一种制备高纯度Fe4-xMxN(M=Ni,Co)软磁粉体的方法

    公开(公告)号:CN103130202B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201310042673.9

    申请日:2013-02-03

    Abstract: 一种制备高纯度Fe4-xMxN(M=Ni,Co)软磁粉体的方法属于新材料领域。该发明以Fe2O3和掺杂元素的氧化物为原料,采用球磨混合、烘干、研磨处理后得到分散均匀的混合原料粉,然后采用固气反应法在NH3和H2的混合气氛中氮化。加热过程采用两步法,先在700℃-1000℃温度范围内保温1min-1h对原料氧化物还原,并使金属原子形成均一相,这个过程中气氛中H2的体积分数在50%-100%范围内;再在400℃-600℃温度范围内保温3h-7h氮化,这个过程中NH3的体积分数在50%-100%范围内,氮化结束后随炉冷却。经XRD测定,此工艺得到的氮化产物为高纯相的Fe4-xMxN(M=Ni,Co)粉体,粉末颗粒的平均粒径为3μm,该软磁粉体具有高的饱和磁化强度和低的矫顽力,其中Fe3.6Ni0.4N粉体的饱和磁化强度为174emu/g,矫顽力为2Oe。

    一种分隔结构的金属软磁薄膜

    公开(公告)号:CN104008847A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201410187228.6

    申请日:2014-05-05

    Abstract: 本发明涉及一种具有分隔结构特征的金属软磁薄膜。对金属软磁薄膜进行水平或垂直分隔,或者对金属软磁薄膜进行水平且垂直分隔,或者对金属软磁薄膜进行一级或多级发射状分隔。通过结构分隔方法,使金属软磁薄膜材料形成特征结构,既保持有取向的高磁导率,又有效阻隔高频交变磁场激励下在金属软磁材料中产生的感应涡电流,抑制涡流效应,扩大金属软磁薄膜材料的高频应用范围。

    一种导电填料用银包铝合金粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN104005010A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201410149065.2

    申请日:2014-04-14

    Abstract: 一种Al合金粉末直接化学镀银的制备方法,其特征在于:Al合金粉的制备:采用真空雾化法制备,合金第二元素质量含量范围为0.3~10%;Al合金粉末镀前热处理,热处理温度为100~400℃、时间0.5~5h;Al合金粉末预处理:取合金粉,用质量浓度为0.03-0.05wt%的NaOH溶液超声波下腐蚀清洗,之后水洗;Al合金粉直接化学镀银;镀覆结束后,水洗、真空干燥。本发明进行化学镀银不需要活化敏化,工艺简单易于操作,降低了成本和能耗。

    Al-Ag合金粉末化学镀银的制备方法

    公开(公告)号:CN102534585A

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201210011252.5

    申请日:2012-01-15

    Abstract: Al-Ag合金粉末化学镀银的制备方法,属于化学镀技术领域。取Al-Ag合金粉,用NaOH溶液腐蚀,水洗;在室温常压下,将合金粉置于浓度为硝酸银溶液中进行前驱置换反应;然后将该粉体分离出来,置于化学镀银还原液中,该还原液由葡萄糖、硫脲、酒石酸、无水乙醇组成,银盐为银氨溶液,在超声条件下银氨溶液逐滴滴入还原液中;镀覆结束后,水洗、真空干燥;对步骤得到的镀银粉末进行热处理,真空条件,240-600℃,2h。最后得到银层包覆完整均匀、导电性能良好的Al-Ag粉体。工艺简单易于操作,降低了成本和能耗。

    一种银化学包覆无氧化铝粉的方法

    公开(公告)号:CN101983805B

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201010532383.9

    申请日:2010-10-29

    Abstract: 本发明公开了一种银化学包覆无氧化铝粉的方法,属于表面处理技术领域。用氩气雾化制作纯铝粉,在氩气保护下将粉末分装到有橡胶盖的密封玻璃容器中,或将粉末保存在无水乙醇中将粉末浸没;3)在室温常压下,配制质量百分比为5~15%的AgNO3溶液作为镀液,或将浓度5~15%AgNO3溶液配制成银氨溶液并加入还原剂作为镀液,然后将镀液注入装有铝粉玻璃容器中晃动,待粉末完全浸没在溶液中时,打开橡胶盖搅拌15分钟,或将带着无水乙醇的铝粉去除多余的无水乙醇,使液面刚刚没过粉末,然后加入配制好的镀液搅拌15分钟;(4)倒掉溶液,用去离子水和乙醇洗涤,自然风干。本发明工艺简单操作便利,降低能源消耗和成本。

    基于TM0n0模式的高能聚束获得装置
    69.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116133222A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202111341411.3

    申请日:2021-11-12

    Abstract: 本发明提供一种基于TM0n0模式的高能聚束获得装置,通过包括:圆柱形谐振腔、两个圆台形腔、两个圆锥;所述两个圆台形腔分别与所述圆柱形谐振腔的两端相连形成;所述两个圆锥的底面分别与所述两个圆台形腔的顶面平行,所述两个圆锥的锥尖相对设置,且所述两个圆锥的对称轴在一条直线上。本发明通过在两个圆台形腔,圆台腔与圆柱谐振腔构成反射聚焦结构,谐振腔内部上下两端分别设置有圆锥结构,圆锥位置可调节,馈入微波能量产生谐振后,利用TM0n0模式本身的优点,在中心形成最大值,上尖锥受电场作用产生高场强迭加,下尖锥相反放置,利用空间相位和感应电荷产生电场相位抵消而到达和上尖锥同相的高能场强。

    一种磁通均匀分布的多磁偶磁流变阻尼器

    公开(公告)号:CN113074214B

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202110330951.5

    申请日:2021-03-24

    Abstract: 本发明提供一种磁通均匀分布的多磁偶磁流变阻尼器,包括缸筒、活塞和活塞杆,活塞包括偶数个磁偶结构,偶数个磁偶结构围绕导磁内环周向均匀排布于所述缸筒的中空区域内;导磁内环设于所述偶数个磁偶结构排布的内周向,偶数个磁偶结构排布的外周向设有导磁外环,缸筒的内壁与导磁外环之间设置阻尼通道;活塞杆垂直穿过导磁内环的中孔并与所述缸筒轴向平行,并与导磁内环相互配合;导磁外环上设有周向排布的阻磁间隙,阻磁间隙设于与其相邻的两个磁偶结构之间;每个所述磁偶结构设于所述导磁外环上的延伸段构成截面积渐变的延伸结构,以实现所述阻尼通道的磁通均匀分布。本发明实现多磁偶磁流变阻尼器的阻尼通道磁力线均匀分布。

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