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公开(公告)号:CN105738800B
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201610067190.8
申请日:2016-01-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F11/27
Abstract: 本发明涉及大规模数字集成电路技术领域,一种基于单双跳变的低功耗确定性BIST及种子压缩方法,一方面,为了降低测试功耗,本发明使用了一种新型的单双跳变单元和ROM存储的控制信号通过单双混合跳变来生成确定性种子,然后利用单跳变重播种技术来生成确定性测试向量。同时,为了减少冗余向量的个数,减少测试时间,本发明还增加了2‑bit减法计数器来约束重播种过程中确定性测试向量生成的个数。另一方面,为了压缩面积开销并生成控制信号,本发明还提出了对应的种子压缩方法,实验结果表明,本发明提出的BIST和种子压缩方法的测试性能,如测试时间、面积开销及测试功耗都有很大程度的降低。
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公开(公告)号:CN105185407B
公开(公告)日:2017-12-26
申请号:CN201510468136.X
申请日:2015-08-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: G11C15/04
Abstract: 本发明涉及一种TCAM单元,一种低匹配线电容的TCAM单元,包括MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5及反相器T1、T2、T3、T4,所述T1输出端与T2输入端相连作为存储数据D端,T1输入端与T2输出端相连作为D#端,MN1栅极与D#端相连,MN2栅极与D端相连;T3输出端与T4输入端相连作为屏蔽位M端,T3输入端与T4输出端相连作为M#端;MN3栅极与M#端相连,源极分别与MN1、MN2漏极相连,MN4栅极与M端相连,源极接地,MN3、MN4漏极相连并与MN5栅极相连,源极接地,漏极与匹配线ML相连。本发明TCAM单元的匹配线等效电容仅为传统NOR型TCAM单元匹配线等效电容的1/4,大大降低了匹配线功耗。另外,由于D和D#互补,避免了两个MOS管之间短路问题的发生。
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公开(公告)号:CN105047223B
公开(公告)日:2017-12-26
申请号:CN201510465640.4
申请日:2015-08-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: G11C15/04
Abstract: 本发明涉及一种匹配线结构,一种或型级联匹配线结构,由第一、二…N个单级OR型匹配线电路串联级联组成,所述每个单级OR型匹配线电路中包括比较控制模块、敏感放大器及第1、2…n个TCAM单元,所述比较控制模块与敏感放大器之间通过匹配线ML连接,所述第1、2…n个TCAM单元分别与匹配线ML并联连接,本发明由于大部分搜索操作都在第一级发生失配,无需启动后级搜索操作,且单级匹配线功耗跟TCAM单元数相关性较小,因此整体电路匹配线平均功耗不会因为字电路位数的增加而增加。同时该匹配线结构不需要对搜索线进行复位操作,有利于降低搜索线功耗。
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公开(公告)号:CN105047223A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510465640.4
申请日:2015-08-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: G11C15/04
Abstract: 本发明涉及一种匹配线结构,一种或型级联匹配线结构,由第一、二…N个单级OR型匹配线电路串联级联组成,所述每个单级OR型匹配线电路中包括比较控制模块、敏感放大器及第1、2…n个TCAM单元,所述比较控制模块与敏感放大器之间通过匹配线ML连接,所述第1、2…n个TCAM单元分别与匹配线ML并联连接,本发明由于大部分搜索操作都在第一级发生失配,无需启动后级搜索操作,且单级匹配线功耗跟TCAM单元数相关性较小,因此整体电路匹配线平均功耗不会因为字电路位数的增加而增加。同时该匹配线结构不需要对搜索线进行复位操作,有利于降低搜索线功耗。
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公开(公告)号:CN104038185B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201410220541.5
申请日:2014-05-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H03K5/1534
CPC classification number: H03K5/1534
Abstract: 本发明公开一种上升沿检测电路,由双稳态存储单元、非对称延迟单元、反相器和多个NMOS晶体管组成,只要非对称延迟电路满足上升沿延迟与下降沿延迟之和大于输入信号的脉冲周期且下降沿延迟很小时,就能够产生最大脉宽接近输入信号脉冲周期的输出信号,可满足后续设备的使用要求。本发明不但结构简单,还具有自启动功能,当输入信号的初始低电平长度大于非对称延迟电路的上升沿延迟,就能够实现自启动。
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公开(公告)号:CN107222401A
公开(公告)日:2017-09-29
申请号:CN201710310664.1
申请日:2017-05-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04L12/701 , H04L12/743 , H04L12/751 , G06F12/08
Abstract: 本发明涉及高速IP查找技术领城,一种基于TCAM的路由查找系统及其方法,系统包括容量为N个条目的TCAM模块1、容量为M个条目的TCAM模块2、具有N个输入端的编码器,具有M个输入端的优先级编码器,两输入选择器和两输入或门,本发明提供的基于TCAM的路由查找及更新方法,具有以下优点:(1)处于第一层和第二层的前缀由于不存在重叠和包含的关系,因此可以在其相应的区间内无序随机放置;(2)降低了在更新时的TCAM表的移动次数;(3)由于减小了移动前缀的次数,在一定程度上降低了TCAM的功耗;(4)由于在第一部分TCAM中,仅使用了编码器,提高了搜索的速度。
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公开(公告)号:CN105185407A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201510468136.X
申请日:2015-08-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: G11C15/04
Abstract: 本发明涉及一种TCAM单元,一种低匹配线电容的TCAM单元,包括MOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5及反相器T1、T2、T3、T4,所述T1输出端与T2输入端相连作为存储数据D端,T1输入端与T2输出端相连作为D#端,MN1栅极与D#端相连,MN2栅极与D端相连;T3输出端与T4输入端相连作为屏蔽位M端,T3输入端与T4输出端相连作为M#端;MN3栅极与M#端相连,源极分别与MN1、MN2漏极相连,MN4栅极与M端相连,源极接地,MN3、MN4漏极相连并与MN5栅极相连,源极接地,漏极与匹配线ML相连。本发明TCAM单元的匹配线等效电容仅为传统NOR型TCAM单元匹配线等效电容的1/4,大大降低了匹配线功耗。另外,由于D和D#互补,避免了两个MOS管之间短路问题的发生。
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公开(公告)号:CN104038185A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410220541.5
申请日:2014-05-23
Applicant: 大连理工大学
IPC: H03K5/1534
CPC classification number: H03K5/1534
Abstract: 本发明公开一种上升沿检测电路,由双稳态存储单元、非对称延迟单元、反相器和多个NMOS晶体管组成,只要非对称延迟电路满足上升沿延迟与下降沿延迟之和大于输入信号的脉冲周期且下降沿延迟很小时,就能够产生最大脉宽接近输入信号脉冲周期的输出信号,可满足后续设备的使用要求。本发明不但结构简单,还具有自启动功能,当输入信号的初始低电平长度大于非对称延迟电路的上升沿延迟,就能够实现自启动。
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公开(公告)号:CN105738800A
公开(公告)日:2016-07-06
申请号:CN201610067190.8
申请日:2016-01-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01R31/3187
Abstract: 本发明涉及大规模数字集成电路技术领域,一种基于单双跳变的低功耗确定性BIST及种子压缩方法,一方面,为了降低测试功耗,本发明使用了一种新型的单双跳变单元和ROM存储的控制信号通过单双混合跳变来生成确定性种子,然后利用单跳变重播种技术来生成确定性测试向量。同时,为了减少冗余向量的个数,减少测试时间,本发明还增加了2?bit减法计数器来约束重播种过程中确定性测试向量生成的个数。另一方面,为了压缩面积开销并生成控制信号,本发明还提出了对应的种子压缩方法,实验结果表明,本发明提出的BIST和种子压缩方法的测试性能,如测试时间、面积开销及测试功耗都有很大程度的降低。
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公开(公告)号:CN107222401B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201710310664.1
申请日:2017-05-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04L12/701 , H04L12/743 , H04L12/751 , G06F12/08
Abstract: 本发明涉及高速IP查找技术领城,一种基于TCAM的路由查找系统及其方法,系统包括容量为N个条目的TCAM模块1、容量为M个条目的TCAM模块2、具有N个输入端的编码器,具有M个输入端的优先级编码器,两输入选择器和两输入或门,本发明提供的基于TCAM的路由查找及更新方法,具有以下优点:(1)处于第一层和第二层的前缀由于不存在重叠和包含的关系,因此可以在其相应的区间内无序随机放置;(2)降低了在更新时的TCAM表的移动次数;(3)由于减小了移动前缀的次数,在一定程度上降低了TCAM的功耗;(4)由于在第一部分TCAM中,仅使用了编码器,提高了搜索的速度。
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