公开(公告)号：CN203706670U

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201420058142.9

申请日：2014-01-30

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张建伟 ,  殷存禄 ,  吴国强 ,  郑善兴 ,  丁秋红 ,  潘阿成 ,  李中洲 ,  吕文欢 ,  王建 ,  陈晓明 ,  苗延楠

IPC: G11C15/04

Abstract: 本实用新型涉及集成电路制造技术领域，一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器，所述高电压摆幅大于区间匹配单元GERMC电路中，第五NMOS管MN5与第一PMOS管MP1互补组合，MP1栅极与D#端相连，源极与第三输入SL相连，第六NMOS管MN6与第二PMOS管MP2互补组合，MP2栅极与D端相连，源极与第四输入SL#相连，两个相互串联组合管之间连接的节点处均与第一、第二NMOS管MN1、MN2的栅极相连，第三NMOS管MN3的漏极与第二输入GE path相连，其栅极与D#端相连。本实用新型引入两个PMOS管将传输管MN5与MN6变成传输门，提高了P点电压摆幅，可以达到电源电压VDD，使等于链与大于链的信号传输速度增加，电路速度变快，同时也提高了单元电路的鲁棒性，提高了抗噪声能力。

公开(公告)号：CN203933573U

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201420266581.9

申请日：2014-05-23

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 张建伟 ,  张修哲 ,  吴国强 ,  陈晓明 ,  苗延楠 ,  郑善兴 ,  丁秋红 ,  潘阿成 ,  滕飞 ,  李佳琪 ,  郑钰芷

IPC: H03K5/1534

Abstract: 本实用新型公开一种上升沿检测电路，由双稳态存储单元、非对称延迟单元、反相器和多个NMOS晶体管组成，只要非对称延迟电路满足上升沿延迟与下降沿延迟之和大于输入信号的脉冲周期且下降沿延迟很小时，就能够产生最大脉宽接近输入信号脉冲周期的输出信号，可满足后续设备的使用要求。本实用新型不但结构简单，还具有自启动功能，当输入信号的初始低电平长度大于非对称延迟电路的上升沿延迟，就能够实现自启动。