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公开(公告)号：CN102925727B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210454292.7
申请日：2012-11-14
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种Zn@W-Cu热用复合材料的制备方法，其特征是采用磁控溅射的方法，以Zn块为靶材或者采用真空热镀工艺，以纯度为99.9%的Zn粉在W粉表面包覆一层高纯Zn膜，得到Zn@W粉，再将Zn@W粉、Cu粉按照体积百分比为W=70.0%~90.0%，Cu=10.0%~30.0%进行球磨混合均匀，然后将混合均匀粉末在100-400MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入氢气炉中进行气氛烧结，得到Zn@W-Cu热用复合材料。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高、W-Cu之间结合力强、导热、导电性好的W-Cu复合材料，具有W-Cu复合材料结构可控，Zn的添加量极少且实现定向包覆等优点。
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公开(公告)号：CN103382534A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310241546.1
申请日：2013-06-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明是一种新型的具有高致密结构的W-Cu-SiC三元热控复合材料及其制备方法，W-Cu-SiC三元复合材料是由W粉、SiC粉和Cu粉按比例混合后，经热压烧结而成。所述复合材料中含体积分数30～50vol%的Cu，50～70vol%的W与SiC,其中SiC的体积分数范围为20～80%，相对应W粉的体积分数范围为80～20%，在不同配比下W-Cu-SiC复合材料的致密度均高达98%以上，在40～300°C温度范围内，该复合材料的热膨胀系数均稳定在5.7×10-6—9.74×10-6/K。本发明是一种成型方便、成本低廉和高性能的新型的复合材料，在电子封装、半导体散热片等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102079840B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110000105.3
申请日：2011-01-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种Ag/PMMA纳米复合材料的制备方法，具体是：以PMMA作为聚合物基体，PMMA是聚甲基丙烯酸甲酯的英文缩写，以硝酸银为Ag源，以PVP为分散剂，PVP是聚乙烯基吡咯烷酮的英文缩写，以DMF为反应溶剂和还原剂，DMF是N，N-二甲基甲酰胺的英文缩写，将它们加热反应后得到含有Ag纳米粒子的Ag/PMMA纳米溶胶；再将Ag/PMMA纳米溶胶采用溶剂沉淀法以除去还原剂DMF，最后经干燥后加热成型得到Ag/PMMA纳米复合材料。本发明的制备工艺简单，可以有效解决传统方法制备Ag/PMMA纳米复合材料时Ag纳米粒子的团聚现象，并实现Ag纳米粒子粒径、形貌的精确设计和调控。
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公开(公告)号：CN102031411A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010566861.8
申请日：2010-12-01
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种致密W-Cu复合材料的低温制备方法，该方法是；采用Zn粉作为添加剂，将W粉、Cu粉按照体积分数比为W=10.0%~75.0%，Cu=25.0%~90.0%，Zn占W-Cu总质量分的0.5%~2.0%进行三维混料，然后放入真空热压炉中，按指定真空热压烧结工艺进行真空热压烧结得到致密的W-Cu复合材料，所述真空热压烧结工艺为：真空度为1×10-3~1×10-4Pa，烧结温度为700℃~900℃，保温时间为1~4h，施加压力大小为80~200MPa。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高的W-Cu复合材料，具有明显的工艺简单、成本低、成分调控范围广且精确等优点。
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