公开(公告)号：CN102633230A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210125332.3

申请日：2012-04-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李静 ,  岳闯 ,  尹君 ,  臧雅姝 ,  何绪 ,  吴孙桃

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法，涉及一种Si纳米结构。将硅片清洗后，利用反应离子刻蚀系统对硅片进行活化处理，获得具有亲水性的硅片表面；在硅衬底上采用旋涂法自组装单层聚苯乙烯纳米球；利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径，得到不同直径的单层聚苯乙烯纳米球；将单层聚苯乙烯纳米球作为掩膜，利用掩模和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀，交替使用SF6和C4F8进行刻蚀和侧壁的保护；用有机试剂去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物，最终得到硅纳米柱阵列。

公开(公告)号：CN217745104U

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202221295742.8

申请日：2022-05-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 尹君 ,  黄家新 ,  康闻宇 ,  康俊勇

IPC: A61L2/10 ,  A61L2/26

Abstract: 本实用新型涉及一种手持式深紫外面光源消杀灯及消杀装置，装置呈手持条形扫描灯状，包含：采用均匀面光源设计的深紫外LED阵列，阵列上方嵌套铝反射组件；反射组件上方置有石英玻璃片，可有效保护装置免受污染；阵列基板下部紧贴水冷散热模块，水冷管道通过两个接口连接水冷箱作为散热器；装置外部封装呈条形灯状，包裹住内部LED阵列、反射组件与散热模块；LED阵列通过外接电源供电。本实用新型中的反射组件内置反射凹槽，对应于每一颗LED芯片，可改善深紫外LED的朗伯出光角度，得到近平行深紫外光。装置采用手持式设计，可在保证高效消杀的前提下提升便携性。