一种高线性补偿的电流平整电路

    公开(公告)号:CN102999077A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210509155.9

    申请日:2012-12-03

    Abstract: 一种高线性补偿的电流平整电路,它涉及电路电子领域,它解决了目前电流注入补偿单元线性度的不足,达到高线性补偿的目的。它包括电流检测模块和电流注入补偿模块;电流检测模块,用于检测流经密码核心电路的电流Icore产生的变化电流ΔIcore,并转换变化电流ΔIcore为相应的变化电压ΔV,还用于将变化电压ΔV发送给电流注入补偿模块;电流注入补偿模块,用于将变化电压ΔV线性转换为补偿电流ΔIR,并通过补偿电流ΔIR对变化电流ΔIcore进行补偿,使总的电源端检测到的变化电流ΔItot被削平;电流注入补偿模块由放大器A、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4和第五NMOS管M5至第十NMOS管M10组成。本发明达到隐藏芯片核心电流变化的目的,能够在加密中广泛应用。

    工作在高电源电压下输入轨到轨的斩波运算放大器

    公开(公告)号:CN118399898A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410483857.7

    申请日:2024-04-22

    Abstract: 工作在高电源电压下输入轨到轨的斩波运算放大器,解决了在高的电源电压的情况下,常规输入轨到轨电路以及斩波开关被击穿的问题,属于电子电路技术领域。本发明包括多路径运算放大器通路、CMOS电容耦合自举型斩波开关和纹波抑制回路;在多路径运算放大器通路中,通过使用多支路型输入轨到轨电路结构作为运放第一级,从而实现运放在高电源电压下的输入轨到轨功能;CMOS电容耦合自举型斩波开关作为多路径运算放大器通路中低频高增益通路的输入级,实现了宽输入电压时候的斩波功能,从而降低了运放失调电压以及低频噪声;运放通过使用纹波抑制回路,有效地减小了电路的输出纹波幅度。

    集成式电压频率转换器
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118316445A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410505708.6

    申请日:2024-04-25

    Abstract: 集成式电压频率转换器,解决了电压频率转换器因为使用片外低温漂电阻导致集成度低及电路功耗高的问题,属于电子电路技术领域。本发明包括松弛型电流转频率模块N1、电压转电流模块和温度负反馈模块T1;电压转电流模块包括运放A1、电阻R1、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M8,本发明实现了低温漂、高线性度的片上电阻提高了电压频率转换器的集成度。电阻由线性区的MOS管以及片上高温漂电阻等效而来,通过负反馈使用线性区MOS管的阻值补偿了片上电阻的温漂阻值。通过MOS管漏极电压跟随,也解决了线性区MOS管等效阻值的非线性问题。

    全集成的电荷放大器
    64.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118282329A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410483855.8

    申请日:2024-04-22

    Abstract: 本发明提供一种全集成的电荷放大器,解决了应用在惯性导航装置中电荷放大器的集成度问题,属于电子电路技术领域。本发明包括电荷放大器主体部分、全集成的等效大电阻结构和两个反馈电容,能够将近G欧姆大小的电阻进行集成,同时实现较低的噪声。在该电荷放大器中,通过使用工作在亚阈值区的MOS管来等效近G欧姆大小的电阻;通过温度反馈电路来优化等效电阻的温度特性,避免了不同温度时,等效电阻的阻值变化过大而导致电路非正常工作;通过使用BiCMOS结构,相比于常规CMOS电路结构,降低了电荷放大器的噪声。

    基于忆阻器神经网络的辐射效应诊断系统

    公开(公告)号:CN112130057B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202010960715.7

    申请日:2020-09-14

    Abstract: 本发明涉及一种基于忆阻器神经网络的辐射效应诊断系统,其解决了现有技术通过神经网络诊断集成电路的辐射失效状态,耗费大量硬件资源,诊断过程可靠性低的技术问题,其通过设计的卷积神经网络对集成电路的故障数据集实现了分类诊断;基于忆阻器的神经网络,包含了第一层一维卷积层电路、第二层一维卷积层电路、矩阵正负值运算电路电路、最大池化电路、全连接层的电路结构;通过忆阻器搭建的智能集成电路辐射效应诊断系统可以将诊断电路与待诊断电路集成,可以有效掌控电路的状态,保障系统的可靠性。本发明广泛用于集成电路辐射故障诊断。

    基于IMU船舶姿态监测系统及其算法

    公开(公告)号:CN117288185A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311105765.7

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本申请涉及新一代信息技术领域,尤其涉及基于IMU船舶姿态监测系统,包括上位机和下位机,下位机将电路姿态检测的数据发送至上位机;上位机包括上位机姿态监测模块;下位机包括硬件电路模块、姿态解算算法模块、通信模块,硬件电路模块、姿态解算算法模块、通信模块均设置在主控板上。本申请还提供一种基于IMU船舶姿态监测方法。本申请为低延时的小体积船舶姿态监测电路,测量精准;对加速度计和陀螺仪的数据进行卡尔曼滤波实现数据融合,提高姿态信息的准确性和稳定性;构建多种通信模块,实现上位机系统对下位机姿态数据的实时监测。

    一种面向海面机动目标跟踪的雷达波形设计方法

    公开(公告)号:CN117169818A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202311411481.0

    申请日:2023-10-30

    Abstract: 一种面向海面机动目标跟踪的雷达波形设计方法,涉及雷达通信技术领域。本发明是为了解决机动目标跟踪模型复杂状态下跟踪精度会下降甚至失效,以及计算复杂度高的问题。本发明根据实际需求确定发射波形参数的范围,从而建立发射波形库;利用边缘化粒子滤波框架对机动目标进行跟踪,并对机动目标的线性状态进行卡尔曼滤波获得估计误差协方差矩阵和新息协方差矩阵;计算机动目标的检测概率,并判断机动目标的检测概率是否大于等于检测概率阈值,是则将估计误差协方差矩阵的迹作为目标函数,否则将新息协方差矩阵的行列式作为目标函数;将目标函数遍历发射波形库,选择目标函数值最小时对应的发射波形参数作为雷达波形参数并获得雷达波形。

    一种应用MTJ的全减器
    68.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113470715B

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202110821028.1

    申请日:2021-07-20

    Abstract: 一种应用MTJ的全减器,解决了现有在实现对全减器的MTJ随时写入时,在电源电压方向增加MOS管的方式导致写入功耗增大的问题,属于电子电路技术领域。本发明的一种应用MTJ的全减器,所述全减器包括1位全减器、两个写入电路和两个时钟逻辑控制电路;两个时钟逻辑控制电路输出的时钟信号同时发送两个写入电路;时钟逻辑控制电路均采用或非门电路实现;所述时钟逻辑控制电路的三个输入包括全减器工作时钟、正/反向写入的使能控制信号和正/反向写入的输入时钟信号。本发明通过加入控制门对写入电路的时钟进行控制,减少了写入电路时钟电源电压方向MOS管数量,达到降低写入功耗的目的。

    基于忆阻器神经网络的辐射效应诊断系统

    公开(公告)号:CN112130057A

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN202010960715.7

    申请日:2020-09-14

    Abstract: 本发明涉及一种基于忆阻器神经网络的辐射效应诊断系统,其解决了现有技术通过神经网络诊断集成电路的辐射失效状态,耗费大量硬件资源,诊断过程可靠性低的技术问题,其通过设计的卷积神经网络对集成电路的故障数据集实现了分类诊断;基于忆阻器的神经网络,包含了第一层一维卷积层电路、第二层一维卷积层电路、矩阵正负值运算电路电路、最大池化电路、全连接层的电路结构;通过忆阻器搭建的智能集成电路辐射效应诊断系统可以将诊断电路与待诊断电路集成,可以有效掌控电路的状态,保障系统的可靠性。本发明广泛用于集成电路辐射故障诊断。

    基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法

    公开(公告)号:CN110459649A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910774690.9

    申请日:2019-08-21

    Abstract: 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法,属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷,进而造成太阳电池I-V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数,确定离子的欲注入位置,并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程;然后模拟离子注入过程中的目标I-V变化曲线,当目标I-V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I-V变化曲线的10%时,记录离子注入量;再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间;设置离子注入机,对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理,实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。

Patent Agency Ranking