公开(公告)号：CN112813476A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011604972.3

申请日：2020-12-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑辉 ,  胡东平 ,  张阳 ,  郑鹏 ,  郑梁

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/16 ,  C25D11/24

Abstract: 本发明涉及一种多步骤交替进行制备锥形AAO的方法，首先将封装好的铝片在磷酸体系下一次阳极氧化并在铬酸和磷酸混合液下除去一次氧化层后，然后将铝片阳极氧化，并在磷酸溶液中扩孔，重复以上阳极氧化和磷酸扩孔的步骤。利用这种方法，制备了表面孔直径375nm，底部孔直径100nm，孔深度1.5μm和3μm的锥形AAO模板。通过控制氧化时间、扩孔时间和氧化次数来调节锥形AAO的孔深度、表面底部孔直径大小和孔直径变化平滑度。本发明制备的锥形AAO有序度高，参数可控，且无需物理压印，制备成本低。不仅为研究阵列结构的磁性纳米线之间的静磁相互作用开辟了领域，利用其锥形结构特征，在光电材料的制备中也有潜在应用。

公开(公告)号：CN111864006A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010575624.1

申请日：2020-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吴章婷 ,  洪景涛 ,  张阳 ,  郑鹏 ,  郑梁

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开一种基于引入氧缺陷的多层二维过渡金属硫化物(TMDs)高性能光电器件及制备，属于材料应用技术领域。本发明包括：P型硅衬底、二氧化硅绝缘层、多层TMDs、漏极和源极；所述的源极、漏极、多层TMDs均位于二氧化硅/硅(SiO2/Si)衬底上，其中Si为栅极。本发明还公开了一种简易地增强上述光电器件性能的方法。该光电探测器件实现具有更强响应率并且和较快响应速度的性能。

公开(公告)号：CN111362691A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010177568.6

申请日：2020-03-14

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑鹏 ,  刘洋 ,  白王峰 ,  郑梁 ,  张阳

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/465 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种铋层状结构钛酸铋钙高温压电陶瓷材料及其制备方法，采用CaBi4Ti4O15体系压电材料为基础，在Ti位按照一定的摩尔比掺入Mn、Sb，采用固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料，该压电陶瓷材料的通式为CaBi4Ti4-x(Mn1/3Sb2/3)xO15，其中0

公开(公告)号：CN111253151A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN202010177566.7

申请日：2020-03-14

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑鹏 ,  陈志腾 ,  白兴智 ,  白王峰 ,  郑梁 ,  张阳

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明公开了一种具有高储能密度和高功率密度的铁酸铋钛酸钡基陶瓷及其制备方法，采用0.67BiFeO3-0.33BaTiO3体系铁电材料为基础，将铋层状材料BaBi2Nb2O9按照一定摩尔比掺入到铁酸铋钛酸钡基陶瓷中，采用固相合成方法，制备得到一种新型的具有高储能密度和高功率密度的储能陶瓷材料，该陶瓷材料的化学组成是(1-x)(0.67BiFeO3-0.33BaTiO3)-xBaBi2Nb2O9，其中0.02≤x≤0.1。本发明获得的储能陶瓷材料，主要性能参数可利用储能密度Wrec＝3.09J/cm3，储能效率η＝85.6％，在100kV/cm电场下，功率密度PD＝27.2MW/cm3，电流密度可达543.95A/cm2。此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，同时符合当前无铅环保的要求。能够广泛应用于高功率微波式武器，激光武器，电磁发射器，混合动力汽车的脉冲功率体系中。

公开(公告)号：CN109811313A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910150917.2

申请日：2019-02-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑辉 ,  陈伟 ,  郑梁 ,  郑鹏 ,  张阳

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/16 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58 ,  C25F3/20 ,  C25D11/08 ,  C25D11/12 ,  C25D11/20 ,  C25D11/24 ,  C23F17/00

Abstract: 本发明公开一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法，主要采用两步阳极氧化法。该方法包括如下步骤：(1)高电阻率硅基片的清洗；(2)钛膜的制备；(3)铝膜的制备；(4)铝膜的退火；(5)对Al/Ti/Si薄膜的封装及电化学抛光；(6)一次阳极氧化；(7)氧化层的去除以及第二次阳极氧化；(8)通孔、扩孔处理。本发明采用特殊的封装技术在高电阻率基底上制备出较高的有序度，厚度、孔径可调的多孔氧化铝模板，该方法操作简单、成本低、能够实现高电阻率甚至非导电基底AAO的制备，为模板辅助制备纳米材料扩展了应用范围。

公开(公告)号：CN109704761A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910073011.5

申请日：2019-01-25

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 郑鹏 ,  陈振宁 ,  李旭东 ,  盛林生 ,  白王峰 ,  郑辉 ,  郑梁 ,  张阳

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种Nb位Cr/Mo共掺杂铌酸铋钙高温压电陶瓷材料及其制备方法，该压电陶瓷材料的通式为CaBi2Nb2-x(Mo2/3Cr1/3)xO9，其中0.03≤x≤0.075。本发明还公开了该压电陶瓷材料的制备方法，采用CaBi2Nb2O9体系压电材料为基础，在Nb位按照1:2的摩尔比掺入一定比例的Cr、Mo，采用传统的固相合成方法，制备得到此类新型铋层状结构压电陶瓷材料。与现有技术相比，本发明获得的压电陶瓷材料，主要性能参数d33＝15pC/N，TC＝939℃，在600℃时，ρ＝3.3×105Ω·cm，此外制备工艺稳定可靠，生产成本低，易于实现工业化生产，在高温领域具有良好的应用前景。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，能够运用在航天航空、石油化工等特殊高温环境下。