绝缘子表面污秽粒径分布的检测方法

    公开(公告)号:CN105588789A

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201610157134.3

    申请日:2016-03-18

    Inventor: 梅红伟 王黎明

    CPC classification number: G01N15/0205 G01N15/0227

    Abstract: 本发明公开了一种绝缘子表面污秽粒径分布的检测方法,包括以下步骤:判断待检的绝缘子表面的污秽量,当判断绝缘子表面的污秽量不低于预定量时,利用激光粒度仪对绝缘子表面污秽的粒径分布进行测量,当判断绝缘子表面的污秽量低于预定量时,利用电子显微镜拍摄绝缘子表面的图像,分析所述图像以对绝缘子表面污秽的粒径分布进行统计,测出绝缘子表面污秽的粒径分布。本发明弥补了现有激光粒度仪测量方法的不足,能够对污秽等级较低、积污期较短等地区的绝缘子表面污秽粒径分布进行测量和分析。

    一种材料憎水性能的测试方法及装置

    公开(公告)号:CN104568676A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201510030861.9

    申请日:2015-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种材料憎水性能的测试方法及装置,该方法包括如下步骤:将液滴滴到材料上,将参照物置于所述被测试材料上;对所述被测试材料、以及被测试材料上的液滴和参照物进行拍照,获得图像;计算所述液滴和参照物分别在所述图像中所占的液滴像素个数N和参照物像素个数N0;计算所述液滴至所述被测试材料的实际投影面积DA:其中,S0是设定的所述参照物至所述被测试材料的实际投影面积;根据所述实际投影面积DA的大小判断所述被测试材料的憎水性能。相比于现有技术,本发明测试材料的憎水性能更加简单和准确。

    一种获取流注沿绝缘介质表面传播的传播概率分布曲线的方法

    公开(公告)号:CN103995219A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410201930.3

    申请日:2014-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种获取流注沿绝缘介质表面传播的传播概率分布曲线的方法,其特征在于包括以下步骤:S1、将待测的绝缘介质置于沿绝缘介质表面流注放电试验系统中,以至少测量在四个不同电场强度E下流注自绝缘介质的第一端部传播到第二端部的传播概率y,从而获得至少四组电场强度E与传播概率y的对应数据;S2、根据下述高斯分布公式对所述数据进行拟合,获取流注沿所述绝缘介质表面传播的传播概率分布曲线。高斯分布公式:其中,Ec为电场强度的均值,w为此高斯分布的方差,A、y0为待定系数。本发明获得的曲线能够准确的测量绝缘介质表面流注稳定传播场强。

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