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公开(公告)号：CN110118947B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910319990.8
申请日：2019-04-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种磁传感装置，包括谐振模块、伸缩模块和测频模块；谐振模块与伸缩模块通过耦合的方式连接，测频模块通过电极与谐振模块相连；谐振模块包括一个单独的谐振器，通过接收测频模块的电压信号产生谐振振动；伸缩模块采用磁致伸缩材料，通过接受外部磁场的变化，将磁致伸缩效应产生的应力和弹性模量的变化反馈给谐振模块；测频模块用于驱动谐振模块的谐振振动，并通过测量谐振模块工作状态的变化，获取外部磁场信号。本发明提供了一种单梁谐振器的磁传感装置，将磁场变化转换为谐振器频率变化，实现低成本、高灵敏度的磁场测量。
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公开(公告)号：CN110118946A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910318965.8
申请日：2019-04-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种谐振式磁传感器包括谐振单元、磁致伸缩材料、激励测频装置；其中，所述谐振单元包括结构相等且对称连接的两谐振器，各设置有一个正极，共用一个负极，和激励测频装置通过正极、负极相连，不仅可以产生谐振振动，且通过提高其Q值，从而提高谐振式磁传感器的信噪比；在外部磁场的作用下，磁致伸缩材料将产生应力和弹性模量的变化，进而改变谐振单元的工作状态，激励测频装置通过测量谐振器的谐振频率的变化，即可测量外部磁场信号的幅度大小及频率。本发明解决了现有的谐振式传感器因无法抑制系统的低频本征噪声导致输出信号分辨率低问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110118946B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910318965.8
申请日：2019-04-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种谐振式磁传感器包括谐振单元、磁致伸缩材料、激励测频装置；其中，所述谐振单元包括结构相等且对称连接的两谐振器，各设置有一个正极，共用一个负极，和激励测频装置通过正极、负极相连，不仅可以产生谐振振动，且通过提高其Q值，从而提高谐振式磁传感器的信噪比；在外部磁场的作用下，磁致伸缩材料将产生应力和弹性模量的变化，进而改变谐振单元的工作状态，激励测频装置通过测量谐振器的谐振频率的变化，即可测量外部磁场信号的幅度大小及频率。本发明解决了现有的谐振式传感器因无法抑制系统的低频本征噪声导致输出信号分辨率低问题。
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公开(公告)号：CN110118947A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910319990.8
申请日：2019-04-19
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种磁传感装置，包括谐振模块、伸缩模块和测频模块；谐振模块与伸缩模块通过耦合的方式连接，测频模块通过电极与谐振模块相连；谐振模块包括一个单独的谐振器，通过接收测频模块的电压信号产生谐振振动；伸缩模块采用磁致伸缩材料，通过接受外部磁场的变化，将磁致伸缩效应产生的应力和弹性模量的变化反馈给谐振模块；测频模块用于驱动谐振模块的谐振振动，并通过测量谐振模块工作状态的变化，获取外部磁场信号。本发明提供了一种单梁谐振器的磁传感装置，将磁场变化转换为谐振器频率变化，实现低成本、高灵敏度的磁场测量。
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公开(公告)号：CN106093525A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610472240.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微位移测量的电流传感器及其制作方法，包括磁致伸缩反射面和光纤。其中制作方法包括以下步骤：选取长方形的金属玻璃(metglass)并进行清洗；在metglass上、下表面各溅射一层一定厚度的磁致伸缩薄膜；在metglass下表面溅射一层一定厚度的高反膜；在metglass下表面两端用环氧树脂各粘贴一个非磁性金属块；在两个非磁性金属块的另一端用环氧树脂粘贴一块正中带有通孔的非磁性金属板；将光纤通过一个非磁性金属管，再将它们通过非磁性金属板的孔，使光纤端面与高反膜之间保持合适的距离，这样在光纤端面与高反膜之间就形成了一个光纤法布里－珀罗干涉仪。本发明方法工艺简单，操作方便，制造的传感器灵敏度较高。
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公开(公告)号：CN108681207A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810456005.3
申请日：2018-05-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0035
Abstract: 本发明公开了一种基于透明柔性薄膜材料的曲面光刻工艺，包括以下步骤：(1)将目标曲面图案沿平面展开，将平面化图案制作在平面状的光刻掩膜版或硬掩膜板上；(2)选取柔性薄膜材料；(3)采用光刻掩膜版进行处理，或者采用硬掩膜板对柔性薄膜材料进行处理，得到表面具有完整非透明图案的柔性基底；(4)在待光刻的曲面上涂胶，将柔性基底紧密无缝隙的贴附在该待光刻的曲面上，经过曝光、显影后，即可实现曲面光刻。本发明通过对关键曲面光刻工艺的整体工艺流程设计、尤其是光刻图案由平面转至曲面的转换工艺步骤等进行改进，与现有技术相比能够有效解决更复杂电极、复杂微MEMS结构在具有一定的曲率结构的表面上实现的问题。
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公开(公告)号：CN106093525B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610472240.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微位移测量的电流传感器及其制作方法，包括磁致伸缩反射面和光纤。其中制作方法包括以下步骤：选取长方形的金属玻璃(metglass)并进行清洗；在metglass上、下表面各溅射一层一定厚度的磁致伸缩薄膜；在metglass下表面溅射一层一定厚度的高反膜；在metglass下表面两端用环氧树脂各粘贴一个非磁性金属块；在两个非磁性金属块的另一端用环氧树脂粘贴一块正中带有通孔的非磁性金属板；将光纤通过一个非磁性金属管，再将它们通过非磁性金属板的孔，使光纤端面与高反膜之间保持合适的距离，这样在光纤端面与高反膜之间就形成了一个光纤法布里－珀罗干涉仪。本发明方法工艺简单，操作方便，制造的传感器灵敏度较高。
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