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公开(公告)号：CN103995219A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410201930.3
申请日：2014-05-13
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种获取流注沿绝缘介质表面传播的传播概率分布曲线的方法，其特征在于包括以下步骤：S1、将待测的绝缘介质置于沿绝缘介质表面流注放电试验系统中，以至少测量在四个不同电场强度E下流注自绝缘介质的第一端部传播到第二端部的传播概率y，从而获得至少四组电场强度E与传播概率y的对应数据；S2、根据下述高斯分布公式对所述数据进行拟合，获取流注沿所述绝缘介质表面传播的传播概率分布曲线。高斯分布公式：其中，Ec为电场强度的均值，w为此高斯分布的方差，A、y0为待定系数。本发明获得的曲线能够准确的测量绝缘介质表面流注稳定传播场强。
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