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公开(公告)号：CN110339992B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201910570950.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开一种光致超声换能器及其制备方法，该方法包括以下步骤：1)选取长方体形状的硅片并进行超声清洗；2)采用化学气相沉淀法在硅片上生长碳纳米管阵列膜；3)配置PDMS混合溶液；4)将配好的PDMS滴在碳纳米管阵列膜上使其在碳纳米管阵列顶部分散开；5)然后将滴有PDMS的碳纳米管阵列膜放置于真空环境下；6)抽完真空后在将碳纳米管阵列膜固化；7)待碳纳米管阵列膜固化后，将其从硅片上撕下后，采用感应耦合等离子体刻蚀法(ICP)对碳纳米管阵列膜进行刻蚀使其变薄厚度，使其达到预期的厚度。8)将脉冲激光做作用于减薄后的碳纳米管阵列膜后将会产生高频超声信号。本发明方法工艺简单，操作方便，制备的高频光声换能器性能良好。
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公开(公告)号：CN108759643B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201810269481.4
申请日：2018-03-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁传感器阵列坐标系的磁性目标定位方法，包括：根据各个磁传感器的位置坐标，建立磁传感器阵列坐标系，当磁性目标进入磁传感器阵列坐标系后，采集各个磁传感器的磁场值；根据各个磁传感器的磁场值，得到各个磁传感器的磁场总量值，剔除磁场总量值最大的磁传感器的磁场值及其位置坐标，得到剩余数据；利用各个磁传感器的磁场值建立目标函数，将剩余数据带入目标函数，利用粒子群算法和LM对目标函数进行优化，得到磁性目标的定位结果。本发明方法快速高效，可以满足磁性目标定位的实时性与准确性要求。
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公开(公告)号：CN108693486A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810293650.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/00
Abstract: 本发明公开了一种基于AMR传感器的微弱低频磁信号检测方法和系统，包括：AMR传感器模块，用于检测nT级别的微弱低频磁信号，利用双极性交流桥电压激励信号进行交流调制输出交流电压信号；激励通道模块，用于将单极性正弦信号转换为双极性交流桥电压激励信号；所述参考通道模块，用于对方波信号进行移相操作，得到方波信号；置位和复位模块，用于利用推挽输出特性，输出电流脉冲信号，信号通道模块，用于对交流电压信号依次进行放大、带通滤波、相敏解调和低通滤波，进而滤除相敏解调后的交流成分和传感器前级放大电路的本底噪声，得到微弱低频磁信号的有效成分。本发明的能够抑制噪声、抗干扰性强、对微弱低频磁场信号检测精度高。
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公开(公告)号：CN108681207A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810456005.3
申请日：2018-05-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0035
Abstract: 本发明公开了一种基于透明柔性薄膜材料的曲面光刻工艺，包括以下步骤：(1)将目标曲面图案沿平面展开，将平面化图案制作在平面状的光刻掩膜版或硬掩膜板上；(2)选取柔性薄膜材料；(3)采用光刻掩膜版进行处理，或者采用硬掩膜板对柔性薄膜材料进行处理，得到表面具有完整非透明图案的柔性基底；(4)在待光刻的曲面上涂胶，将柔性基底紧密无缝隙的贴附在该待光刻的曲面上，经过曝光、显影后，即可实现曲面光刻。本发明通过对关键曲面光刻工艺的整体工艺流程设计、尤其是光刻图案由平面转至曲面的转换工艺步骤等进行改进，与现有技术相比能够有效解决更复杂电极、复杂微MEMS结构在具有一定的曲率结构的表面上实现的问题。
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公开(公告)号：CN106093525B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610472240.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微位移测量的电流传感器及其制作方法，包括磁致伸缩反射面和光纤。其中制作方法包括以下步骤：选取长方形的金属玻璃(metglass)并进行清洗；在metglass上、下表面各溅射一层一定厚度的磁致伸缩薄膜；在metglass下表面溅射一层一定厚度的高反膜；在metglass下表面两端用环氧树脂各粘贴一个非磁性金属块；在两个非磁性金属块的另一端用环氧树脂粘贴一块正中带有通孔的非磁性金属板；将光纤通过一个非磁性金属管，再将它们通过非磁性金属板的孔，使光纤端面与高反膜之间保持合适的距离，这样在光纤端面与高反膜之间就形成了一个光纤法布里－珀罗干涉仪。本发明方法工艺简单，操作方便，制造的传感器灵敏度较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108091758A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711284789.8
申请日：2017-12-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于温度测量技术领域，涉及一种钨铼热电偶高温抗氧化涂层结构中的氧阻挡材料及其应用。该氧阻挡材料为多层结构，总厚度为50～200μm，该多层结构中的氧阻挡材料存在成分梯度和浓度梯度，即通过调整每一层材料种类或材料之间的配比，使得氧阻挡材料中各层材料热膨胀系数向远离钨铼热电偶基体的方向逐渐增大，氧阻挡材料中各层材料的耐氧烧蚀能力向远离钨铼热电偶基体的方向也逐渐增大，从而增加钨铼热电偶高温抗氧化涂层的附着力，同时减小钨铼热电偶高温抗氧化涂层的应力。
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公开(公告)号：CN108034939A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711284029.7
申请日：2017-12-07
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C23C4/10 , C23C4/134 , C23C4/18 , C23C16/32 , C23C16/56 , C23C24/082 , C23C28/04
Abstract: 本发明属于温度测量技术领域，更具体地，涉及一种钨铼热电偶抗氧化涂层的致密化方法。所述钨铼热电偶抗氧化涂层附着于钨铼热电偶基体表面，包括过渡层以及位于所述过渡层表面的氧阻挡层，所述过渡层材料的热膨胀系数介于所述钨铼热电偶基体材料与所述氧阻挡层选用的材料之间；对所述钨铼热电偶抗氧化涂层进行等静压和热处理，使得该抗氧化涂层更加致密，微裂纹更少，孔隙率更低，同时热应力得到释放，使得钨铼热电偶抗氧化涂层厚度减小40％以上，同时该涂层2000℃以上有氧环境下的耐氧烧蚀能力显著增强，由此解决2000℃以上超高温有氧环境中长时间接触式温度测量的问题。
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公开(公告)号：CN107880598A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711163409.5
申请日：2017-11-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高附着力的铂铑热电偶表面防碳涂层及其制备方法，属于无机功能涂层材料技术领域，铂铑热电偶表面防碳涂层为交替放置的第一涂膜材料和第二涂膜材料，第一涂膜材料为向Y2O3溶胶凝胶中加入质量分数为20％-30％的Y2O3超细粉体得到的混合物、第二涂膜材料为向高温粘合剂中加入质量分数为25％-35％的Y2O3超细粉体得到的混合物，Y2O3超细粉体的直径为40nm-60nm，铂铑热电偶表面防碳涂层的厚度为30μm-50μm。本发明利用高温粘合剂加Y2O3超细粉体作为涂层材料在使用过程中，由于其本身具有的粘性可以使材料粘合在一起，制备完成的铂铑热电偶表面防碳涂层具有更好的附着力，且在氧化测试过程中更不容易开裂。
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公开(公告)号：CN107474267A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710605677.1
申请日：2017-07-24
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C08L79/08 , C08J5/18 , C08J2375/08 , C08J2379/08 , C08J2483/04 , C08K3/02 , C08K9/00 , C08K2003/026 , C08K2201/003 , C08K2201/011 , C08L2203/16 , C08L83/04 , C08L75/08
Abstract: 本发明公开了一种光致超声薄膜及其制备方法，制备方法包括：配制黑磷溶液和有机聚合物溶液；将黑磷溶液和有机聚合物溶液混合后获得第一混合溶液，对第一混合溶液进行成膜处理，促进各物质之间发生法学反应，同时去除溶剂，获得具有自修复功能的光致超声薄膜，由于黑磷具有较高的光热转化效率，而聚二甲基硅氧烷具有较高的热膨胀系数，因此该光致超声薄膜具有较高的光声转化效率。本发明方法工艺简单，操作方便，制造的换能器灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN106871934A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710187438.9
申请日：2017-03-27
Applicant: 华中科技大学 , 中国人民解放军火箭军指挥学院
Abstract: 本发明公开了一种拓宽磁电传感器响应频率范围的方法，包括如下步骤：首先，根据磁电传感器在不同频率相同幅值的交变磁场激励下的输出信号获得幅频数据，根据谐振频率下的磁电系数与在不同频率下的磁电系数中获得在不同频率下的补偿系数；根据磁电传感器在被测信号激励下输出信号获得被测信号的响应频域数据；然后，对被测信号的响应频域数据与不同频率下的补偿系数进行相乘处理获得被测信号补偿后响应频域数据；最后，对被测信号补偿后响应幅频域据进行逆傅里叶变换获得被测信号补偿后时域数据。本发明从方法的角度实现对磁电传感器输出信号的补偿，实现简单且成本低，能够快速调整该方法适用于不同类型的磁电传感器时，可以降低产品开发周期。
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