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公开(公告)号：CN113612029A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110905926.5
申请日：2021-08-06
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种多层波导馈电低成本毫米波高增益缝隙天线阵列，属于天线领域，具体包括从上到下的辐射结构、波导结构和馈电波导结构；所述辐射结构中板1上有辐射槽，板2上有脊型结构的矩形空腔；波导结构中板3，板4和板5上均有EBG结构，且板3有矩形馈电槽，板4上有与之连通的矩形空腔；板5有与矩形空腔连通的矩形槽；馈电波导结构中板6，板7和板8上均有EBG结构，板6上顶端正对板5有大小相同的矩形槽且连通，底端有与之连通的矩形空腔，板7和板8各有一个矩形槽正对且连通，用于过渡标准波导向板6底端的矩形空腔馈电；然后通过矩形槽，板5的矩形槽，板4的矩形空腔，板3的矩形馈电槽向辐射结构馈电。本发明实现了良好的辐射性能。
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公开(公告)号：CN111029705B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201911304173.1
申请日：2019-12-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了基于短路多线耦合枝节的单层平面宽带混合环耦合器，属于电气领域。该耦合器构建在单层印刷电路板上；顶层为耦合器电路结构，包括四个端口，分别为输入端口，输出直通端口，隔离端口和输出耦合端口；以及依次串联的第一节微带线、短路多线耦合枝节、第二节微带线和第三节微带线。输入端口和输出耦合端口位于电路板的同一侧，输出直通端口和隔离端口对称设置，且分别连接SMA头。短路多线耦合枝节中每段微带线具有相同的线宽和长度，且每段微带线之间的间距相同。本发明使用了短路六线耦合枝节，结构简单，易于设计且便于加工制作；电路结构平面化，可采用单层电路板加工；性能上达到平面宽带性能，实现对对5G主要工作频段的全覆盖。
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公开(公告)号：CN113098422A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110365324.5
申请日：2021-04-06
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种对称互感耦合小型化多频带通LTCC滤波器芯片，涉及无源射频滤波器技术领域,上述多频带通滤波器包括：信号输入端口、信号输出端口、多个滤波电路，所述信号输入端口、信号输出端口和多个滤波电路通过低温共烧陶瓷LTCC技术被集成于多层介质基板、且多层介质基板以堆叠方式集成于一体；每一滤波电路与一个频段对应，用于对所对应频段的信号进行带通滤波；各滤波电路并联，各滤波电路的输入端分别与所述信号输入端口连接，各滤波电路的输出端分别与所述信号输出端口连接。本实施例提供的多频带通滤波器芯片，能够对多频段的信号进行处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111326840B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010082493.3
申请日：2020-02-07
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种自封装基片集成的领结胞元人工表面等离子体激元传输线，该传输线包括：第一介质板、第二介质板、第三介质板、第四介质板以及第五介质板，第二介质板具有第一通槽，第四介质板具有第二通槽，第一介质板的金属层、第二介质板的金属层、第三介质板的上表面的接地板、第三介质板的下表面的金属层、第四介质板的金属层以及第五介质板的金属层均为电线接地端，各个电线接地端通过贯穿第一介质板、第二介质板、第三介质板、第四介质板以及第五介质板的金属通孔相连，采用本发明实施例的技术方案，通过第一通槽、第二通槽以及金属通孔形成的电磁屏蔽空间，降低信号传输过程中的信号损耗，减少信号传输过程中向外辐射的信号。
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公开(公告)号：CN111710994A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010551824.3
申请日：2020-06-17
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供的面向薄型5G及下一代移动终端宽频毫米波天线阵列，中间层贴片使用了四个E形贴片，以及顶层贴片使用了矩形贴片，并且，各E形贴片的矩形辐射片体每个角位置处和各矩形贴片每个角位置处分别设置有切口，这样可以双层贴片中每层贴片设置的切口，可以减少天线使用的材料，也可以通过切口可以拓展了天线阵列的带宽；并且，相较于相关技术中基于带有宽带贴片天线元件的巴特勒矩阵馈电网络的双层5G天线阵列在较宽的频带内工作，但其回波损耗相对较低，本发明实施例在金属地面和中间层贴片之间添加用于作为短路引脚的口结构，不仅进一步拓展了天线阵列的带宽，还使天线阵列各端口的回波损耗得到了有效的提升。
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公开(公告)号：CN111682858A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010518289.1
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种InGaP/GaAs HBT双频功率放大器芯片，上述双频功率放大器芯片包括：衬底、输入端口1、输出端口2、输入匹配电路3、级间匹配电路4、双频输出匹配电路5、驱动级晶体管6以及输出级晶体管7；其中，输入端口1与输入匹配电路3的第一端连接；输入匹配电路3的第二端与驱动级晶体管6的基极连接；驱动级晶体管6的集电极与级间匹配电路4的第一端连接；级间匹配电路4的第二端与输出级晶体管7的基极连接；输出级晶体管7的集电极与双频输出匹配电路5的第一端连接；双频输出匹配电路5的第二端与输出端口2连接。本发明实施例提供的双频功率放大器芯片具备双频工作能力。
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公开(公告)号：CN111478007A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010197293.2
申请日：2020-03-19
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明实施例提供了一种低频横跨和高频反向多功能复用的双频定向耦合器，该双频定向耦合器包括多个耦合线组、多个电容器及四个端口；各耦合线组包括两条耦合线，多个耦合线组两两之间首尾串联，且位于两端的两个耦合线组中的耦合线分别连接至各端口；各电容器包括两个接头；相连的两个耦合线组之间设置一个电容器，且该电容器的两个接头分别连接至连接处的两个耦合线；两端的耦合线组和端口之间设置一个电容器，且该电容器的两个接头分别连接至一端耦合线组中的两条耦合线。本发明实施例提供的双频定向耦合器可以实现电路结构复用，在低频时为横跨定向耦合器，在高频时为反向定向耦合器，由此可以实现耦合器端口功能的扩展。
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公开(公告)号：CN111326840A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010082493.3
申请日：2020-02-07
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种自封装基片集成的领结胞元人工表面等离子体激元传输线，该传输线包括：第一介质板、第二介质板、第三介质板、第四介质板以及第五介质板，第二介质板具有第一盲槽，第三介质板具有第三盲槽，第一介质板的金属层、第二介质板的金属层、第三介质板的上表面的接地板、第三介质板的下表面的金属层、第四介质板的金属层以及第五介质板的金属层均为电线接地端，各个电线接地端通过贯穿第一介质板、第二介质板、第三介质板、第四介质板以及第五介质板的金属通孔相连，采用本发明实施例的技术方案，通过第一盲槽、第三盲槽以及金属通孔形成的电磁屏蔽空间，降低信号传输过程中的信号损耗，减少信号传输过程中向外辐射的信号。
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