公开(公告)号：CN104846333B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201510195661.9

申请日：2015-04-22

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 章嵩 ,  吴俊 ,  涂溶 ,  王传彬 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种利用物理气相沉积方法控制硼碳氮薄膜成分以及化学计量比的硼碳氮薄膜的制备方法。本发明在传统脉冲激光沉积的基础上，通过使用石墨‑硼二元拼合靶材在氨气气氛下制备组成与化学计量比均可控的硼碳氮薄膜，克服了传统制备技术中由于靶材成分限制难以在较大范围内控制硼碳氮薄膜组成的不足，通过设计二元靶材、控制靶基距、沉积温度、沉积气氛等沉积条件，得到一种可以在大范围内连续控制材料组成的硼碳氮薄膜制备方法。

公开(公告)号：CN106278257A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610620931.0

申请日：2016-08-01

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王传彬 ,  李诵斌 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/49 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/666

Abstract: 本发明提供的高致密锆钛酸钡钙无铅铁电陶瓷的制备方法，具体是：先将装有锆钛酸钡钙(BCZT)粉体的石墨模具放入等离子活化烧结设备中，通入氩气气氛，然后进行等离子活化30s，按照升温速率50～150℃/min，烧结温度1200～1300℃，保温时间为3～7min，施加压力30～50MPa下进行烧结致密化，得到BCZT烧结体；最后将烧结体置于马弗炉内，在空气气氛中进行退火处理，得到BCZT无铅铁电陶瓷。本发明方法制备的BCZT铁电陶瓷具有单一的钙钛矿结构，其化学组成为Ba0.85Ca0.15Zr0.10Ti0.90O3，直径为10～30mm，厚度为1～4mm，而且晶粒发育良好、结构致密(密度大于5.64g/cm3)、铁电性能良好(最大铁电剩余极化强度>20μC/cm2)。

公开(公告)号：CN106181000A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610599471.8

申请日：2016-07-27

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 张联盟 ,  饶梅 ,  罗国强 ,  沈强 ,  王传彬 ,  张建 ,  朱翰为

IPC: B23K10/02 ,  B23K35/30 ,  B23K35/38 ,  B23P15/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16

CPC classification number: B23K10/02 ,  B23K35/302 ,  B23K35/38 ,  B23K2103/08 ,  B23P15/00 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明是一种钨合金与钼合金的连接方法，具体是：先在钨合金、钼合金表面沉积超薄铜薄膜或者添加超薄铜箔，然后利用等离子活化烧结连接工艺，在轴向压力为5～30MPa，真空度≤0.1Pa，活化时间为20～100s，升温速率为80～200℃/min，和在650～850℃、保温300～1200s工艺条件下，实现钨合金与钼合金的低温高强连接。本发明的优点是引入超薄铜活性中间层显著降低难熔金属钨合金与钼合金的连接温度和提高其连接强度，首次在极低温度下实现了钨合金与钼合金的低温、快速、高强连接，剪切强度达到224.8MPa，较钨钼直接连接相比强度提高了近7倍；极大的降低了连接温度，提高了连接接头的可靠连接。

公开(公告)号：CN105837224A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610374803.2

申请日：2016-05-31

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王传彬 ,  王丹丹 ,  李美娟 ,  王广阳 ,  沈强 ,  张联盟

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/74 ,  C04B2235/77

Abstract: 本发明公开的氮化铝陶瓷的制备方法，是一种以氟化铵为添加剂的氮化铝陶瓷的制备方法，具体是：将氟化铵粉体和氮化铝粉体按质量配比(0.24～0.36):1分别称量，然后在刚玉研钵中充分研磨均匀，得到混合粉料；将制得的混合粉料装入模具中，再将模具置于等离子活化烧结炉中，在烧结温度1600～1800℃、保温时间3～5min、烧结压力30～40MPa和氮气气氛下进行致密化，最后得到氮化铝陶瓷。本发明采用氟化铵作为添加剂，克服了现有氧化物添加剂在氮化铝陶瓷烧结过程中引入新杂质的技术难题，在烧结过程中可有效减少AlON等杂相的生成，而又不引入其它杂质，同时也能促进陶瓷致密化，因而能够获得具有较高纯度和高致密度的氮化铝陶瓷。

公开(公告)号：CN103589884B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201310602223.0

申请日：2013-11-25

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 张联盟 ,  陈文书 ,  沈强 ,  罗国强 ,  王传彬 ,  李美娟

IPC: C22C1/04 ,  B22F1/02 ,  C22C27/04

Abstract: 本发明提供一种高性能钨铜复合材料的低温制备方法，该方法是：根据所需制备的钨铜复合材料的钨铜组分比例称量对应质量的铜包覆钨复合粉体和铜粉进行混料得到混合粉体，或直接用对应组分的铜包覆钨粉为烧结原料，将混合粉体或对应组分的铜包覆钨复合粉体装入模具中进行低温热压烧结即得到高性能的钨铜复合材料。本发明工艺简单、可靠，流程短，生产成本低、效率高；所制备出的钨铜复合材料钨含量分布宽、致密度高、具有铜网络结构、组分和结构均一、钨铜界面润湿性得到改善，并且具有优异的热、电、力学性能，因此在电子封装、电触头、电极加工材料等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN104355307A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410567064.X

申请日：2014-10-22

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 罗国强 ,  黄静 ,  张联盟 ,  沈强 ,  蒋小娟 ,  李美娟 ,  王传彬

IPC: C01B31/04 ,  B82Y30/00 ,  B22F1/00

Abstract: 本发明提供的RGO/Cu纳米复合粉体的制备方法，具体是：先将氧化石墨烯还原，再用敏化，活化的方法使铜均匀地负载于石墨烯上，得到铜均匀负载于石墨烯片层上的纳米复合粉体。该方法包括石墨烯的敏化和活化、RGO/Cu纳米复合粉体的中间产物的制备、H2还原RGO/Cu的纳米复合粉体步骤。本发明提供的是一种制备铜均匀地负载于石墨烯片上的纳米复合材料的全新方法，具有高效、快速、操作比较简便、成本低、不需要使用昂贵仪器，以及节约能源等优点。

公开(公告)号：CN103981382A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410218501.7

申请日：2014-05-22

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 罗国强 ,  刘茹霞 ,  沈强 ,  张联盟 ,  王传彬 ,  李美娟

IPC: C22C1/05 ,  C22C9/00 ,  C22C26/00 ,  C23C28/02

Abstract: 本发明涉及一种高导热金刚石/铜基复合材料的制备方法，由基体铜、金刚石粉末和钼镀层构成，钼的含量体积分数为1％～2％，其余为金刚石颗粒和铜；在金刚石和铜中，金刚石粉末含量体积分数为15％～50％。本发明可以解决在熔渗、粉末冶金等方法中金刚石粉末和铜不润湿导致的烧结致密化的难题，方法如下：一、采用磁控溅射方法在金刚石颗粒的表面镀钼，制成钼包金刚石粉；二、利用化学镀的方法在钼包金刚石粉的表面镀铜，制成铜包钼包金刚石粉；三、采用机械混和方式把步骤二中得到的复合粉末与一定比例纯铜粉混合；四、将步骤三制备的混合粉末真空热压烧结，得到金刚石/铜基复合材料，该材料具有较好的界面结合状况，高的致密度与热导率。

公开(公告)号：CN103480837A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310476238.7

申请日：2013-10-11

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 罗国强 ,  张联盟 ,  沈强 ,  陈平安 ,  王传彬 ,  李美娟

IPC: B22F1/00 ,  B22F3/14 ,  C22C9/00

Abstract: 本发明是一种碳纳米管增强铜基热用复合材料的制备方法，具体是：采用化学包覆的方法，在表面改性的碳纳米管表面包覆一层致密均匀的纳米铜，获得具有包覆厚度为100-200nm的Cu@CNT复合粉末，然后将Cu@CNT复合粉末和纯Cu粉按照体积百分比为Cu@CNT=0.1%-10.0%，Cu=90.0%-99.9%进行球磨混合均匀，将混合均匀粉末在100-500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，得到所述碳纳米管增强铜基热用复合材料。本发明可以获得致密度高的CNT增强Cu基热用复合材料，具有热导率高、CNT-Cu界面之间结合力强等优点。

公开(公告)号：CN103464742A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310430077.8

申请日：2013-09-18

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 张联盟 ,  陈文书 ,  沈强 ,  罗国强 ,  王传彬 ,  李美娟

IPC: B22F1/02 ,  C23C18/44 ,  C23C18/40

Abstract: 本发明提供了一种铜包覆银包覆钨的复合包覆粉体的制备方法，属于粉末冶金的粉体处理与制备技术领域。钨粉经过碱洗酸洗并经敏化活化形成预处理粉体，再进行表面包覆银形成纳米银层包覆钨复合粉体，最后将银包覆钨复合粉体进行包覆铜获得铜含量在5%～50%变化的铜包覆银包覆钨的复合包覆粉体。本发明制备的复合包覆粉体中铜、银包覆层均匀、完整、纯度高、质量可控。银层的加入可以明显改善钨铜界面润湿性。复合包覆粉体具有良好的烧结性能，钨铜复合材料的热学、力学等综合性能能够得到提升，复合包覆粉体可作为制备高性能钨铜复合材料的原材料，在电子封装、高温材料、电触头材料等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN101792311B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201010123047.9

申请日：2010-03-09

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 张联盟 ,  王传彬 ,  沈强 ,  彭建 ,  王芳

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468

Abstract: 本发明涉及一种二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法。二钛酸钡陶瓷靶材的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)将BaCO3微粉和TiO2微粉，按摩尔比1∶2配料后，加入无水乙醇机械混合，得到混合原料；烘干后，压制成圆片；2)将混合原料圆片放入电弧熔炼设备中进行熔炼，熔炼时先抽真空，然后充入高纯氩气保护，熔炼时的电极电流为100～200A，每次熔炼时间为0.5～1.5min；经过4～8次反复熔炼后，得到块体；3)将熔炼合成的块体，研磨，然后置入高温石墨模具中，移入热压烧结炉中，以5～20℃/min的升温速率升至1100～1200℃，保温1～3小时并施加20～80MPa的轴向压力；随炉冷却，得到二钛酸钡陶瓷靶材。本发明具有物相单一、致密度较高、尺寸较大的特点。