)号：CN105845553A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610198547.6
申请日：2016-04-01
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/8256 , H01L21/336 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/8256 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/285 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开一种纳机电系统应用领域中基于碳化硅衬底的石墨烯场效应晶体管阵列的制备方法，通过在碳化硅表面外延生长的方法，得到大面积的单层石墨烯，转移相分离的双嵌段共聚物苯乙烯?甲基丙烯酸甲酯到石墨烯表面作为掩膜，采用反应离子刻蚀技术进行加工，在聚合物苯乙烯下得到石墨烯纳米带，用热的丙酮溶液去除残余的苯乙烯，在刻蚀得到的石墨烯纳米带表面生长金属钇作为缓冲层，沉积HfO2作为栅氧，在石墨烯表面形成Ti/Au电极作为漏、源、栅电极；本发明解决了原子层沉积无法在石墨烯表面成核生长高介电常数栅介质薄膜的问题和界面散射问题，保证了石墨烯晶体管的高迁移率，实现了高性能石墨烯场效应晶体管的规模化制备。
-
公开(公告)号：CN103627885B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310570961.1
申请日：2013-11-18
Applicant: 江苏大学
IPC: C21D10/00
Abstract: 本发明公开了一种基于磁致伸缩的小孔内壁强化方法及装置，属于零件表面强化领域。本发明主要由信号发生器、功率放大器、磁致伸缩执行机构、变幅杆、撞击棒组成，将铁磁棒套入绕有电磁线圈的线圈骨架中心孔内，信号发生器给线圈施加交流信号并经功率放大器进行能量放大，通过设定相应的频率和偏置磁场条件，根据磁致伸缩效应，沿铁磁棒产生纵向L(0，1)模态导波，利用该模态导波的径向位移振动，经变幅杆将振动位移放大后，通过置于小孔内部位置的撞击棒撞击小孔内壁，使孔内壁产生一定的塑性变形从而引入残余压应力，达到小孔内壁的强化作用；本发明解决了现有技术对直径为1-3mm小孔的强化作用有限的难题，也适合更大孔内壁的强化。
-
公开(公告)号：CN103928606A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410135212.0
申请日：2014-04-04
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L41/047 , H01L41/29
Abstract: 本发明涉及电接触系统，特指一种微电极接触的过载保护装置及其制备和使用方法。本发明利用相变材料GST薄膜电致收缩效应，用磁控溅射方法制备出GST薄膜，并以此为执行部件，当采样电阻两端的电压达到GST的相变电压时，薄膜发生收缩，带动电极材料向下运动，两电极分开，实现后续电路的保护，待故障解除后可以复位，使相变材料恢复，从而实现电路导通。本装置可以满足微电子电路中保护高灵敏度器件的要求。
-
公开(公告)号：CN102581484A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210052373.4
申请日：2012-03-02
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅基表面陷光结构，特指一种利用可见/近红外超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，可适用于晶体硅和薄膜硅等硅基材料。本发明的目的是克服在先技术上的不足，提供一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，无需气体或液体作为环境介质，通过表面贴膜法来实现硅基表面结构成形。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
113
records
(took 0.043 seconds)
