公开(公告)号：CN1618154A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN03802320.2

申请日：2003-01-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 菅原岳 ,  长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/323

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425

Abstract: 一种氮化物半导体激光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基底(101)上形成半导体叠层体，该半导体叠层体至少有n型氮化物半导体层(102)、活性层(105)及p型氮化物半导体层(108)；第二步骤，通过选择性蚀刻上述半导体叠层体，使n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的表面分别在不同高度的位置露出；第三步骤，通过绝缘膜(109)来覆盖包含n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的露出面的上述半导体叠层体的表面，该绝缘膜具有比n型氮化物半导体层(102)的露出面和p型氮化物半导体层(108)的露出面之间产生的台阶大的膜厚；第四步骤，将绝缘膜(109)表面平坦化；以及第五步骤，贯通绝缘膜(109)并分别形成与n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)电连接的n型电极(111)及p型电极(110)。根据该制造方法，可以获得可靠性高、并且具有良好散热特性的氮化物半导体激光元件。

公开(公告)号：CN1476638A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN01819415.X

申请日：2001-11-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  铃木朝实良 ,  出口正洋 ,  吉井重雄 ,  古屋博之

IPC: H01L29/778 ,  H04M1/00

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7785 ,  H03F3/601 ,  H03F2200/294

Abstract: 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。

公开(公告)号：CN1349663A

公开(公告)日：2002-05-15

申请号：CN00807221.3

申请日：2000-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  高桥邦方 ,  楠本修 ,  北畠真 ,  上野山雄

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/155 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/365 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 在SiC、GaN、GaAs等的衬底3上,交互、叠层生长厚度50nm左右的未掺杂层22和厚度薄到能发挥量子效应程度(例如10nm左右)的n型掺杂层23、形成有源区30。因n型掺杂层23的量子效应产生的次能级使载流子能分布到未掺杂层22上,由于在杂质少的未掺杂层22中杂质散射减少,能够得到高的载流子迁移率,与此同时,当有源区全体耗尽化时,利用载流子从有源区30消失的现象,因未掺杂层22能够得到大的耐压值。

公开(公告)号：CN102326267B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201080008160.0

申请日：2010-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  加藤亮

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体发光元件是具有氮化物系半导体层叠结构(50a)的氮化物系半导体发光元件，氮化物系半导体层叠结构(50a)包括：包含AlaInbGacN结晶层(a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0)的活性层(32)；AldGaeN溢出抑制层(36)(d+e＝1，d＞0，e≥0)；和AlfGagN层(38)(f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d)，AldGaeN溢出抑制层(36)设置在活性层(32)与AlfGagN层(38)之间，AldGaeN溢出抑制层(36)包括含有浓度在1×1016atms/cm3以上且8×1018atms/cm3以下的In的层(35)。氮化物系半导体层叠结构(50a)的主面的法线与m面的法线形成的角度在1°以上且5°以下。

公开(公告)号：CN103493225A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280012159.4

申请日：2012-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安杖尚美 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L2933/0016

Abstract: 氮化物类半导体发光元件包括：具有生长面（12）为m面的p型半导体区域（25）的氮化物类半导体层叠结构（20）；和设置于AldGaeN层（25）上的电极（30），其中AldGaeN层（25）由GaN类半导体形成，电极（30）以Ag为主成分且含有Mg和Zn的至少一者和Ge。

公开(公告)号：CN103493224A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019898.6

申请日：2012-10-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  藤田稔之 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L24/05 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 氮化物半导体发光芯片(100)包括具有氮化物半导体层的导电性基板(104)、依次形成在氮化物半导体层的主面上的n型氮化物半导体层(105)、活性层(106)及p型氮化物半导体层(107)、以及设置成与导电性基板接触的n侧电极(109)。导电性基板具有形成在与主面相反一侧的背面且彼此被隔离开的位置上的多个凹部(104a)。n侧电极与凹部(104a)的至少一部分表面接触。当设导电性基板的厚度为T、设凹部的深度为D1时，深度D1在厚度T的25％以上。

公开(公告)号：CN103403842A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010663.0

申请日：2012-08-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 崔成伯 ,  横川俊哉 ,  井上彰 ,  山田笃志

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/18 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/20 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本申请公开的氮化物半导体层生长用结构具备以m面为生长面的蓝宝石基板、在蓝宝石基板的生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为蓝宝石基板的m面，多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。

公开(公告)号：CN103283043A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201280002602.X

申请日：2012-04-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  安杖尚美 ,  井上彰 ,  加藤亮

IPC: H01L33/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L33/16 ,  H01L33/40 ,  H01L2933/0016

Abstract: 一种氮化物系半导体元件，其是具备生长面为m面的p型接触层(26)、和在p型接触层(26)的生长面上所设置的电极(30)的氮化物系半导体元件。就p型接触层(26)而言，其具有26nm以上、60nm以下的厚度，且是含有所述p型接触层的Mg浓度以上之浓度的氧的GaN系半导体层。

公开(公告)号：CN103222078A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201280003779.1

申请日：2012-09-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/10 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014

Abstract: 包含以非极性面为生长面的氮化物半导体有源层（106）的半导体发光芯片（100），在安装基板（101）的表面上、与被来自氮化物半导体有源层的光照射的区域的有源层平行且与来自该有源层的光的偏振方向垂直的结晶轴方向的芯片侧方的区域作为高偏振特性区域，被来自有源层的光照射的区域的高偏振特性区域以外的区域作为低偏振特性区域时，金属配置在高偏振特性区域的至少一部分的区域，低偏振特性区域的至少一部分的镜面反射的比例比金属的镜面反射的比例低，高偏振特性区域的镜面反射的比例比低偏振特性区域的镜面反射的比例高。

公开(公告)号：CN102084504B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200980100931.6

申请日：2009-09-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  加藤亮

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光元件，其具有氮化物类半导体叠层结构(50)，氮化物类半导体叠层结构(50)包括：含有AlaInbGacN结晶层，其中：a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0的活性层(32)；AldGaeN溢出抑制层(36)，其中：d+e＝1，d＞0，e≥0；以及AlfGagN层(38)其中：f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d，AldGaeN溢出抑制层(36)设置在活性层(32)与AlfGagN层(38)之间，AldGaeN溢出抑制层(36)包括层(35)，该层(35)含有浓度为1×1016atms/cm3以上且1×1019atms/cm3以下的In。