一种芽孢杆菌及其在发酵生产聚羟基丁酸酯中的应用

    公开(公告)号:CN103421714A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310334420.9

    申请日:2013-08-02

    Inventor: 黄少斌 刘勇

    Abstract: 本发明公开了一种芽孢杆菌及其在发酵生产聚羟基丁酸酯中的应用,所述芽孢杆菌(Bacillus shackletonii)K5,由中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心保藏,其简称为CGMCC,保藏编号是CGMCC No.7488,保藏日期为2013年04月18日。该芽孢杆菌对温度有一定的耐受程度,在25~50℃温度条件下,均具有一定的产聚羟基丁酸酯的能力,其中该菌最佳的生长温度及产聚羟基丁酸酯的最佳温度为45℃,用于工业发酵生产聚羟基丁酸酯时无需经过降温或者说降温耗能将大大减少,降低生产成本。生产的聚羟基丁酸酯可用于制备医疗器材。

    基于SPSS分段拟合地区性雷电流幅值概率分布的方法

    公开(公告)号:CN102854364A

    公开(公告)日:2013-01-02

    申请号:CN201210278206.1

    申请日:2012-08-06

    Abstract: 一种基于SPSS分段拟合地区性雷电流幅值概率分布的方法:S1记录所述地区每次雷击的雷电定位数据:包括雷击具体地点、雷电流幅值I;S2通过Excel软件统计,求出不同雷电流幅值的累计概率P(>I);S3对雷电定位数据进行筛选:只考虑雷电流幅值在0~200kA之间的负极性雷电流;S4将雷电流幅值分为(0,13]、(13,45]、(45,200]这三个区间,取置信概率95%的设定值进行拟合。本发明能更为真实反映地区雷电流幅值分布规律,为线路雷击跳闸率计算提供更准确的基础数据,可以更科学的指导输电线路防雷设计及运行维护,有效降低线路雷击跳闸风险,产生了明显的经济效益和社会效益。

    细晶高介陶瓷电容器介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN100392779C

    公开(公告)日:2008-06-04

    申请号:CN200410052106.2

    申请日:2004-11-08

    Inventor: 庄志强 刘勇 刘波

    Abstract: 本发明公开了一种直接利用水热合成纳米晶BT/BZT粉体制成陶瓷电容器介质材料及其制备方法。该材料包括主晶相锆钛酸钡Ba(Ti1-xZrx)O3和改性成分金属,主晶相粉体晶粒尺寸为25~40nm,主晶相摩尔数为96~98.5%;改性成分金属元素含有Li、Ca、Mg、Sr、Sc、Nb、Ta、Mn、Co、Ni、Zn、Si、Sb、Y、Bi和镧系元素中的至少四种。制备方法包括主晶相粉体分散成料浆、改性成分对主晶相粉体的表面淀积包覆;洗涤、液固分离等步骤。所得介质材料晶粒尺寸小,介质膜介电系数高,制备方法工艺简单,耗能小。

    一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN119521794A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202510065476.1

    申请日:2025-01-16

    Abstract: 本发明属于太阳能电池的技术领域,公开了一种Si衬底上生长GaAs纳米柱作为i型层的Si基太阳能电池结构及其制备方法。所述太阳能电池结构从下至上包括背面电极、Si衬底、i型层GaAs纳米柱、空穴传输层、正面电极;i型层GaAs纳米柱通过以下方法制备:1)将Si衬底进行高温退火,将Ga源和As源分别进行升温,As源先蒸发,然后裂解;2)在Si衬底上沉积一层Ga,高温生长GaAs纳米柱,低温继续生长,Si衬底上获得i型层GaAs纳米柱。本发明还公开了太阳能电池结构的制备方法。本发明使用Ga作为自催化剂,不会引入其他杂质,同时i型层GaAs纳米柱能够增强Si基太阳能电池太阳光的吸收,提升光电转换效率。

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