一种数字调控型ACW传输线结构

    公开(公告)号:CN102800640A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201210213102.2

    申请日:2012-06-27

    Abstract: 本发明涉及一种ACW传输线结构,更具体地说,本发明涉及一种数字调控型ACW传输线结构。它主要包括底层、中间层及顶层,层与层之间设置绝缘层,所述中间层采用并行排列的长方形金属条组成的信号传输层,所述中间层金属条中有一根金属条与信号线连接,所述其它金属条的一端分别通过数字开关与信号线相连的金属条连接,所述其它金属条的另一端分别通过数字开关接地。本发明与传统ACW传输线结构相比,它改进了结构,由选择数字控制信号来对这种新型ACW传输线的性能参数进行调整与控制。一方面简化了对ACW传输线的设计,另一方面在芯片生产完成后,也能对ACW传输线性能参数进行调整(传统的ACW传输线不能实现此功能),从而极大的方便了ACW传输线的使用。

    一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器

    公开(公告)号:CN103778957B

    公开(公告)日:2017-07-21

    申请号:CN201410044641.7

    申请日:2014-01-30

    Abstract: 本发明涉及集成电路制造技术领域,一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器,所述高电压摆幅大于区间匹配单元GERMC电路中,第五NMOS管MN5与第一PMOS管MP1互补组合,MP1栅极与D#端相连,源极与第三输入SL相连,第六NMOS管MN6与第二PMOS管MP2互补组合,MP2栅极与D端相连,源极与第四输入SL#相连,两个相互串联组合管之间连接的节点处均与第一、第二NMOS管MN1、MN2的栅极相连,第三NMOS管MN3的漏极与第二输入GE path相连,其栅极与D#端相连。本发明引入两个PMOS管将传输管MN5与MN6变成传输门,提高了P点电压摆幅,可以达到电源电压VDD,使等于链与大于链的信号传输速度增加,电路速度变快,同时也提高了单元电路的鲁棒性,提高了抗噪声能力。

    一种基于微塑料的水体中持久性有机污染物的SERS检测方法

    公开(公告)号:CN111220732A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN202010075170.1

    申请日:2020-01-22

    Abstract: 本发明提供了一种基于微塑料的水体中持久性有机污染物的SERS检测方法,其包括如下步骤:(1)制备银溶胶和AgNPs@SiO2SERS基底;(2)根据微塑料的粒径大小,分别用银溶胶和AgNPs@SiO2基底对微塑料表面吸附的持久性有机污染物的拉曼信号进行原位增强、检测;(3)结合化学计量学方法建立微塑料表面富集持久性有机污染物的预测模型;(4)确定最优拟合模型,计算持久性有机污染物在水相和和固相中的平衡分配系数/平衡吸附常数,估算水体中持久性有机污染物的浓度。该方法利用微塑料作为被动采样器,实现了水体中有机污染物的快速检测,步骤简单,化学试剂消耗少,检测时间短,为水体中持久性有机污染物的快速检测提供了新的思路和技术支持。

    一种数字调控型ACW传输线结构

    公开(公告)号:CN102800640B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201210213102.2

    申请日:2012-06-27

    Abstract: 本发明涉及一种ACW传输线结构,更具体地说,本发明涉及一种数字调控型ACW传输线结构。它主要包括底层、中间层及顶层,层与层之间设置绝缘层,所述中间层采用并行排列的长方形金属条组成的信号传输层,所述中间层金属条中有一根金属条与信号线连接,所述其它金属条的一端分别通过数字开关与信号线相连的金属条连接,所述其它金属条的另一端分别通过数字开关接地。本发明与传统ACW传输线结构相比,它改进了结构,由选择数字控制信号来对这种新型ACW传输线的性能参数进行调整与控制。一方面简化了对ACW传输线的设计,另一方面在芯片生产完成后,也能对ACW传输线性能参数进行调整(传统的ACW传输线不能实现此功能),从而极大的方便了ACW传输线的使用。

    一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器

    公开(公告)号:CN103778957A

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201410044641.7

    申请日:2014-01-30

    Abstract: 本发明涉及集成电路制造技术领域,一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器,所述高电压摆幅大于区间匹配单元GERMC电路中,第五NMOS管MN5与第一PMOS管MP1互补组合,MP1栅极与D#端相连,源极与第三输入SL相连,第六NMOS管MN6与第二PMOS管MP2互补组合,MP2栅极与D端相连,源极与第四输入SL#相连,两个相互串联组合管之间连接的节点处均与第一、第二NMOS管MN1、MN2的栅极相连,第三NMOS管MN3的漏极与第二输入GE?path相连,其栅极与D#端相连。本发明引入两个PMOS管将传输管MN5与MN6变成传输门,提高了P点电压摆幅,可以达到电源电压VDD,使等于链与大于链的信号传输速度增加,电路速度变快,同时也提高了单元电路的鲁棒性,提高了抗噪声能力。

    一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器

    公开(公告)号:CN203706670U

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201420058142.9

    申请日:2014-01-30

    Abstract: 本实用新型涉及集成电路制造技术领域,一种区间匹配CAM单元电路及其组成的RCAM存储器,所述高电压摆幅大于区间匹配单元GERMC电路中,第五NMOS管MN5与第一PMOS管MP1互补组合,MP1栅极与D#端相连,源极与第三输入SL相连,第六NMOS管MN6与第二PMOS管MP2互补组合,MP2栅极与D端相连,源极与第四输入SL#相连,两个相互串联组合管之间连接的节点处均与第一、第二NMOS管MN1、MN2的栅极相连,第三NMOS管MN3的漏极与第二输入GE path相连,其栅极与D#端相连。本实用新型引入两个PMOS管将传输管MN5与MN6变成传输门,提高了P点电压摆幅,可以达到电源电压VDD,使等于链与大于链的信号传输速度增加,电路速度变快,同时也提高了单元电路的鲁棒性,提高了抗噪声能力。

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