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公开(公告)号：CN103886919A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410117811.X
申请日：2014-03-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G21B1/13
CPC classification number: G21B1/13 , G21Y2002/101 , G21Y2002/102 , Y02E30/128
Abstract: 利用叠片结构提高聚变堆内壁耐等离子体辐照性能的方法属于核能应用领域，适用于采用氢同位素进行聚变反应装置中内壁上的面向等离子体表面。将面对等离子体的材料制成多片金属薄片，然后将多片金属薄片按照垂直于壁表面的方向叠压在一起，再与铜基体复合在一起。这种方法不仅可以有效降低氢、氦及其同位素等在钨基材料表层下面的聚集，大大降低其表面的起泡现象，同时还能减轻热疲劳裂纹损伤。
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公开(公告)号：CN103743567A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410020648.5
申请日：2014-01-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01M13/04
Abstract: 本发明涉及一种数控磨床砂轮主轴的可靠性试验装置，该装置可以模拟数控磨床的各种不同工况，变频器驱动主轴电机以不同的转速运转，周向加载装置施加不同的周向载荷，径向加载装置施加不同的径向载荷，记录运行过程中的故障数据，通过这些数据来计算、评价数控磨床砂轮主轴的可靠性水平。本发明适用于数控磨床砂轮主轴的可靠性试验，在数控磨床的可靠性设计时，用来评价砂轮主轴的可靠性水平，具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103388134A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201310308952.5
申请日：2013-07-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/517
Abstract: 容性耦合等离子体增强化学气相沉积制备厚度均匀的薄膜的方法，涉及薄膜制备技术领域。将射频源与平行极板间的连接导线更换为较粗的连接导线或铜柱，即增加功率馈入端面积，从而使功率馈入端的面积大幅度增加，降低平行板电极间真空电势差分布的非均匀度。不需要购买和安装新的部件，不存在改良过程中很难实现的情况，它保证了改良方法的可行性，大大降低了改良的成本。
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公开(公告)号：CN102569515B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210002294.2
申请日：2012-01-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/055 , B82Y20/00
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法属于太阳能电池领域。该薄膜同时具有减反陷光及近红外量子剪裁下转换作用。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，80℃烘干。将烘干后的粉体放置于磨具中，在15MPa下压10分钟，得到直径为2cm，厚度为5mm的圆片，将此圆片在1100℃-1300℃煅烧20-24h，制成陶瓷靶材。利用激光脉冲沉积方法，以硅片为衬底，通入O2，衬底温度为500～800℃，靶基距为6～8cm，工作气压为3～7Pa，激光能量为200～400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光到近红外具有良好的减反陷光作用，且在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光，有望降低硅太阳电池表面的反射及热化效应，提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103367466A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310287057.X
申请日：2013-07-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 硅纳米球颗粒阵列层作为太阳能电池表面减反陷光层的应用，属于太阳能电池技术领域。硅纳米球的直径在100-1000nm之间，填充率在0.05-0.4之间；以填充率为0.09时的硅纳米球阵列为例，可以得出在可见光波段（300-850nm）内，SiNSA的反射率始终保持在0.4%以下，同时具有98%以上的高透过率，表现出优异的减反、陷光性能。这种太阳能电池表面新型陷光结构的应用将进一步提高陷光效果，有助于太阳能电池效率的提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103213940A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310084326.2
申请日：2013-03-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于微纳米尺度使材料具有两种不同浸润性的方法，属于微纳薄膜技术领域。对基体进行清洗，并涂上光刻胶，制备微纳结构，进行真空镀膜，镀膜厚度几十纳米到几微米，镀膜后用丙酮清洗掉光刻胶，然后将其浸泡在全氟三乙氧基甲硅烷酒精溶液中，使得全氟三乙氧基甲硅烷进入原光刻胶的所在微纳结构中，拿出后用酒精清洗；用化学方法去除掉表面镀的镀膜，即在基体上得到微纳尺寸两种不同浸润性的表面。本发明可以通过微纳结构的尺寸和面积比例来调节宏观表面的浸润性。
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公开(公告)号：CN102157316B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110057064.1
申请日：2011-03-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了具有增强电子发射性能的薄膜场发射阴极及其制备方法，属于场发射阴极领域。本发明采用激光脉冲沉积系统，在保护气体下，依次在导电衬底上沉积一层具有表面突起形貌的半导体传导缓冲层，然后在半导体传导缓冲层上沉积一层半导体电子势垒层，再在半导体电子势垒层上沉积一层半导体电子势阱层，得到由导电衬底自下向上依次为半导体传导缓冲层、半导体电子势垒层和半导体电子势阱层的增强电子发射性能的薄膜场发射阴极。本发明的薄膜场发射阴极具有低阈值电场、高发射电流密度、电子发射稳定并兼具工艺简单、使用寿命长，制备工艺简单易行，不涉及复杂、昂贵的光刻技术及其相关设备。
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公开(公告)号：CN102226294B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110122078.7
申请日：2011-05-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种优化硅基GaN场发射特性的晶体结构调制方法，属于场发射阴极领域。包括如下步骤：选择Si作为衬底，GaN靶作为靶材；将衬底和靶材放入激光脉冲沉积系统，调整靶基距为50-90mm，抽真空使背底真空为1×10-5-1×10-2Pa；通入保护气体调整工作气压为1×10-2-1×101Pa，在脉冲频率5-15Hz、脉冲能量300-500mJ/脉冲的条件下，改变衬底温度700℃-1000℃并进行沉积。本发明通过控制沉积温度从而控制GaN薄膜的晶体结构，获得了最优的场发射性能的结晶度及结晶取向，有效提高了GaN薄膜型场发射阴极的场发射性能。
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公开(公告)号：CN102321476A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110149912.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种近红外量子剪裁透明薄膜及其制备方法，属于固体发光材料领域。薄膜的材料组成为：Y2O3、Bi2O3和Yb2O3，其中Bi2O3摩尔分数为0.25～1％，Yb2O3摩尔分数为0.5～5％。制备方法是在Y2O3粉体中加入Bi2O3粉体和Yb2O3的粉体，球磨混合，烘干后在1200℃煅烧12h，采用热压法压制成陶瓷靶材；利用激光脉冲沉积方法，以硅片或石英为衬底，通入O2，衬底温度为400～800℃，靶基距为5～8cm，工作气压为0.5～10Pa，激光能量为100～400mJ/脉冲。该薄膜在紫外光激发下能实现高效的近红外量子剪裁下转换发光，有望降低硅太阳电池的热化效应，提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101728184B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910238477.2
申请日：2009-11-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种具有低阈值电场的硅基场发射阴极材料及其制备方法。该场发射阴极材料可为GaN、AlN、BN、ZnO、ZnS，并且具有如下特征：直接带隙半导体且带隙宽度应介于3eV至7eV，能形成六方纤锌矿结构，且材料沿六方纤锌矿结构的(002)晶向择优生长；其厚度大于20nm小于50nm；同时具备六方相和非晶相。该场发射阴极材料的制备方法为：以硅为基底材料，分别经过预处理和HF酸浸泡后，在基底上进行激光脉冲沉积一定厚度的薄膜，从而得到最终产品。本发明所提供的制备工艺简单易行，制备的材料具有低阈值电场，高发射电流密度的电子发射特性，且该阴极结构以硅为基底，易于与其他微电子器件集成，是制造真空微电子器件的理想阴极。
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