公开(公告)号：CN1975571A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610067649.0

申请日：2006-03-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/76816

Abstract: 本发明提供一种能使用ArF受激准分子激光的抗蚀图增厚材料；当将其涂覆在具有线图形或其它图形的抗蚀图诸如ArF抗蚀图上时，能够增厚抗蚀图而不管抗蚀图尺寸大小如何；其具有优秀的抗蚀性，并且适用于形成超出曝光极限的精细的空间图形或其它图形。本发明还提供一种适当利用本发明的抗蚀图增厚材料的抗蚀图形成工艺和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1261977C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200310118674.3

申请日：2003-11-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  G11B5/17 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543

Abstract: 为了增厚待增厚的抗蚀剂图案，从而容易地形成超过传统曝光装置光源曝光极限的精细图案，通过对底层对象上抗蚀剂图案化；在待增厚的抗蚀剂图案上应用至少包含一种表面活性剂的表面活性剂合成物；以及在其上面应用至少包含树脂和一种表面活性剂的抗蚀剂图案增厚材料，一种工艺形成了待增厚抗蚀剂图案。因此，增厚了待增厚的抗蚀剂图案而形成了具有狭窄间距的精细抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN1679173A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03819984.X

申请日：2003-08-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  野崎耕司

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/0272 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种增厚通过通常的电子束曝光形成的开口并缩小开口尺寸，由此可高效率地制造微细栅电极的方法。本发明的栅电极的制造方法包括：在栅电极形成面上，形成在最下层包含电子束保护层的叠层保护膜的叠层保护膜形成工序；在最下层以外的层形成开口的开口形成工序；在最下层形成栅电极用开口的栅电极用开口形成工序；选择性地缩小栅电极用开口的栅电极用开口缩小工序；在栅电极用开口形成栅电极的栅电极形成工序。优选方式为，栅电极用开口缩小工序是至少进行一次在最下层的表面涂布保护膜图形增厚材料，并使栅电极用开口的开口尺寸缩小的处理的工序，包括在栅电极用开口缩小工序之前，使电子束入射到栅电极用开口的附近的电子束入射工序等。

公开(公告)号：CN1477447A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03149913.9

申请日：2003-07-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司 ,  並木崇久 ,  今纯一

IPC: G03F7/038 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/11526 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G11B5/17 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543 ,  Y10S430/11

Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料，此光刻胶图案增厚材料可以增厚待增厚光刻胶图案以形成精细的中空图案，超过了现有光源的曝光极限，而不管待增厚光刻胶图案的材料或其尺寸如何。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，光刻胶图案增厚材料被施加到待增厚光刻胶图案的表面，由此形成光刻胶图案。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：将增厚材料施加到已形成于下层之上的待增厚光刻胶图案的表面，以增厚待增厚光刻胶图案并形成光刻胶图案；以及通过利用光刻胶图案刻蚀而对下层进行制图。

公开(公告)号：CN1475530A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03149911.2

申请日：2003-07-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  並木崇久

IPC: C08L67/00 ,  C08K3/20 ,  C08J5/00

CPC classification number: C08K9/08

Abstract: 本发明提供了一种生物可降解树脂复合物，其中生物可降解树脂复合物具有优异的物理性能，如强度、耐水性、成型可加工性、耐热性，并适合于用于各种电器产品的模塑制品。本发明的生物可降解树脂复合物包含生物可降解树脂和用生物可降解包覆树脂包覆的填料，其中将用生物可降解包覆树脂包覆的填料包含在生物可降解树脂之中。优选的方案为：填料是云母、滑石和蒙脱土中的至少一种；生物可降解树脂的填料含量在质量含量5％至50％的范围中；填料的平均直径在0.01μm至200μm的范围中；以及生物可降解树脂是聚乳酸。