公开(公告)号：CN116915239A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310701608.6

申请日：2023-06-13

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  福州大学

Inventor： 潘杰 ,  李凡阳 ,  原义栋 ,  沈红伟 ,  温立国 ,  李梦姣

IPC: H03K19/094 ,  H03F1/52 ,  H03K19/003 ,  H03K19/00

Abstract: 本发明实施例提供一种抗高压的轨到轨输入级电路及运算放大器，属于集成电路技术领域。所述轨到轨输入级电路包括：轨到轨输入模块，其通过多组N/P型低压器件互补差分对形成为恒跨导结构，用于接入并处理差分输入信号；抗高压模块，其包括设置在所述轨到轨输入模块的差分输出路径上的N/P型高压器件互补差分对，用于对所述轨到轨输入模块中的各个N/P型低压器件进行限压；以及共模反馈模块，连接所述抗高压模块中的各个N/P型高压器件的控制端，以向相应N/P型高压器件提供控制电压。据此，抗高压模块中的高压器件被共模反馈模块提供的控制电压所控制，进而改变相应高压器件的端口间电压，以实现对轨到轨输入模块中的低压器件的限压，避免低压器件被击穿。

公开(公告)号：CN116722845A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310780940.6

申请日：2023-06-28

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 原义栋 ,  苏萌 ,  张蕊 ,  赵天挺 ,  胡毅 ,  李振国 ,  沈红伟 ,  侯佳力 ,  王亚彬

IPC: H03K5/24

Abstract: 本发明公开了一种比较器、芯片及电子设备，其中，比较器包括：预放大电路、锁存电路和校正电路，校正电路包括第一校正单元、存储单元和第二校正单元，第一校正单元与预放大电路的差分输入端相连，预放大电路的差分输出端通过存储单元与锁存电路的差分输入端相连，第二校正单元与锁存电路的差分输入端相连，其中，在失调存储阶段，通过第一校正单元将预放大电路的输入失调电压存储至存储单元，通过第二校正单元将锁存电路的输入失调电压存储至存储单元，以在信号比较阶段，通过存储单元的电压校正预放大电路的输入失调电压和锁存电路的输入失调电压，由此，使比较器具有较高的比较精度。

公开(公告)号：CN115598501A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211275898.4

申请日：2022-10-18

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司(CN)

Inventor： 周世聪 ,  原义栋 ,  沈红伟 ,  金荣 ,  刘晓艳 ,  伍苹 ,  施景超

IPC: G01R31/28

Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种集成电路版本确定方法、电路、电子设备和芯片，所述集成电路版本确定方法包括在所述晶圆中的第一模拟集成电路的第一输入端口设置包括第一上拉电阻或第一下拉电阻的第一电阻，在所述晶圆中的第一模拟集成电路的第二输入端口设置包括第二上拉电阻或第二下拉电阻的第二电阻，获取所述第一电阻和第二电阻的阻值比；根据所述第一电阻和第二电阻的阻值比确定所述第一模拟集成电路的版本，从而无需额外设置测试引脚，也无需用显微镜观察模拟集成电路的芯片表面的标识来进行版本识别，提高了封装可操作性。

公开(公告)号：CN115333333A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202211008610.7

申请日：2022-08-22

Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 宋海飞 ,  原义栋 ,  胡毅 ,  沈红伟 ,  宋一炜 ,  杨巍 ,  李睿 ,  申爱华 ,  王旭

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  G01R31/40

Abstract: 本公开涉及电子电气技术领域，具体涉及公开了一种开关电源及其故障预测方法、装置、介质、芯片、系统，该开关电源包括：数模转换器，用于数字采样所述开关电源当前的输出电压和输出电流；数字控制器，连接所述数模转换器和驱动电路，用于根据从所述数模转换器获取的输出电压和输出电流确定脉宽调制PWM信号占空比，控制驱动电路按照所述PWM信号占空比为功率开关电路提供所述PWM信号；基于预存的函数模型，根据所述输出电压、输出电流和所述PWM信号占空比，确定所述开关电源的寿命参数，并在所述开关电源的寿命参数达到寿命终止条件时，输出告警信息。该技术方案可以更准确地预测开关电源的故障，主要用于开关电源的故障预测。

公开(公告)号：CN115173498A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210568554.6

申请日：2022-05-24

Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 于亚运 ,  宋海飞 ,  沈红伟 ,  原义栋

IPC: H02J7/00 ,  H02J7/35 ,  H01M10/44 ,  G01D21/00

Abstract: 本发明实施例提供一种无线传感器的充电控制方法、充电控制装置和无线传感器，属于物联网技术领域。该无线传感器的充电控制方法包括：检测储能模块的电压；当储能模块的电压低于预设的第一阈值时，控制太阳能电池板对储能模块进行充电；当储能模块的电压达到最大允许充电电压时，控制太阳能电池板停止对储能模块充电；当储能模块的电压低于预设的第二阈值时，控制备用供电模块对储能模块进行充电，预设的第一阈值小于储能模块的最大允许充电电压，预设的第一阈值大于预设的第二阈值，预设的第二阈值大于储能模块的最小允许电压。当太阳能电池板不能正常充电时，可以控制备用供电模块对储能模块进行充电，以增强无线传感器对恶劣环境的适应性。

公开(公告)号：CN114154601A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111254682.5

申请日：2021-10-27

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 张学磊 ,  孙云龙 ,  温立国 ,  沈红伟 ,  乔彦彬

IPC: G06K17/00 ,  G01K13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于RFID芯片的测温方法与装置、测温系统、存储介质，其中，基于无源超高频RFID芯片的测温方法包括以下步骤：在建立与无源超高频RFID芯片之间的通信连接后，读取所述无源超高频RFID芯片的存储器数据，确定无源超高频RFID芯片的反向链路频率与温度之间的关系；获取无源超高频RFID芯片的当前反向链路频率，并根据关系和当前反向链路频率确定无源超高频RFID芯片的温度值。由此，本实施例的基于无源超高频RFID芯片的测温方法能够兼容多种测温环境，且检测方法简易灵敏，同时还能够降低测温成本，提高工作效率和用户使用体验。

公开(公告)号：CN112101057A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011305922.5

申请日：2020-11-20

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 胡毅 ,  陈会军 ,  李德建 ,  唐晓柯 ,  冯曦 ,  沈红伟

IPC: G06K7/10

Abstract: 本发明实施例提供一种标签数量估算方法、装置、电子设备及存储介质。所述方法包括：设定帧长度系数Q，基于最小不可检测的碰撞标签数量值Limit，获取相应帧长度内每个帧时隙内的碰撞标签数量值；统计相应帧长度内不同的碰撞标签数量值所分别对应的帧时隙数量之和；根据最小不可检测的碰撞标签数量值Limit和所述帧长度系数Q，查询对应的标签碰撞系数K；根据统计的帧时隙数量之和以及标签碰撞系数K，对标签数量进行第一轮估算，得到第一估算结果。通过上述方法，根据不同的帧长度系数Q和最小不可检测的碰撞标签数量值Limit，得到对应的碰撞系数K，使得对标签数量的估算更为准确，更加适用于标签数量较多的情况。

公开(公告)号：CN217639331U

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202221265768.8

申请日：2022-05-23

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司常州供电分公司

Inventor： 贾国强 ,  王连忠 ,  宋海飞 ,  沈红伟 ,  胡毅 ,  原义栋 ,  陆怀谷 ,  庄重 ,  陈亮 ,  袁俊球

IPC: G01R31/00 ,  G05B19/042 ,  H02J7/00

Abstract: 本实用新型实施例提供一种具备双路供电的电池管理系统及电池管理系统的测试系统，包括：接口供电电路、电池供电电路、电源切换电路、LDO电路、电池采样芯片、分压电阻阵列和微控制器；接口供电电路从外部设备获取电能，接口供电电路的输出端与电源切换电路的第一输入端连接；电池供电电路的输入端与电池连接，电池供电电路的输出端与电源切换电路的第二输入端连接，电源切换电路的输出端与LDO电路的输入端连接，微控制器的数据采集端与电池采样芯片的数据输出端连接，电池采样芯片采集所述分压电阻阵列或电池的信息；电池采样芯片的供电端与接口供电电路的供电端及电池连接；分压电阻阵列的电源端与接口供电电路的供电端连接。